The invention relates to a method for preparing high-purity nano silicon material by using industrial waste, which is characterized in that the method comprises the following steps: 1) preparing chlorine and sodium hydroxide with industrial solid waste sodium chloride as raw material; 2) smelting and electrolysis sodium hydroxide at high temperature to obtain sodium; 3) carbothermal reduction reaction between chlorine and industrial silicon, or tail gas of silicon tetrachloride from Siemens process for preparing high-purity silicon After purification, silicon tetrachloride is obtained; 4) sodium prepared in step 2) is mixed with silicon tetrachloride prepared in step 3) and reacts at high temperature, i.e. nanometer silicon material is prepared. Compared with the prior art, the invention makes comprehensive use of cheap sodium chloride industrial waste and polluting silicon tetrachloride gas, makes comprehensive use of waste resources, effectively improves environmental pollution, prepares high-purity nano silicon and high-purity sodium, has wide application range, strong industrialization feasibility, and realizes the transformation of low value-added materials into ultra-high value-added materials.
【技术实现步骤摘要】
一种利用工业废料制备高纯纳米硅材料的方法
本专利技术属于工业废料资源化利用与电池材料制备
,涉及一种利用工业废料制备高纯纳米硅材料的方法。
技术介绍
纳米硅粉末是新一代的光电半导体材料,具有较宽的间隙能半导体,可作为高功率的光源材料。主要用途包括:1、与有机物反应制备有机硅高分子材料;2、金属硅粉末通过提纯制取多晶硅;3、金属表面处理;4、替代纳米碳粉或石墨,用作锂电池负极材料;5、半导体微电子封装材料。其中纳米硅粉末在锂电池中的应用尤为显著:由于纳米硅对与锂电池的高吸收率,将纳米硅用与锂电池可以大幅度提高锂电池的容量(理论可以达到4000mA/h),同时利用世界先进技术,将纳米硅粉表面包覆石墨,组成Si/C复合材料,可以有效降低由于硅吸收锂离子时的膨胀,同时可以加大与电解液的亲和力,易与分散,提高循环性能。纳米硅材料的制备方法包括干法和湿法两种,干法包括电弧法和气相法,湿法包括溶胶-凝胶法、沉淀法和微乳液法等,干法制备的纳米硅材料性能好,纯度高,但此方法制备成本高,且在生产过程中能耗大。因此,国内一般采用湿法工艺制备纳米硅材料。金属还原法作为干法制备高纯硅材料的一种方法,包括钠还原、锌还原、镁还原,其中,钠还原法是分别将四氯化硅和钠气化后送入石墨反应器中,直接反应生成液态多晶硅和气态氯化钠。该类方法需要将金属气化,耗电量大,生产成本高。CN201310301775.8公开了一种钠还原氟硅酸钠制备多晶硅的方法,该方法包括以下步骤:(1)提纯氟硅酸钠;(2)提纯金属钠;(3)进行还 ...
【技术保护点】
1.一种利用工业废料制备高纯纳米硅材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n1)前段反应:以工业固废氯化钠为原料,采用氯碱法制备氯气和氢氧化钠;/n2)第一中段反应:将步骤1)中制得的氢氧化钠在330-400℃下熔融电解,制得钠;/n3)第二中段反应:将步骤1)中制得的氯气与工业硅粉混合,进行碳热还原反应,得到四氯化硅;或对西门子法制备高纯硅工艺中副产的四氯化硅尾气进行净化,得到四氯化硅;/n4)后段反应:将步骤2)中制得的钠与步骤3)中制得的四氯化硅混合,并在330-400℃下反应,即制得纳米硅材料。/n
【技术特征摘要】
1.一种利用工业废料制备高纯纳米硅材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)前段反应:以工业固废氯化钠为原料,采用氯碱法制备氯气和氢氧化钠;
2)第一中段反应:将步骤1)中制得的氢氧化钠在330-400℃下熔融电解,制得钠;
3)第二中段反应:将步骤1)中制得的氯气与工业硅粉混合,进行碳热还原反应,得到四氯化硅;或对西门子法制备高纯硅工艺中副产的四氯化硅尾气进行净化,得到四氯化硅;
4)后段反应:将步骤2)中制得的钠与步骤3)中制得的四氯化硅混合,并在330-400℃下反应,即制得纳米硅材料。
2.根据权利要求1所述的一种利用工业废料制备高纯纳米硅材料的方法,其特征在于,步骤1)中,氯碱法制备氯气和氢氧化钠的过程具体为:以工业固废氯化钠的水溶液为阳极液,以盐酸为阴极液,以阳离子膜为隔膜,以惰性材料为电极,采用恒流或恒压方式在双极室电解槽中室温电解工业固废氯化钠的水溶液,其中,当采用恒流电解时,其电流为0.08-0.8A,电流密度为1-100mA/cm2;当采用恒压电解时,其电压为10-300V,电解时间均为10-60min。
3.根据权利要求2所述的一种利用工业废料制备高纯纳米硅材料的方法,其特征在于,所述的惰性材料为钛、金、铂、玻璃碳或石墨中的一种;
所述的工业固废氯化钠的水溶液中氯化钠的浓度为0.001-1mol/L,所述的盐酸中氯化氢的浓度为0.001-1mol/L,所述的阳离子膜为钠型磺酸型阳离子交换膜。
4.根据权利要求2所述的一种利用工业废料制备高纯纳米硅材料的方法,其特征在于,步骤1)中,采用结晶法从电解后的阳极液中分离得到氢氧化钠。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:张全生,闵凡奇,党国举,张绍乙,张绍凡,
申请(专利权)人:上海应用技术大学,
类型:发明
国别省市:上海;31
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