一种双沟结构的脊上开孔方法技术

本发明专利技术涉及一种双沟结构的脊上开孔方法，包括如下步骤：在具有双沟的晶元上生长二氧化硅钝化层；匀胶负性光刻胶两次，进行前烘；准备好所需光刻版，将晶元对位曝光；将曝光后的晶元进行曝光后烘；将晶元泛曝光，进行显影；在显微镜下检验合格后，后烘；匀胶负性光刻胶一次，进行前烘；准备好所需光刻版，且晶元对位曝光预设时间；将曝光后的晶元进行曝光后烘；将晶元泛曝光，进行显影；在显微镜下检验合格后，后烘；将后烘后的晶元送到RIE刻蚀机进行刻蚀；将刻蚀后的晶元进行去胶清洗。本发明专利技术采用两次负胶反转光刻工艺和一次RIE刻蚀结合，减小对位难度并且能够有效保护台面边缘的二氧化硅钝化层，使得台面开孔区域形貌优良，便于电流注入。

A method of opening holes on ridge with double groove structure

The invention relates to a method for opening a hole on a ridge with a double groove structure, which comprises the following steps: growing a silica passivation layer on a crystal element with a double groove structure; evenly sizing negative photoresist twice for pre baking; preparing the required photolithography plate and exposing the crystal element in the opposite position; baking the exposed crystal element after exposure; pan exposing the crystal element for development; baking after passing the inspection under the microscope ; one time for uniform negative photoresist, pre drying; prepare the required photolithography plate, and preset the time for wafer to position exposure; bake the exposed wafer after exposure; pan expose the wafer for development; bake after passing the inspection under the microscope; send the baked wafer to the RIE etching machine for etching; clean the etched wafer after degumming. The invention adopts the combination of two negative glue reverse lithography processes and one RIE etching to reduce the alignment difficulty and effectively protect the silica passivation layer at the edge of the mesa, so that the mesa opening area has excellent morphology and is convenient for current injection.

