自倍频激光发生装置及激光器制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种自倍频激光发生装置及激光器，涉及激光器技术领域，所述自倍频激光发生装置，所述自倍频激光发生装置包括：依次设置的泵浦激光源、耦合单元、自倍频晶体和基频光反射结构；所述泵浦激光源发出的泵浦光能够经过所述耦合单元后照射在所述自倍频晶体的入光面上，所述自倍频晶体用于将所述泵浦光转变为基频光；所述自倍频晶体的入光面和所述基频光反射结构之间形成谐振腔，所述谐振腔用于将基频光改变为倍频光；所述自倍频晶体和所述基频光反射结构之间设置有线宽压窄单元，所述线宽压窄单元用于将通过所述线宽压窄单元的激光压窄。

Self frequency doubled laser generator and laser

The utility model provides a self frequency doubling laser generating device and a laser, relating to the technical field of laser, the self frequency doubling laser generating device, the self frequency doubling laser generating device includes: successively arranged pump laser source, coupling unit, self frequency doubling crystal and basic frequency light reflection structure; the pump light emitted by the pump laser source can be irradiated after passing through the coupling unit On the light input surface of the self frequency doubling crystal, the self frequency doubling crystal is used to transform the pump light into the basic frequency light; a resonant cavity is formed between the light input surface of the self frequency doubling crystal and the reflection structure of the basic frequency light, and the resonant cavity is used to change the basic frequency light into the frequency doubling light; a wired wide compression narrow unit is arranged between the self frequency doubling crystal and the reflection structure of the basic frequency light, and the linewidth is The narrowing unit is used to narrow the laser beam passing through the linewidth narrowing unit.

