一种存储芯片安装的检测方法及装置制造方法及图纸

本申请提供了一种存储芯片安装的检测方法及装置，当存储芯片上电时，电流监控芯片获取存储芯片供电端的输出电流，将输出电流转换为第一电平信号，并将第一电平信号发送给滞回比较器。滞回比较器将第一电平信号的电压值分别与预设第一阈值和预设第二阈值进行比较，将比较得到的第二电平信号发送给处理芯片。其中，预设第一阈值小于预设第二阈值，第二电平信号包括高电平信号或低电平信号。处理芯片依据第二电平信号确定存储芯片的安装情况。在本申请中，在存储芯片上电时，利用电流监控芯片和滞回比较器判断存储芯片输出电流是否异常，若输出电流异常，确定存储芯片安装错误，从而掌握存储芯片的安装情况，避免存储芯片因安装错误而意外受损。

A test method and device for memory chip installation

The application provides a detection method and device for the installation of a memory chip. When the memory chip is powered on, the current monitoring chip acquires the output current of the power supply end of the memory chip, converts the output current into a first level signal, and transmits the first level signal to the hysteresis comparator. The hysteresis comparator compares the voltage value of the first level signal with the preset first threshold value and the preset second threshold value, and sends the compared second level signal to the processing chip. Wherein, the preset first threshold is less than the preset second threshold, and the second level signal includes a high level signal or a low level signal. The processing chip determines the installation of the memory chip according to the second level signal. In the present application, when the memory chip is powered on, the current monitoring chip and hysteresis comparator are used to determine whether the output current of the memory chip is abnormal. If the output current is abnormal, the memory chip installation error is determined, so as to grasp the installation condition of the memory chip and avoid accidental damage of the memory chip due to the installation error.