【技术实现步骤摘要】
一种双沟结构的脊上开孔方法
：本专利技术涉及一种双沟结构的脊上开孔方法。
技术介绍
：目前，脊上开孔采用的光刻方式为正胶一次光刻，这种开孔的方式光刻版透光部分比较小，视野比较小，不利于对位曝光并且由于双沟腐蚀深度比较深，在台面边缘的光刻胶会往双沟里面填充，导致边缘胶厚不够，二氧化硅钝化层被刻蚀，不能有效的起到钝化作用。
技术实现思路
：本专利技术针对上述现有技术存在的问题做出改进，即本专利技术所要解决的技术问题是提供一种双沟结构的脊上开孔方法，设计合理，克服现有的工艺导致的台面边缘胶层过薄的问题。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种可拆卸型梳线碟，包括如下步骤：步骤S1：在具有双沟形貌结构的晶元上生长二氧化硅钝化层；步骤S2：在二氧化硅钝化层上匀胶负性光刻胶两次，进行前烘；步骤S3：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S2中前烘后的晶元对位曝光预设时间；步骤S4：将步骤S3中对位曝光后的晶元进行曝光后烘预设时间；步骤S5：将步骤S4中曝光后烘后的晶元泛曝光预设时间，然后进行显影；步骤S6：将步骤S5中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘预设时间；步骤S7：将步骤S6中后烘后的晶元匀胶负性光刻胶一次，进行前烘；步骤S8：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S7中前烘后的晶元对位曝光预设时间；步骤S9：将步骤S8中对位曝光后的晶元进行曝光后烘预设时间；步骤S10：将步骤S9中曝光后烘后的晶元泛曝光预设时间，然后进行显影；步骤S11：将步骤S10中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘预设时间；步骤S12：将步骤S11中后烘后的晶元送到RIE刻蚀机进行刻蚀；步骤S13：将刻蚀后的晶元进行去胶清洗。进一步的，在步骤S1中，二氧化硅钝化层的厚度为4000A。进一步的，在步骤S3和步骤S8中，对位曝光的时间为3s。进一步的，在步骤S4和步骤S9中，曝光后烘的时间为60s。进一步的，在步骤S5和S10中，泛曝光的时间为60s。进一步的，在步骤S6和步骤S11中，后烘时间为5min。进一步的，在步骤S12中，通入四氟化碳气体进行刻蚀，将电流注入区域制备出来。进一步的，在步骤S2和步骤S7中，负性光刻胶采用AZ5214。与现有技术相比，本专利技术具有以下效果：本专利技术采用两次负胶反转光刻工艺和一次RIE刻蚀工艺相结合，可减小对位难度并且能够有效保护台面边缘的二氧化硅钝化层，使得台面开孔区域形貌优良，便于电流注入。附图说明：图1是本专利技术实施例中生长二氧化硅钝化层后的构造示意图；图2是本专利技术实施例中两次光刻后的构造示意图；图3是本专利技术实施例中RIE刻蚀后的构造示意图；图4是本专利技术实施例中去胶清洗后的构造示意图；图5是本专利技术实施例中去胶清洗后的俯视图。图中：1-晶元；2-二氧化硅钝化层；3-双沟结构；4-负性光刻胶；5-台面边缘；6-开孔区域。具体实施方式:下面结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步详细的说明。如图1～5所示，本专利技术一种双沟结构的脊上开孔方法，在具有双沟形貌的晶元上，先进行两次光刻，然后用RIE刻蚀，刻蚀出光刻开孔区域，再经过去胶清洗形成了图5所示的形貌，具体包括如下步骤：步骤S1：在具有双沟形貌结构的晶元上生长厚度为4000A的二氧化硅钝化层，如图1所示；步骤S2：在二氧化硅钝化层上匀胶负性光刻胶两次，进行前烘；步骤S3：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S2中前烘后的晶元对位曝光3s；步骤S4：将步骤S3中对位曝光后的晶元进行曝光后烘60s；步骤S5：将步骤S4中曝光后烘后的晶元泛曝光60s，然后进行显影；步骤S6：将步骤S5中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘5min；步骤S7：将步骤S6中后烘后的晶元匀胶负性光刻胶一次，进行前烘，如图2所示；步骤S8：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S7中前烘后的晶元对位曝光3s；步骤S9：将步骤S8中对位曝光后的晶元进行曝光后烘60s；步骤S10：将步骤S9中曝光后烘后的晶元泛曝光60s，然后进行显影；步骤S11：将步骤S10中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘5min；步骤S12：将步骤S11中后烘后的晶元送到RIE刻蚀机，通入四氟化碳气体进行刻蚀，将电流注入区域制备出来，如图3所示；步骤S13：将刻蚀后的晶元进行去胶清洗，如图4所示。本实施例中，在步骤S2和步骤S7中，负性光刻胶采用AZ5214。本专利技术采用两次负胶反转光刻工艺和一次RIE刻蚀工艺，第一次光刻匀胶AZ5214(负胶）两次，进行对位曝光、PEB、泛曝光、显影和后烘。第二次光刻在第一次的基础上，匀胶AZ5214一次，进行对位曝光、PEB、泛曝光、显影和后烘。一次RIE刻蚀，通过通入四氟化碳气体对二氧化硅钝化层开孔部分进行刻蚀，将电流注入区域制备出来。这种两次光刻工艺方法克服现有的工艺导致的台面边缘胶层过薄，并且常规的一次正胶光刻，透光部分太小不利于对位曝光的问题，能够有效的提高台面边缘的胶厚，并且反转工艺采用的光刻版透光部分大，只有开孔处的几微米部分不透光，容易观察晶片表面状况以及实现对位操作本专利技术的优点在于：既使得增大了对位透光区，减小对位难度，又加厚了台面边缘胶厚，使其满足刻蚀需求，制备出的开孔区域形貌优良，便于电流注入。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，凡依本专利技术申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利技术的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：包括如下步骤：/n步骤S1：在具有双沟形貌结构的晶元上生长二氧化硅钝化层；/n步骤S2：在二氧化硅钝化层上匀胶负性光刻胶两次，进行前烘；/n步骤S3：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S2中前烘后的晶元对位曝光预设时间；/n步骤S4：将步骤S3中对位曝光后的晶元进行曝光后烘预设时间；/n步骤S5：将步骤S4中曝光后烘后的晶元泛曝光预设时间，然后进行显影；/n步骤S6：将步骤S5中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘预设时间；/n步骤S7：将步骤S6中后烘后的晶元匀胶负性光刻胶一次，进行前烘；/n步骤S8：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S7中前烘后的晶元对位曝光预设时间；/n步骤S9：将步骤S8中对位曝光后的晶元进行曝光后烘预设时间；/n步骤S10：将步骤S9中曝光后烘后的晶元泛曝光预设时间，然后进行显影；/n步骤S11：将步骤S10中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘预设时间；/n步骤S12：将步骤S11中后烘后的晶元送到RIE刻蚀机进行刻蚀；/n步骤S13：将刻蚀后的晶元进行去胶清洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤S1：在具有双沟形貌结构的晶元上生长二氧化硅钝化层；
步骤S2：在二氧化硅钝化层上匀胶负性光刻胶两次，进行前烘；
步骤S3：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S2中前烘后的晶元对位曝光预设时间；
步骤S4：将步骤S3中对位曝光后的晶元进行曝光后烘预设时间；
步骤S5：将步骤S4中曝光后烘后的晶元泛曝光预设时间，然后进行显影；
步骤S6：将步骤S5中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘预设时间；
步骤S7：将步骤S6中后烘后的晶元匀胶负性光刻胶一次，进行前烘；
步骤S8：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S7中前烘后的晶元对位曝光预设时间；
步骤S9：将步骤S8中对位曝光后的晶元进行曝光后烘预设时间；
步骤S10：将步骤S9中曝光后烘后的晶元泛曝光预设时间，然后进行显影；
步骤S11：将步骤S10中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘预设时间；
步骤S12：将步骤S11中后烘后的晶元送到RIE刻蚀机进行刻蚀；
步骤S13：将刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓仁亮，欧祥勇，薛正群，李敬波，杨重英，吴林福生，高家敏，郭智勇，苏辉，
申请(专利权)人：福州中科光芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35