非接触式试电笔制造技术

本发明专利技术公开了一种非接触式试电笔，其特征包括：4.5V直流电源和按键开关AN、微电压检测和同极性达林顿电路、声光驱动电路。传统试电笔的试电探头必须直接接触带电金属体，使试电笔构成完整回路才能正常工作。本发明专利技术所述的非接触式试电笔则不需要直接接触带电物体即可正常工作，带电体可以是金属，也可以是带有静电的物体或非金属体。发明专利技术所述的非接触式试电笔既适用于检测100V以下的低电压，也适用于检测电压较高的220V交流电，它的作用和功能可替代传统电工用的试电笔。

Non contact test pencil

The invention discloses a non-contact electric test pen, which is characterized by a 4.5V DC power supply and a key switch an, a micro voltage detection and homopolarity Darlington circuit, an acoustooptic driving circuit. In order to work normally, the probe of the traditional test pen must contact the charged metal body directly. The non-contact electric test pen of the invention can work normally without directly contacting the charged object, and the charged object can be a metal, an object with static electricity or a non-metal body. The non-contact test pen is suitable for detecting low voltage below 100V and 220V alternating current with high detection voltage. Its function and function can replace the traditional test pen for electrical engineering.

【技术实现步骤摘要】
非接触式试电笔
本专利技术属于电工技术与电子
，是关于一种非接触式试电笔。
技术介绍
常用的试电笔构造由测电探头、限流电阻、氖管、金属弹簧和手触电极相互串联组成。测电探头与被测带电金属体接触时，手指必须接触手触电极才能构成回路，当被测金属体相对大地具有较高电压时，氖管启辉，表明被测金属体带电。但在实际工作中有很多用电器金属外壳或金属构件带有一定的电压，它对人体不构成触电危险。这种通过用电器金属外壳感应产生的较低电压，一般试电笔不能识别低于100V的感应电动势，这给判断用电器金属外壳是否漏电受到很大的局限。本专利技术所述的非接触式试电笔既适用于检测100V以下的低电压，也适用于检测电压较高的220V交流电，它的作用和功能可替代传统电工用的试电笔。以下详细说明本专利技术所述的非接触式试电笔在实施过程中所涉及的相关
技术实现思路
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技术实现思路
专利技术目的及有益效果：传统试电笔的试电探头必须直接接触带电金属体，使试电笔构成完整回路才能正常工作。本专利技术所述的非接触式试电笔则不需要直接接触带电物体即可正常工作，带电体可以是金属，也可以是带有静电的物体或非金属体。本专利技术所述的非接触式试电笔既适用于检测100V以下低电压，也适用于检测电压较高的220V交流电，它的作用和功能可替代传统电工用的试电笔。电路工作原理：当非接触式试电笔的电路接通4.5V直流电源后，在电感检测头L1感应到被测物体的微弱电压信号时，微弱电压信号通过耦合电容C1至NPN型晶体管VT1的基极，耦合电容C1的作用是通交流，阻直流，通高频，阻低频。电容可以过滤掉大部分的干扰信号，否则灵敏度太高，甚至靠近零线也能做出响应。微弱电压信号通过NPN型晶体管VT1～VT3复合进行放大，电路的回路是通过分布电容完成，在3只NPN型晶体管VT1～VT3迅速陆续导通后，接在NPN型晶体管VT3集电极回路中的发光二极管LED被点亮，同时蜂鸣器HA也得电发出蜂鸣声。电解电容C2的接入是为了缓解4.5V直流电源(电池组)动态供电负荷。