【技术实现步骤摘要】
一种存储芯片安装的检测方法及装置
本申请涉及电子电路
，尤其涉及一种存储芯片安装的检测方法及装置。
技术介绍
在服务器的生产研发过程中，需要对服务器中的flash存储芯片进行检测调试。在对存储芯片进行检测调试时，需将存储芯片安装在存储芯片底座上，由于存储芯片的引脚是双列对称分布的，调试人员可能会将存储芯片颠倒安装在存储芯片底座上，致使存储芯片安装错误。存储芯片安装错误，会导致存储芯片工作异常，影响服务器的使用。若不及时发现存储芯片安装错误，存储芯片会因异常工作而发热烧毁。因此，亟需一种存储芯片安装的检测方法，用于检测存储芯片的安装情况，避免存储芯片因安装错误而意外受损。
技术实现思路
本申请提供了一种存储芯片安装的检测方法及装置，目的在于解决因无法及时发现存储芯片安装错误，导致存储芯片意外受损的问题。为了实现上述目的，本申请提供了以下技术方案：本申请实施例第一方面公开了一种存储芯片安装的检测装置，所述存储芯片安装的检测装置包括：电流监控芯片，滞回比较器和处理芯片；所述电流监控芯片的输入端与存储芯片供电端相连，输出端与滞回比较器的输入端相连，当所述存储芯片上电时，所述电流监控芯片获取所述存储芯片供电端的输出电流，将所述输出电流转换为第一电平信号，并将所述第一电平信号发送给所述滞回比较器；所述滞回比较器的输出端与所述处理芯片相连，所述滞回比较器将所述第一电平信号的电压值分别与预设第一阈值和预设第二阈值进行比较，将比较得到的第二电平信号发送给所述处理芯片，使得所述处理芯片依据所述第二电平信号确定所述存储芯片的安装情况，其中，所述预设第一阈值小于所述预设第二阈值，所述第二电平信号包括高电平信号或低电平信号。可选的，在上述存储芯片安装的检测装置中，所述滞回比较器，将所述第一电平信号的电压值分别与预设第一阈值和预设第二阈值进行比较，若所述第一电平信号的电压值大于所述预设第一阈值且小于所述预设第二阈值，则向所述处理芯片发送所述高电平信号。可选的，在上述存储芯片安装的检测装置中，所述滞回比较器，将所述第一电平信号的电压值分别与预设第一阈值和预设第二阈值进行比较，若所述第一电平信号的电压值小于所述预设第一阈值和/或大于所述预设第二阈值，则向所述处理芯片发送低电平信号。可选的，在上述存储芯片安装的检测装置中，所述处理芯片依据所述第二电平信号确定所述存储芯片的安装情况，若所述第二电平信号为高电平信号，则确定所述存储芯片安装正确。可选的，在上述存储芯片安装的检测装置中，所述处理芯片依据所述第二电平信号确定所述存储芯片的安装情况，若所述第二电平信号为低电平信号，则确定所述存储芯片安装错误。可选的，在上述存储芯片安装的检测装置中，所述处理芯片还用于：在确定所述存储芯片安装错误的情况下，所述处理芯片向电源发送关闭指令，使得所述电源依据所述关闭指令停止为所述存储芯片供电。可选的，在上述存储芯片安装的检测装置中，所述处理芯片还用于：在确定所述存储芯片安装错误的情况下，向预设指示灯发送启动指令，使得所述预设指示灯依据所述启动指令亮起。可选的，在上述存储芯片安装的检测装置中，所述处理芯片还用于：在确定所述存储芯片安装错误的情况下，向预设蜂鸣器发送启动指令，使得所述预设蜂鸣器依据所述启动指令响起。本申请实施例第二方面公开了一种存储芯片安装的检测方法，所述存储芯片安装的检测方法应用于存储芯片安装的检测装置，所述装置包括电流监控芯片、滞回比较器和处理芯片，所述方法包括：当存储芯片上电时，所述电流监控芯片获取所述存储芯片供电端的输出电流，将所述输出电流转换为第一电平信号，并将所述第一电平信号发送给所述滞回比较器；所述滞回比较器将所述第一电平信号的电压值分别与预设第一阈值和预设第二阈值进行比较，将比较得到的第二电平信号发送给所述处理芯片，其中，所述预设第一阈值小于所述预设第二阈值，所述第二电平信号包括高电平信号或低电平信号；所述处理芯片依据所述第二电平信号确定所述存储芯片的安装情况。本申请提供了一种存储芯片安装的检测方法及装置，当存储芯片上电时，电流监控芯片获取存储芯片供电端的输出电流，将输出电流转换为第一电平信号，并将第一电平信号发送给滞回比较器。滞回比较器将第一电平信号的电压值分别与预设第一阈值和预设第二阈值进行比较，将比较得到的第二电平信号发送给处理芯片。其中，预设第一阈值小于预设第二阈值，第二电平信号包括高电平信号或低电平信号。处理芯片依据第二电平信号确定存储芯片的安装情况。可见本申请，在存储芯片上电时，利用电流监控芯片和滞回比较器判断存储芯片输出电流是否异常，若输出电流异常，则确定存储芯片安装错误，从而能够及时掌握存储芯片的安装情况，避免存储芯片因安装错误而意外受损。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种存储芯片安装的检测装置的结构示意图；图2a为本申请实施例提供的一种电流监控芯片的电路结构示意图；图2b为本申请实施例提供的一种滞回比较器电路的结构示意图；图2c为本申请实施例提供的一种滞回比较器的波形图；图3为本申请实施例提供的一种存储芯片安装的检测方法的示意图；图4为本申请实施例提供的另一种存储芯片安装的检测方法的示意图；图5为本申请实施例提供的另一种存储芯片安装的检测方法的示意图；图6为本申请实施例提供的另一种存储芯片安装的检测方法的示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。如图1所示，为本申请实施例提供的一种存储芯片安装的检测装置的结构示意图，该装置包括：电流监控芯片100，滞回比较器200和处理芯片300。其中，电流监控芯片100的输入端与存储芯片供电端相连，输出端与滞回比较器200的输入端相连。当存储芯片上电时，电流监控芯片100获取存储芯片供电端的输出电流，将输出电流转换为第一电平信号，并将第一电平信号发送给滞回比较器200。需要说明的是，存储芯片用来存储固件和配置文件，当服务器的主控芯片初始化时，主控芯片会读取存储芯片存储的固件和配置文件直至初始化结束。在主控芯片初始化过程中，存储芯片供电端为存储芯片提供工作电压。当存储芯片上电时，存储芯片供电端的输出电流会发生变化，第一电平信号的电压值也会相应的发生变化。换而言之，存储芯片供电端的输出电流的电流值增大，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储芯片安装的检测装置，其特征在于，包括：/n电流监控芯片，滞回比较器和处理芯片；/n所述电流监控芯片的输入端与存储芯片供电端相连，输出端与滞回比较器的输入端相连，当所述存储芯片上电时，所述电流监控芯片获取所述存储芯片供电端的输出电流，将所述输出电流转换为第一电平信号，并将所述第一电平信号发送给所述滞回比较器；/n所述滞回比较器的输出端与所述处理芯片相连，所述滞回比较器将所述第一电平信号的电压值分别与预设第一阈值和预设第二阈值进行比较，将比较得到的第二电平信号发送给所述处理芯片，使得所述处理芯片依据所述第二电平信号确定所述存储芯片的安装情况，其中，所述预设第一阈值小于所述预设第二阈值，所述第二电平信号包括高电平信号或低电平信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储芯片安装的检测装置，其特征在于，包括：
电流监控芯片，滞回比较器和处理芯片；
所述电流监控芯片的输入端与存储芯片供电端相连，输出端与滞回比较器的输入端相连，当所述存储芯片上电时，所述电流监控芯片获取所述存储芯片供电端的输出电流，将所述输出电流转换为第一电平信号，并将所述第一电平信号发送给所述滞回比较器；
所述滞回比较器的输出端与所述处理芯片相连，所述滞回比较器将所述第一电平信号的电压值分别与预设第一阈值和预设第二阈值进行比较，将比较得到的第二电平信号发送给所述处理芯片，使得所述处理芯片依据所述第二电平信号确定所述存储芯片的安装情况，其中，所述预设第一阈值小于所述预设第二阈值，所述第二电平信号包括高电平信号或低电平信号。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述滞回比较器，将所述第一电平信号的电压值分别与预设第一阈值和预设第二阈值进行比较，若所述第一电平信号的电压值大于所述预设第一阈值且小于所述预设第二阈值，则向所述处理芯片发送所述高电平信号。


3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述滞回比较器，将所述第一电平信号的电压值分别与预设第一阈值和预设第二阈值进行比较，若所述第一电平信号的电压值小于所述预设第一阈值和/或大于所述预设第二阈值，则向所述处理芯片发送低电平信号。


4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理芯片依据所述第二电平信号确定所述存储芯片的安装情况，若所述第二电平信号为高电平信号，则确定所述存储芯片安装正确。

【专利技术属性】
技术研发人员：胡广建，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32