A design method of high power if power transformer includes: deriving the optimal diameter D of a single strand of square Leeds line
【技术实现步骤摘要】
一种大功率中频电力变压器设计方法
本专利技术属于中频变压器设计领域,具体涉及一种大功率中频电力变压器设计方法。
技术介绍
用于逆变器、开关电源等电力电子设备的低压小容量高频变压器的设计流程较为成熟,基于铁芯面积乘积公式法进行相关设计,计算出的是AP的最小值,所对应的铁芯尺寸也为最小值,因此从实用角度看至少应从铁芯产品手册中选择再大一号的铁芯。例如,一台反激式开关电源用高频变压器的设计实例,采用AP法选择铁芯时,计算得到的AP为0.48cm4,实际选择的铁芯规格的AP为0.91cm4。铁芯面积乘积公式还涉及到窗口利用系数,只能在设计之前按照经验估计,在设计过程中需要对该系数进行反复调整。由此可知,假如采用AP法设计大功率中频电力变压器,可能会导致铁芯尺寸不能达到最优尺寸。此外,AP法没有考虑变压器的绝缘要求。几何参数法(KG法)是一种在AP法基础上改进的方法,从满足一定电压调整率出发,同样存在AP法的缺陷。常规开关电源高频变压器容量较小,体积、重量、绝缘和温升问题并不突出。由于大功率中频电力变压器的频率、铁芯材料、绕组结构、绝缘、损耗和温升特性、电路拓扑和变压器参数配合等与开关电源高频变压器存在不同,传统的高频变压器设计方法不能直接应用于大功率中频电力变压器的优化设计。国外科研机构在电力电子变压器领域起步较早,在大功率中频电力变压器设计方面已取得一些成果。2006年美国电力科学研究院研制了一台20kVA的单相固态变压器。该PET采用IGBT的二极管箝位型三电平变流器,受目前IGBT耐压水平(≤6.5kV ...
【技术保护点】
1.一种大功率中频电力变压器设计方法,其特征在于包括以下步骤:/n步骤1:推导出方形利兹线的单股最优直径d
【技术特征摘要】
1.一种大功率中频电力变压器设计方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤1:推导出方形利兹线的单股最优直径dstr-opt和股数表达式k;
步骤2:推导出采用方形利兹导线的中频电力变压器的漏磁通道diso表达式,用于调整变压器的漏电感Lσ(pri);
步骤3:基于中频电力变压器匝间绝缘材料的高频方波特征击穿电压,提出中频电力变压器主绝缘尺寸和纵绝缘尺寸计算方法;
步骤4:推导出方波电压激励下铁芯高频损耗Pcore,方形利兹线高频损耗表达式PHV和PLV;
步骤5:根据固态变压器的系统参数,基于以上步骤1-4,建立非支配排序遗传算法的中频电力变压器计算机辅助优化设计方法。
2.根据权利要求1所述一种大功率中频电力变压器设计方法,其特征在于:所述步骤1中,初级、次级绕组方形利兹线的单股最优直径dstr-opt1和dstr-opt2,以及初级、次级绕组方形利兹线的股数表达式k1和k2为:
式中,dstr-opt1和dstr-opt2分别为初级、次级绕组方形利兹线的单股最优直径;η为填充率;Kw为波形因子;m1和m2为初级、次级绕组的层数;δw为集肤深度;Nw为变压器变比,Nw=N1/N2,N1和N2分别为初级、次级绕组的匝数;IT1为漏电感的电流的有效值;Jmax最大电流密度;
波形因子Kw的表达式为:
式中,In为第n次谐波电流的有效值;
集肤深度δw的表达式为:
式中,ρw为铜电阻率;σw为铜电导率,μ0为真空中磁导率,μ0=4π×10-7H/m;f为正弦交变电流的频率;
初级、次级绕组方形利兹线的股数k1和k2分别为:
3.根据权利要求1所述一种大功率中频电力变压器设计方法,其特征在于:所述步骤2中,采用方形利兹导线的中频电力变压器的漏磁通道diso表达式:
式中,H为铁芯窗口高度;MLT1为初级绕组的平均匝长;Nl1为初级绕组各层导线的匝数;Lσ(pri)为归算至初级侧的漏电感;dins1和dins2分别为初、次级绕组层间绝缘厚度;γ为复数形式的传播常数,diso为初、次级绕组之间隔离间距;df1和df2为扁铜线的厚度;
kp1、kp2、ks1和ks2的表达式如下:
kp1=sinh(2df1γ)-2df1γ;
kp2=sinh(2df2γ)-2df2γ;
ks1=df1γcosh(df1γ)-sinh(df1γ);
ks2=df2γcosh(df2γ)-sinh(df2γ);
对于方形利兹线,将m1和m2变换为:
将df1和df2变换为:
将df1/δ和df2/δ分别表示为Δ1和Δ2,将铜箔片绕组的归一化厚度Δ1和Δ2改为方形利兹线绕组的归一化厚度Δ1’和Δ2’,即可利用上述方法对方形利兹线绕组中频电力变压器的漏磁通道进行计算:
4.根据权利要求1所述一种大功率中频电力变压器设计方法,其特征在于:所述步骤3中,
主绝缘尺寸包括:高、低压绕组之间最小隔离间距diso-min,低压绕组与铁芯柱之间的最小间距dcf-min,高压绕组与上下铁轭之间最小间距dcl1-min,旁轭之间最小间距dcl2-min;
高、低压绕组之间最小隔离间距diso-min计算式如下:
式中,ksaf为安全系数;Eins为工频击穿场强;
低压绕组与铁芯柱之间的最小间距dcf-min计算式如下:
高压绕组与上下铁轭及旁轭之间最小间距dcl-min计算式如下:
纵绝缘尺寸包括:初、次级绕组匝间距离dt1和dt2、初、次级绕组层间距离dins1和dins2;
初、次级绕组匝间距离dt1和dt2计算式如下:
初、次级绕组层间距离dins1和dins2由下式计算得到:
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