一种硅片去氧化层装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种硅片去氧化层装置，包括酸洗池、放置架、吹气管、加热管和温控器，所述放置架可拆卸的设置在所述酸洗池的底部；所述吹气管的下端设置有出气孔，所述出气孔设置于所述酸洗池的底部；所述加热管设于所述酸洗池内，且所述加热管通过设置于所述酸洗池上的温控器连接并控制其加热温度。本实用新型专利技术通过吹气管向酸洗池中不断通入氮气或者惰性气体，使其在酸液中形成气泡，在浮力的作用下，气泡将氧化层与酸液反应后的产物不断带离硅片表面，从而使位置较深的氧化层裸露出来，继续与酸液反应，同时对酸液进行加热，也加快了氧化层与酸液的反应速度，以此达到快速的去除氧化层的效果。

A device for removing oxide layer on silicon wafer

The utility model discloses a silicon chip deoxidizing layer device, which comprises an acid pickling pool, a placing frame, a gas blowing pipe, a heating pipe and a temperature controller. The placing frame is detachable and arranged at the bottom of the acid pickling pool; the lower end of the gas blowing pipe is provided with an air outlet, and the air outlet is arranged at the bottom of the acid pickling pool; the heating pipe is arranged in the acid pickling pool, and the heating pipe passes through The temperature controller arranged on the pickling tank is connected and the heating temperature is controlled. The utility model continuously injects nitrogen or inert gas into the pickling tank through the blowing gas pipe to form bubbles in the acid solution. Under the action of buoyancy, the bubbles continuously take the products after the reaction between the oxide layer and the acid solution away from the surface of the silicon wafer, so that the deeper oxide layer is exposed and continues to react with the acid solution. At the same time, the acid solution is heated and the oxidation layer and the acid solution are accelerated Reaction speed, so as to achieve rapid removal of oxide layer effect.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片去氧化层装置
本技术属于硅片表面处理设备领域，具体地说，涉及一种硅片去氧化层装置。
技术介绍
二极管，是电子元件中，一种具有两个电极的装置，最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压)，反向时阻断(称为逆向偏压)。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅。在现有二极管的生产工艺中，对硅片表面的氧化层进行去除时，通常将需要处理的硅片放入到酸洗池中，现有技术一般采用人工晃动使硅片反应充分，或者将硅片静置在酸洗池中进行去除氧化层的操作。这种处理方法容易导致硅片表面氧化层与酸液反接触不充分，致使反应得不彻底，最终导致氧化层部分残留在硅片表面，从而影响硅片的质量。
技术实现思路
针对上述不足，本技术的目的在于，提供一种硅片去氧化层装置，通过设置于酸洗池内的吹气管进行吹气形成气泡使溶液翻滚，将氧化层与酸液反应后的产物不断带离硅片氧化层的表面，从而使位置较深的氧化层裸露出来，继续与酸液反应，进而达到彻底去除硅片表面氧化层的效果。为实现上述目的，本技术所提供的技术方案是：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片去氧化层装置，其特征在于：包括酸洗池(1)、放置架(2)、吹气管(3)、加热管(4)和温控器(5)，所述放置架(2)可拆卸的设置在所述酸洗池(1)的底部；所述吹气管(3)的下端设置有出气孔(32)，所述出气孔(32)设置于所述酸洗池(1)的底部；所述加热管(4)设于所述酸洗池(1)内，且所述加热管(4)通过设置于所述酸洗池(1)上的温控器(5)连接并控制其加热温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片去氧化层装置，其特征在于：包括酸洗池(1)、放置架(2)、吹气管(3)、加热管(4)和温控器(5)，所述放置架(2)可拆卸的设置在所述酸洗池(1)的底部；所述吹气管(3)的下端设置有出气孔(32)，所述出气孔(32)设置于所述酸洗池(1)的底部；所述加热管(4)设于所述酸洗池(1)内，且所述加热管(4)通过设置于所述酸洗池(1)上的温控器(5)连接并控制其加热温度。


2.如权利要求1所述的一种硅片去氧化层装置，其特征在于：所述放置架(2)包括底板(21)、侧板(22)、安装套(23)和挂钩部(24)，所述底板(21)上开设有若干条状结构的沟槽(25)，所述底板(21)四周向上延伸设有所述侧板(22)；所述安装套(23)设置在所述侧板(22)上，所述安装套(23)呈中空状；所述侧板(22)两侧向上延伸形成挂钩部(24)，所述放置架(2)挂设于所述酸洗池(1)内，且所述挂钩部(24)固定于所述酸洗池(1)的上侧缘，所述底板(21)与所述酸洗池(1)底部之间形成间隔空间(34)。


3.如权利要求1所述的一种硅片去氧化层装置，其特征在于：所述放置架(2)包括底板(21)、侧板(22)、安装套(23)和挂钩部(24)，所述底板(21)上开设有网状结构(26)，所述底板(21)四周向上延伸设有所述侧板(22)；所述安装套(23)设置在所述侧板(22)上，所述安装套(23)呈中空状；所述侧板(22)两侧向上延伸形成挂钩部(24)，所述放置架(2)挂设于所述酸洗池(...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱亚文，马勤明，
申请(专利权)人：重庆长捷电子有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50