富氧膜的制造方法技术

技术编号:22807583 阅读:16 留言:0更新日期:2019-12-14 09:40
本发明专利技术提供气体分离能力优异的富氧膜的制造方法和储藏库的制造方法,其在即使有机硅系组合物的浓度低的情况下,也不会使中间层的表面劣化,能够将有机硅系组合物均匀地进行涂布。至少具有气体分离层(101)、多孔质基材层(102)和位于气体分离层(101)与多孔质基材层(102)之间的中间层(103)的富氧膜(62)的制造方法具有:将具有硅氧烷键的化合物用溶剂进行稀释来制备有机硅系组合物的工序;使上述有机硅系组合物发生交联反应的工序;通过在多孔质基材层(102)上涂布中间层组合物而层叠中间层(103)的工序;和通过在中间层(103)上涂布交联反应后的上述有机硅系组合物而层叠气体分离层(101)的工序。

Manufacturing method of oxygen enriched membrane

【技术实现步骤摘要】
富氧膜的制造方法
本专利技术的实施方式涉及富氧膜的制造方法。
技术介绍
作为储藏于冰箱等储藏库中的食品等储藏品的劣化原因,有由空气中存在的氧引起的氧化。于是,已知有下述储藏库:将储藏容器的内部的空气利用泵等排气机构经由富氧膜(氧分离膜)进行吸引,从而高氧浓度的空气被排出到储藏容器的外部,使储藏容器内的氧浓度降低,由此能够抑制储藏品的氧化而维持储藏品的鲜度。这样的储藏库中使用的富氧膜一般通过将在含有具有硅氧烷键的化合物的有机硅系组合物中混合催化剂等反应促进剂而得到的混合液涂布到多孔质基材层上,进行加热使其交联从而使其固化。但是,若在多孔质基材层上直接涂布有机硅系组合物,则由于有机硅系组合物浸渗到多孔质基材层的孔部,所以难以形成均匀膜厚的气体分离层。作为解决该问题的方法,已知在气体分离层与多孔质基材层之间设置中间层。另外,作为提高富氧膜的气体分离能力的方法,可列举出降低所涂布的有机硅系组合物的浓度、减小气体分离层的膜厚。然而,为了减小气体分离层的膜厚,若降低有机硅系组合物的浓度则粘度过于下降,有时难以层叠均匀膜厚的气体分离层。进而,若降低有机硅系组合物的浓度,则构成中间层的中间层组合物溶出到有机硅系组合物中的溶剂中,存在中间层的表面劣化的问题。由于因中间层的劣化而在其表面形成微细的凹凸,所以形成于其上的气体分离层膜厚产生不均,空气的透过集中在膜厚较薄的地方,因此,存在难以得到优异的气体分离能力的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015-62856号公报专利文献2:日本特开2009-208079号公报
技术实现思路
专利技术所需要解决的课题本专利技术是鉴于上述情况而进行的,目的是提供一种气体分离能力优异的富氧膜,其在即使是有机硅系组合物的浓度低的情况下,也不会使中间层的表面劣化,能够将有机硅系组合物均匀地进行涂布。用于解决课题的手段本实施方式的富氧膜的制造方法是至少具有气体分离层、支撑上述气体分离层的多孔质基材层、和位于上述气体分离层与上述多孔质基材层之间的中间层的富氧膜的制造方法,所述制造方法具有以下工序:将具有硅氧烷键的化合物用溶剂进行稀释,制备有机硅系组合物的工序;使上述有机硅系组合物进行交联反应的工序;通过在上述多孔质基材层上涂布中间层组合物而层叠中间层的工序;和通过在上述中间层上涂布交联反应后的上述有机硅系组合物而层叠气体分离层的工序。附图说明图1是用于说明具备本专利技术的一实施方式所涉及的富氧膜的冰箱的截面图。图2是图1的主要部分截面图。图3是本专利技术的一实施方式所涉及的富氧膜的示意截面图。符号说明1:冰箱、2:箱体、10:冷蔵室、12:蔬菜室、30:冷蔵冷却器、31:冷蔵风扇、32:冷蔵冷却器室、60:氧分离模块、61:壳体、62:富氧膜、63:小室、65:排气口、66:密封材料、70:储藏容器、70a:后方壁、70b:开口部、90:排气部、90A:第1排气泵、90B:第2排气泵、96:出口流路、97:入口流路、98:送气流路、196:库外排气流路、197:排气流路、198:导入流路、S1:储藏空间、S3:调整空间、S4:排气空间、101:气体分离层、102:多孔质基材层、103:中间层具体实施方式以下,基于图1~2对具备一实施方式的富氧膜62的冰箱1进行说明。(1)关于具备富氧膜62的冰箱1冰箱1具备由在正面开口的绝热箱体构成的箱体2。箱体2在形成于钢板制的外箱3与合成树脂制的内箱4之间的绝热空间5中具有真空绝热材料或发泡绝热材料等绝热材料而构成。箱体2在内箱4的内侧设置有多个储藏空间,储藏空间通过绝热间隔壁6而被上下分区。绝热间隔壁6的上方的空间是被冷却至冷蔵温度区(例如1~4℃)的储藏室,内部进一步通过间隔壁7而被上下分区。在间隔壁7的上方设置有冷蔵室10,在间隔壁7的下方设置有蔬菜室12。