The utility model discloses a wide input range and high common mode rejection ratio operational transconductance amplifier, which includes a bias circuit and the main circuit of the operational transconductance amplifier, the bias circuit provides a bias current for the main circuit of the operational transconductance amplifier; the utility model has the advantages that it can achieve better CMRR performance within a large range of input common mode voltage, while maintaining the input difference The stability of the split pair transconductance value and the constant bias current of the input stage tail current source can still be provided at a lower voltage drop.
【技术实现步骤摘要】
一种宽输入范围高共模抑制比运算跨导放大器
本技术属于模拟集成电路设计领域,尤其是涉及一种宽输入范围高共模抑制比运算跨导放大器。
技术介绍
运算跨导放大器是能够提供高跨导增益的放大单元,是CMOS集成电路中运算放大器的主要形式(CMOS集成电路中,运算放大器主要驱动容性负载)。两级结构是运算跨导放大器的主要选择,第一级为差分输入对,提供差分跨导并抑制共模跨导,输出电流利用其自身高输出阻抗特性转化成电压信号,驱动第二级跨导单元以提供进一步的跨导增益。这种结构在提供环路增益方面具有很高的功耗效率。CMOS运算跨导放大器有两个输入端,均为MOS管栅极,输出端为MOS管漏极,因此具有高输入阻抗-高输出阻抗的特点。输入级为一个源极耦合差分对结构,由于尾电流源的高输出阻抗特性,运算跨导放大器对输入共模变化不敏感,即具有高共模抑制比(CMRR)特点。即:运算跨导放大器输入级尾电流源的输出阻抗越大,运算跨导放大器的共模抑制性能越好。传统尾电流源是一个工作在饱和区的MOS管,漏极为电流输出端,其高输出阻抗主要是通过较大的漏源电压(即电流源压降)和MOS管较长的沟道长度保证的。随着CMOS工艺走进超深亚微米阶段,即便选取长沟道长度,MOS管的输出阻抗也严重退化。同时,电源电压已降至1.2V甚至更低,电压裕度对于模拟电路来说十分紧张,能够分配给尾电流源的压降更小了,进一步恶化了MOS管作为基本尾电流源时输出阻抗不足的问题。现有技术的缺点如下:(1)运算跨导放大器应用在反相比例放大拓扑中时,输入端是虚地 ...
【技术保护点】
1.一种宽输入范围高共模抑制比运算跨导放大器,其特征在于,包括偏置电路和运算跨导放大器主体电路,所述偏置电路为运算跨导放大器主体电路提供偏置电流;/n所述偏置电路包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、参考电流源I
【技术特征摘要】
1.一种宽输入范围高共模抑制比运算跨导放大器,其特征在于,包括偏置电路和运算跨导放大器主体电路,所述偏置电路为运算跨导放大器主体电路提供偏置电流;
所述偏置电路包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、参考电流源IREF、电阻R1和电压源VDD;
所述第一NMOS管N1的漏极连接到第七NMOS管N7的源极,所述第二NMOS管N2的漏极连接到第八NMOS管N8的源极,所述第三NMOS管N3的漏极连接到第九NMOS管N9的源极;所述第一NMOS管N1的栅极分别连接到第二NMOS管N2的栅极、第三NMOS管N3的栅极和第七NMOS管N7的漏极;所述第七NMOS管N7的漏极连接到电阻R1的一端,所述电阻R1的另一端分别连接到所述第七NMOS管N7的栅极、第八NMOS管N8的栅极、第九NMOS管N9的栅极、参考电流源IREF的一端,且所述参考电流源IREF的另一端分别连接到第一PMOS管P1的源极、第二PMOS管P2的源极和电压源VDD;所述第八NMOS管N8的漏极分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第五PMOS管P5的漏极,所述第九NMOS管N9的漏极分别连接到第五PMOS管P5的栅极、第六PMOS管P6的栅极和漏极;所述第一PMOS管P1的漏极连接到第五PMOS管P5的源极,第二PMOS管P2的漏极连接到第六PMOS管P6的源极,同时所述第一NMOS管N1、所述第二NMOS管N2、所述第三NMOS管N3的源极均接地;
所述运算跨导放大器主体电路包括第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第十NMOS管N10、第十一NMOS管N11、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第九PMOS管P9、第十PMOS管P10、第十一PMOS...
【专利技术属性】
技术研发人员:白春风,朱瑞凯,沈星月,赵鹤鸣,乔东海,
申请(专利权)人:苏州大学,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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