【技术实现步骤摘要】
自倍频激光发生装置及激光器
本技术涉及激光器
，尤其是涉及一种自倍频激光发生装置及激光器。
技术介绍
近年来，非线性光学材料领域的自倍频晶体成为人们研究的热点之一，自倍频晶体将激光功能和非线性功能集于一身，这样激光器结构能进一步紧凑，有利于其向小型化方向发展。使其更容易渗透到军事、工业、医学和科研等其他各个领域。例如蓝绿激光器在高密度光学信息处理、彩色复印、激光打印、水下通讯以及海底资源探测等方面都有广泛的应用。但是现有的自倍频晶体激光器输出激光的谱线宽度已经不能满足更高技术层次领域的要求了，限制了其应用的领域，现亟需一种输出光谱更窄的自倍频激光器。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种自倍频激光发生装置及激光器，以缓解了现有的自倍频晶体激光器输出光谱较宽，限制其应用领域的技术问题。第一方面，本技术实施例提供的一种自倍频激光发生装置，所述自倍频激光发生装置包括：依次设置的泵浦激光源、耦合单元、自倍频晶体和基频光反射结构；所述泵浦激光源发出的泵浦光能够经过所述耦合单元后照射在所述自倍频晶体的入光面上，所述自倍频晶体用于将所述泵浦光转变为基频光；所述自倍频晶体的入光面和所述基频光反射结构之间形成谐振腔，所述谐振腔用于将基频光改变为倍频光；所述自倍频晶体和所述基频光反射结构之间设置有线宽压窄单元，所述线宽压窄单元用于将通过所述线宽压窄单元的激光压窄。进一步的，所述自倍频晶体的入光面镀有第一滤光膜，所述第一滤光膜能够透射泵浦光，且反射基频光和倍频光；所述自倍频晶体的出光面上镀有第二滤光膜，所述第二滤光膜能够透射基频光和倍频光。进一步的，所述线宽压窄单元为透射式光栅，由所述自倍频晶体出射面射出的光经过所述透射式光栅能够被所述透射式光栅分成出射方向不同的基频光束和倍频光束；所述基频光反射结构位于所述基频光束的路径上。进一步的，所述基频光反射结构为反射式光栅。进一步的，所述透射式光栅和反射式光栅分别为透射式体布拉格光栅和反射式体布拉格光栅。进一步的，所述自倍频晶体按照倍频转换效率最高的方向被切割。进一步的，所述耦合单元包括耦合镜片。进一步的，所述线宽压窄单元为双折射滤光片，所述自倍频激光发生装置包括腔镜，所述腔镜位于所述双折射滤光片的出光面一侧；所述腔镜朝向所述双折射滤光片出光面的一面上镀有第三滤光膜，所述第三滤光膜能够将从所述双折射滤光片射出的基频光反射并回到所述自倍频晶体，且能够允许倍频光穿过所述第三滤光膜。进一步的，所述泵浦激光源为激光二极管。第二方面，本技术实施例提供的一种激光器，包括上述的自倍频激光发生装置。本技术实施例提供的一种自倍频激光发生装置，所述自倍频激光发生装置包括：依次设置的泵浦激光源、耦合单元、自倍频晶体和基频光反射结构；所述泵浦激光源发出的泵浦光能够经过所述耦合单元后照射在所述自倍频晶体的入光面上，所述自倍频晶体用于将所述泵浦光转变为基频光；所述自倍频晶体的入光面和所述基频光反射结构之间形成谐振腔，所述谐振腔用于将基频光改变为倍频光；所述自倍频晶体和所述基频光反射结构之间设置有线宽压窄单元，所述线宽压窄单元用于将通过所述线宽压窄单元的激光压窄。由泵浦激光器发出的泵浦光首先照射到耦合单元上，经过耦合单元的耦合汇聚作用，泵浦光再照射到自倍频晶体的入射面上，经过自倍频晶体后，泵浦光可以转变为基频光，然后从自倍频晶体射出，射出的基频光在自倍频晶体和基频光反射结构之间形成的谐振腔内来回振荡，进而形成了倍频光。并且，倍频光经过线宽压窄单元的作用下，倍频光的线宽被压窄变窄，从而获得了窄线宽的倍频光，拓宽了自倍频激光发生装置的使用范围。本技术实施例提供的一种激光器，包括上述的自倍频激光发生装置。因为本技术实施例提供的激光器引用了上述的自倍频激光发生装置，所以，本技术实施例提供的激光器也具备自倍频激光发生装置的优点。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例1提供的自倍频激光发生装置的原理图；图2为本技术实施例2提供的自倍频激光发生装置的原理图。图标：100－泵浦激光源；200－耦合单元；300－自倍频晶体；400－透射式光栅；500－反射式光栅；600－双折射滤光片；700－腔镜；810－泵浦光；820－基频光；830－倍频光。具体实施方式下面将结合实施例对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1如图1所示，本技术实施例提供的自倍频激光发生装置，所述自倍频激光发生装置包括：依次设置的泵浦激光源100、耦合单元200、自倍频晶体300和基频光820反射结构；所述泵浦激光源100发出的泵浦光810能够经过所述耦合单元200后照射在所述自倍频晶体300的入光面上，所述自倍频晶体300用于将所述泵浦光810转变为基频光820；所述自倍频晶体300的入光面和所述基频光820反射结构之间形成谐振腔，所述谐振腔用于将基频光820改变为倍频光830；所述自倍频晶体300和所述基频光820反射结构之间设置有线宽压窄单元，所述线宽压窄单元用于将通过所述线宽压窄单元的激光压窄。由泵浦激光器发出的泵浦光810首先照射到耦合单元200上，经过耦合单元200的耦合汇聚作用，泵浦光810再照射到自倍频晶体300的入射面上，经过自倍频晶体300后，泵浦光810可以转变为基频光820，然后从自倍频晶体300射出，射出的基频光820在自倍频晶体300和基频光820反射结构之间形成的谐振腔内来回振荡，进而形成了倍频光830。并且，倍频光830经过线宽压窄单元的作用下，倍频光830的线宽被压窄变窄，从而获得了窄线宽的倍频光830，拓宽了自倍频激光发生装置的使用范围。进一步的，所述自倍频晶体300的入光面镀有第一滤光膜，所述第一滤光膜能够透射泵浦光810，且反射基频光820和倍频光830；所述自倍频晶体300的出光面上镀有第二滤光膜，所述第二滤光膜能够透射基频光820和倍频光830。通过在自倍频晶体300和基频光820反射结构上镀第一滤光膜和第二滤光膜的形式，实现在自倍频晶体300的入射面和基频光820反射机构之间形成谐振腔。由泵浦光810源发出的泵浦光810可以通过第一滤光膜进入到自倍频晶体300内，自倍频晶体300可以将泵浦光810转变为基频光820，基频光820能够通过第二滤光膜再照射到基频光820反射结构上发生反射，被反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自倍频激光发生装置，其特征在于，所述自倍频激光发生装置包括：依次设置的泵浦激光源、耦合单元、自倍频晶体和基频光反射结构；所述泵浦激光源发出的泵浦光能够经过所述耦合单元后照射在所述自倍频晶体的入光面上，所述自倍频晶体用于将所述泵浦光转变为基频光；/n所述自倍频晶体的入光面和所述基频光反射结构之间形成谐振腔，所述谐振腔用于将基频光改变为倍频光；/n所述自倍频晶体和所述基频光反射结构之间设置有线宽压窄单元，所述线宽压窄单元用于将通过所述线宽压窄单元的激光压窄。/n

【技术特征摘要】
1.一种自倍频激光发生装置，其特征在于，所述自倍频激光发生装置包括：依次设置的泵浦激光源、耦合单元、自倍频晶体和基频光反射结构；所述泵浦激光源发出的泵浦光能够经过所述耦合单元后照射在所述自倍频晶体的入光面上，所述自倍频晶体用于将所述泵浦光转变为基频光；
所述自倍频晶体的入光面和所述基频光反射结构之间形成谐振腔，所述谐振腔用于将基频光改变为倍频光；
所述自倍频晶体和所述基频光反射结构之间设置有线宽压窄单元，所述线宽压窄单元用于将通过所述线宽压窄单元的激光压窄。


2.根据权利要求1所述的自倍频激光发生装置，其特征在于，所述自倍频晶体的入光面镀有第一滤光膜，所述第一滤光膜能够透射泵浦光，且反射基频光和倍频光；
所述自倍频晶体的出光面上镀有第二滤光膜，所述第二滤光膜能够透射基频光和倍频光。


3.根据权利要求2所述的自倍频激光发生装置，其特征在于，所述线宽压窄单元为透射式光栅，由所述自倍频晶体出射面射出的光经过所述透射式光栅能够被所述透射式光栅分成出射方向不同的基频光束和倍频光束；所述基频光反射结构位于所述基频光束的路径上。


4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩学坤，于祥升，李瑞宁，
申请(专利权)人：青岛镭视光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37