技术特征：非接触式试电笔包括4.5V直流电源和按键开关AN、微电压检测和同极性达林顿电路、声光驱动电路，其特征在于：微电压检测和同极性达林顿电路：它由电感检测头L1、耦合电容C1、3只NPN型晶体管VT1～VT3组成，电感检测头L1的一端接NPN型晶体管VT1的基极，电感检测头L1的另一端空置，NPN型晶体管VT1的发射极接NPN型晶体管VT2的基极，NPN型晶体管VT2的发射极接NPN型晶体管VT3的基极，NPN型晶体管VT1的集电极和NPN型晶体管VT2的集电极接电路正极VCC，NPN型晶体管VT3的发射极接电路地GND，NPN型晶体管VT3的集电极接声光驱动电路；声光驱动电路：它由发光二极管LED、电阻R1和蜂鸣器HA组成，NPN型晶体管VT3的集电极接发光二极管LED的负极和蜂鸣器HA的负极，发光二极管LED的正极通过电阻R1接电路正极VCC，蜂鸣器HA的正极接电路正极VCC；4.5V直流电源正极通过按键开关AN接电路正极VCC，4.5V直流电源负极接电路地GND，电解电容C2的正极接电路正极VCC，电解电容C2的负极接电路地GND。附图说明附图1是本专利技术提供一个非接触式试电笔的实施例电路工作原理图。具体实施方式按照附图1所示的非接触式试电笔电路工作原理图和附图说明，并按照
技术实现思路
所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本专利技术，以下结合实施例对本专利技术的相关技术作进一步的描述。元器件的技术参数及其选择要求VT1、VT2、VT3为NPN型晶体管，选用的型号为2SC9014，或选用2SC945，要求耐压≥60V，且耐压越高越好，β值≥160；LED为发光二极管，选用￠5超高亮红色发光二极管；HA为蜂鸣器，内部设有2Hz音频振荡电路的微型蜂鸣器，工作电压为5V；L1为电感检头，选用成品工字型电感线圈，其电感量为15μH；R1为电阻，其阻值为220Ω；C1为耦合电容，选用普通瓷片电容，其容量为47PF～68PF；C2为电解电容，选用的型号为CD11-16V型，其容量为220μF～330μF；AN为按键开关，选用常开式微动开关；4.5V直流电源可使用3枚7#电池串联得到。电路制作要点及电路调试因非接触式试电笔的电路结构比较简单，制作比较容易，一般情况下只要选用的电子元器件性能完好，并按照说明书附图1中的元器件连接关系进行焊接，物理连接线及焊接质量经过仔细检查正确无误后，本专利技术电路基本不需要进行调试，电路接上4.5V直流电源即可正常工作。电感检测头L1：亦可使用直径￠1、长度约18cm的漆包线，在直径￠5金属棒上间绕8～10圈，然后脱胎成螺旋形即可，将任意一端除漆后焊接在NPN型晶体管VT1的基极；由于非接触式试电笔电路元件很少，因而可不用电路板，可将所有元件按附图正确焊接，然后装进塑料管内并加以固定；电容值和电感检测头L1的电感值取决于实际测试效果，一般电容C1的容量为几十PF；电路布线也有一定影响，电感检测头L1、耦合电容C1和NPN型晶体管VT1之间的距离越近干扰就越小；测电笔经过测试：在电感检测头L1相距带绝缘层导线220V交流电1.0cm左右试电笔就能发出声和光。本专利技术的电路结构设计、元器件布局，以及它的结构特征、外观形状及尺寸大小等均不是本专利技术的关键技术，也不是本专利技术要求保护的关键性
技术实现思路
，因不影响本专利技术具体实施过程和专利技术目的的实现，故不在说明书中一一说明。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非接触式试电笔，它包括4.5V直流电源和按键开关AN、微电压检测和同极性达林顿电路、声光驱动电路，其特征在于：/n所述的微电压检测和同极性达林顿电路由电感检测头L1、耦合电容C1、3只NPN型晶体管VT1～VT3组成，电感检测头L1的一端接NPN型晶体管VT1的基极，电感检测头L1的另一端空置，NPN型晶体管VT1的发射极接NPN型晶体管VT2的基极，NPN型晶体管VT2的发射极接NPN型晶体管VT3的基极，NPN型晶体管VT1的集电极和NPN型晶体管VT2的集电极接电路正极VCC，NPN型晶体管VT3的发射极接电路地GND，NPN型晶体管VT3的集电极接声光驱动电路；/n所述的声光驱动电路由发光二极管LED、电阻R1和蜂鸣器HA组成，NPN型晶体管VT3的集电极接发光二极管LED的负极和蜂鸣器HA的负极，发光二极管LED的正极通过电阻R1接电路正极VCC，蜂鸣器HA的正极接电路正极VCC；/n所述的4.5V直流电源的正极通过按键开关AN接电路正极VCC，4.5V直流电源的负极接电路地GND，电解电容C2的正极接电路正极VCC，电解电容C2的负极接电路地GND。/n

【技术特征摘要】
1.一种非接触式试电笔，它包括4.5V直流电源和按键开关AN、微电压检测和同极性达林顿电路、声光驱动电路，其特征在于：
所述的微电压检测和同极性达林顿电路由电感检测头L1、耦合电容C1、3只NPN型晶体管VT1～VT3组成，电感检测头L1的一端接NPN型晶体管VT1的基极，电感检测头L1的另一端空置，NPN型晶体管VT1的发射极接NPN型晶体管VT2的基极，NPN型晶体管VT2的发射极接NPN型晶体管VT3的基极，NPN型晶体管VT1的集电极和NPN型晶体管VT2的集电极接电路正极VCC...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄勇，
申请(专利权)人：黄勇，
类型：发明
国别省市：安徽;34