冷蔵室10的内部通过多个搁板9而被上下分区成多个段,在冷蔵室10的背面设置有测定冷蔵室10内的温度的冷蔵温度传感器25。在冷蔵室10的正面开口部,设置有由铰链进行枢轴支撑的转动式的冷蔵室门11。蔬菜室12的正面开口部通过抽屉式的蔬菜室门13而被封闭。在蔬菜室门13的库内侧,固定有保持储藏容器70的左右一对支撑框,按照储藏容器70随着开门动作被拉出到库外的方式构成。在蔬菜室12的正面开口部的周缘部,设置有门传感器29,探测蔬菜室门13是处于开放状态还是处于封闭状态。设置于蔬菜室12内的储藏容器70是由前方壁、后方壁70a、左右侧壁所围成的有底的箱状的容器,设置有在上方开口的上面开口部。储藏容器70的内部形成收纳蔬菜等储藏品的储藏空间S1,成为从储藏容器70的上面开口部存取储藏品。储藏容器70的上面开口部通过盖体72能够开闭地被封闭,构成抑制了在蔬菜室12中循环的空气(风)的直接进入的封闭容器。在储藏容器70的后方壁70a的下部,穿设有开口部70b,并且设置有按照将开口部70b的储藏空间S1侧空开间隔地覆盖的方式设置的风向板52。风向板52越是到上方越向前方倾斜,按照从开口部70b吹出的空气朝向储藏容器70的顶面(即盖体72)吹出的方式将其引导。在绝热间隔壁6的下方的空间中,左右并设有具备自动制冰机的制冰室(未图示)和第1冷冻室16,在其下方介由隔板22而设置有第2冷冻室17。制冰室、第1冷冻室16及第2冷冻室17均被冷却至冷冻温度区(例如-17℃以下)。在第2冷冻室17的背面,设置有用于测定第2冷冻室17内的温度的冷冻温度传感器26。制冰室、第1冷冻室16及第2冷冻室17的开口部与蔬菜室12同样地通过抽屉式的门18、19而被封闭。在固定于各门18、19的背面侧的左右一对支撑框上保持有储藏容器20、21,按照该储藏容器20、21随着开门动作被拉出到库外的方式构成。在冷藏室10及蔬菜室12的后部,设置有由蒸发器盖23分隔成前后的冷藏冷却器室32。在冷藏冷却器室32中,收纳有冷藏冷却器30、冷藏风扇31、排水盘(drainpan)27及排气部90。冷藏冷却器室32通过通道33与冷藏室10连接,成为将冷藏冷却器30所冷却后的冷藏冷却器室32的空气利用冷藏风扇31介由通道33供给至冷藏室10。排水盘27被配置在冷藏冷却器30的下方,接收除霜运转时由冷藏冷却器30产生的结露水(除霜水)。积存在排水盘27中的结露水介由排水管28排出至配置在设置于箱体2的背面下部的机械室38中的蒸发皿41。将积存在排水盘27中的结露水排出至机械室38的排水管28插通至将设置于箱体2的背面壁的冷藏冷却器室32与机械室38连通的插通孔2a中,从冷藏冷却器室32被引出到机械室38。设置于箱体2上的插通孔2a与插通的排水管28相比口径变大。因此,在插通孔2a中插入有排水管28的状态下,在插通孔2a与排水管28之间,形成有从冷藏冷却器室32连续地相连至机械室38的间隙。即,形成于插通孔本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种富氧膜的制造方法,其是至少具有气体分离层、支撑所述气体分离层的多孔质基材层和位于所述气体分离层与所述多孔质基材层之间的中间层的富氧膜的制造方法,所述制造方法具有下述工序:/n将具有硅氧烷键的化合物用溶剂进行稀释,制备有机硅系组合物的工序;/n使所述有机硅系组合物发生交联反应的工序;/n通过在所述多孔质基材层上涂布中间层组合物而层叠中间层的工序;和/n通过在所述中间层上涂布交联反应后的所述有机硅系组合物而层叠气体分离层的工序。/n

【技术特征摘要】
20180606 JP 2018-1085701.一种富氧膜的制造方法,其是至少具有气体分离层、支撑所述气体分离层的多孔质基材层和位于所述气体分离层与所述多孔质基材层之间的中间层的富氧膜的制造方法,所述制造方法具有下述工序:
将具有硅氧烷键的化合物用溶剂进行稀释,制备有机硅系组合物的工序;
使所述有机硅系组合物发生交联反应的工序;
通过在所述多孔质基材层上涂布中间层组合物而层叠中间层的工序;和
通过在所述中间层上涂布交联反应后的所述有机硅系组合物而层叠气体分离层的工序。


2.根据权利要求1所述的富氧膜的制造方法,其特征在于,通过所述交联反应,将所述有机硅系组合物的25℃下的粘度调整为1Pa·s~50Pa·s。


3.根据权利要求1或2所述的富氧膜的制造方法,其特征在于,所述交联反应是利用选自由常温固化、加热固化、能量射线固化及电子射线固化构成的组中的1种方法或将2种以上组合而...

【专利技术属性】
技术研发人员:富田笃志品川英司小林大谨中野太阳
申请(专利权)人:东芝生活电器株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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