侧泵基于过渡金属硫族化合物吸收体的双波长调Q激光器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫化物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器，包括全反镜、半导体激光器、激光晶体、基于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体、部分反射镜。传统的可饱和吸收体带宽较窄，用一个传统的可饱和吸收体很难同时实现宽间隔双波长调Q激光输出。由于基于新型二维材料一过渡族金属硫化物的可饱和吸收体具有宽的可饱和吸收带宽，可实现1.34μm和0.9μm双波长调Q激光运转。

Dual wavelength Q-switched laser with side pump based on transition metal chalcogenide absorber

The utility model discloses a side pumped 1.34 \u03bc m and 0.9 \u03bc m dual wavelength Q-switched laser based on the transition metal sulfide as the saturable absorber, which comprises a total mirror, a semiconductor laser, a laser crystal, a saturable absorber based on the transition metal sulfide and a partial mirror. The traditional saturable absorber has a narrow bandwidth, so it is difficult to achieve the wide interval dual wavelength Q-switched laser output with a traditional saturable absorber at the same time. Because the saturable absorber based on the new two-dimensional material transition metal sulfide has wide saturable absorption bandwidth, it can realize the double wavelength Q-switched laser operation of 1.34 \u03bc m and 0.9 \u03bc M.

【技术实现步骤摘要】
侧泵基于过渡金属硫族化合物吸收体的双波长调Q激光器
本技术涉及一种双波长激光器，尤其涉及一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫族化合物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器。
技术介绍
双波长调Q激光器在光通信、生物医学、激光雷达、非线性光学等领域具有十分重要的应用价值。实现双波长调Q激光器的方法有主动调Q和被动调Q两种。主动调Q通常需要声光或电光调制器，使得激光器结构复杂，因而不易实现小型化。与主动方案相比，被动调Q具有更多优点，例如结构简单、稳定性好等优点，因此，双波长被动调Q激光器得到广泛研究和应用。半导体可饱和吸收镜是一种应用比较成熟的被动调Q元件，但是由于半导体可饱和吸收镜调制带宽较窄，难以覆盖波长相差较多的双波长激光，因此，用一个半导体可饱和吸收镜实现宽间隔双波长调Q激光器的研究受到了限制。
技术实现思路
为了解决传统被动调Q元件调制带宽较窄，用一个传统被动调Q元件不能获得宽间隔双波长调Q激光输出的问题，基于新型宽带可饱和吸收体的双波长激光输出的研究至关重要。新型二维材料-过渡族金属硫化物由于在电子和光电子方面具有优异的特性，比如宽带的饱和吸收、高非线性等，引起了物理、化学和材料领域研究人员的极大关注。而本技术采用一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫化物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器，由于新型可饱和吸收体-过渡族金属硫化物具有宽的吸收带宽，可实现1.34μm和0.9μm宽间隔双波长调Q激光运转。本技术提供一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫化物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器，包括全反镜(1)、半导体激光器(2)、激光晶体(3)、基于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体(4)、部分反射镜(5)。所述全反镜(1)镀有对1.34μm和0.9μm波长激光的高反膜。所述半导体激光器(2)的波长包括808nm和880nm，从激光晶体(3)的侧面对激光晶体(3)进行泵浦。所述激光晶体(3)包括但不限于不同Nd离子掺杂的Nd：YVO4晶体、Nd：GdVO4晶体、Nd：LuVO4晶体。所述基于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体(4)的制备方法包括但不限于机械剥离法、液相剥离法、气相沉积法以及脉冲激光沉积法。所述基于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体(4)可以表达为MX2，M包括但不限于Mo、W、Ta、V、Nb、Re、Ti，X为S、Se、Te，基于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体(4)具有宽的可饱和吸收带宽。所述部分反射镜(5)镀有对1.34μm和0.9μm波长激光的不同反射率的膜。本技术所提供一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫化物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器的主要优点和积极效果如下：过渡族金属硫化物的可饱和吸收体具有宽的可饱和吸收带宽，可成功实现1.34μm和0.9μm宽间隔双波长调Q激光运转。附图说明为进一步说明本技术的
技术实现思路
，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：图1为本技术的结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本技术进一步详细说明。请参阅图1所示，本技术提供一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫化物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器，包括：-全反镜(1)镀有对1.34μm和0.9μm波长激光的高反膜。-半导体激光器(2)的波长包括808nm和880nm，从激光晶体(3)的侧面对激光晶体(3)进行泵浦。-激光晶体(3)包括但不限于不同Nd离子掺杂的Nd：YVO4晶体、Nd：GdVO4晶体、Nd：LuVO4晶体，激光晶体(3)放置在半导体激光器(2)侧面泵浦的装置中，激光晶体(3)用水冷却。-基于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体(4)的制备方法包括但不限于机械剥离法、液相剥离法、气相沉积法以及脉冲激光沉积法。-基于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体(4)可以表达为MX2，M包括但不限于Mo、W、Ta、V、Nb、Re、Ti，X为S、Se、Te，基于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体(4)具有宽的可饱和吸收带宽，它紧靠部分反射镜(5)放置。-部分反射镜(5)镀有对1.34μm和0.9μm波长激光的不同反射率的膜。-全反镜(1)和部分反射镜(5)构成谐振腔，1.34μm和0.9μm波长的激光在谐振腔内有不同的增益和损耗。由于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体具有宽的可饱和吸收带宽，可实现1.34μm和0.9μm宽间隔双波长调Q激光运转。以上所述的具体实施例，对于本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不局限于本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫化物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器，其特征在于，包括全反镜(1)、半导体激光器(2)、激光晶体(3)、基于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体(4)、部分反射镜(5)。/n

【技术特征摘要】
1.一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫化物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器，其特征在于，包括全反镜(1)、半导体激光器(2)、激光晶体(3)、基于过渡族金属硫化物的可饱和吸收体(4)、部分反射镜(5)。


2.如权利要求1所述的一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫化物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器，其特征在于，所述全反镜(1)镀有对1.34μm和0.9μm波长激光的高反膜。


3.如权利要求1所述的一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫化物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器，其特征在于，所述半导体激光器(2)的波长包括808nm和880nm，从激光晶体(3)的侧面对激光晶体(3)进行泵浦。


4.如权利要求1所述的一种侧面泵浦的基于过渡族金属硫化物作为可饱和吸收体的1.34μm和0.9μm双波长调Q激光器，其特征在于，所述激光晶体(3)包括但不限于不同Nd离子掺杂的Nd：Y...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨亮，姜中元，
申请(专利权)人：华芯科技天津有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12