一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及铜表面制备钴硫薄膜的方法，具体为一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法，包括以下步骤：S1、制备逆置换沉积液：逆置换沉积液的组成及各组分的含量为：钴盐10‑200g/L，添加剂90‑320g/L，利用稀硫酸等将沉积液pH值调整为3‑7；S2、铜试样处理：采用砂纸打磨铜基底，去除表面的氧化物和污染物，然后在乙醇溶液中超声清洗，氮气吹干；S3、沉积镀膜：铜试样放入逆置换沉积液中沉积；S4、钴硫薄膜铜试样处理：取出铜试样，用去离子水清洗残留的沉积液，用氮气吹干；采用本发明专利技术方法，能够直接在铜表面制备高质量钴硫薄膜，并且具有沉积液组成简单，操作流程少、耗时短和成本低等优势。

A method of preparing co-s thin film on copper surface based on reverse displacement

【技术实现步骤摘要】
一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法
本专利技术涉及铜表面制备钴硫薄膜的方法，具体为一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法。
技术介绍
水的电解反应是由两个半反应组成，分别为水的还原反应称为析氢反应(HER)和水的氧化反应称为析氧反应(OER)。在标准状态下，水分解反应的可逆电解池电压为1.23V，但析氢反应和析氧反应过程存在动力学阻碍就使得实际电解槽所需要的外加电压远大于1.23V。研究发现，在电极表面上使用一些贵金属催化材料，譬如铂基催化材料等，可以有效降低整个水分解反应所需的超电势。但由于贵金属材料的稀缺性和高价格严重阻碍了它们大规模的应用。因此，寻找合适的非贵金属催化材料来代替贵金属催化材料，以降低开发高效的电解水催化材料成本具有重要的意义。钴硫薄膜具有优异的电解水催化性能，可作为一种非贵金属催化材料，用于催化电解水分解反应。近些年来，大量的研究工作集中在制备钴硫薄膜的简便方法。铜是一种常用的电极材料，在其表面制备钴硫薄膜的常用方法为，先通过电镀或气相沉积等方法在铜表面制备纯钴薄膜，然后再利用含硫气氛或硫化物盐溶液对薄膜进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、制备逆置换沉积液：逆置换沉积液的组成及各组分的含量为：钴盐10-200g/L，添加剂90-320g/L，利用稀硫酸等将沉积液pH值调整为3-7；/nS2、铜试样处理：采用砂纸打磨铜基底，去除表面的氧化物和污染物，然后在乙醇溶液中超声清洗，氮气吹干；/nS3、沉积镀膜：铜试样放入逆置换沉积液中沉积；/nS4、钴硫薄膜铜试样处理：取出铜试样，用去离子水清洗残留的沉积液，用氮气吹干。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、制备逆置换沉积液：逆置换沉积液的组成及各组分的含量为：钴盐10-200g/L，添加剂90-320g/L，利用稀硫酸等将沉积液pH值调整为3-7；
S2、铜试样处理：采用砂纸打磨铜基底，去除表面的氧化物和污染物，然后在乙醇溶液中超声清洗，氮气吹干；
S3、沉积镀膜：铜试样放入逆置换沉积液中沉积；
S4、钴硫薄膜铜试样处理：取出铜试样，用去离子水清洗残留的沉积液，用氮气吹干。


2.根据权利要求1所述的一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兴凯，张俊彦，甘楠，
申请(专利权)人：中国科学院兰州化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃;62