二极管线性化电路制造技术

技术编号:22599009 阅读:42 留言:0更新日期:2019-11-20 13:07
本发明专利技术涉及的二极管线性化电路呈在RF信号路径和接地之间相对于RF信号路径经由电容器而并联地装配了线性化电路芯部的结构,因此在使具有不同的增益扩展特性的多个线性化电路芯部选择性地动作时,不需要使用了FET等的开关。并且,在RF信号输入输出端子之间,也不需要用于阻断直流的串联的电容器。因此,能够扩展可通过二极管线性化电路补偿的增益的范围。并且,能够降低二极管线性化电路断开时的RF信号路径的插入损耗,并且能够扩展动作时的增益扩展的范围。另外,不使用开关,或者需要的电容器的元件个数少,因此电路尺寸也小。

Diode linearization circuit

The diode linearization circuit according to the invention is a structure in which the core of the linearization circuit is assembled in parallel between the RF signal path and the ground relative to the RF signal path through a capacitor, so that when multiple cores of the linearization circuit with different gain expansion characteristics are selectively operated, there is no need to use a switch such as FET. Moreover, between RF signal input and output terminals, there is no need for a series capacitor for blocking DC. Therefore, the range of gain that can be compensated by the diode linearization circuit can be extended. Moreover, the insertion loss of RF signal path when the diode linearization circuit is disconnected can be reduced, and the range of gain expansion when the diode linearization circuit is disconnected can be extended. In addition, no switch is used, or the number of components of the capacitor is small, so the circuit size is also small.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】二极管线性化电路
本专利技术涉及主要用于改善GaAs类、GaN类化合物半导体功率放大器的线性特性的二极管线性化电路。
技术介绍
就以14GHz频带为代表的卫星通信用小型地球站所使用的功率放大器而言,为了抑制由信号的品质劣化导致的通信速度的下降,要求预先由标准而决定的线性特性。图7(a)示出功率放大器201的结构例,图7(b)示出线性特性的例子。如图7(a)所示,从RF信号输入端子11输入的功率通过多级放大器211、212、213而放大,最后通过内部匹配型场效应晶体管(FET)放大器214而放大至所期望的功率水平,从RF信号输出端子12输出。与此时的输入功率Pin相对的功率增益Gp的例子由图7(b)的特性305示出。就特性305而言,功率增益Gp相对于输入功率Pin从固定值开始减小的水平为Pin1,因此线性输入功率表示为Pin1。如图7(b)所示,图7(a)的二极管线性化电路101起到将线性输入功率Pin1改善为特性306的Pin1a的作用。这里,小于或等于线性输入功率的功率增益Gp为固定值,因而与线性输入功率Pin1相对应的输出功率也是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管线性化电路,其具备RF信号路径以及线性化电路芯部,/n该RF信号路径的一端与RF信号输入端子连接,另一端与RF信号输出端子连接,/n该线性化电路芯部包含:/n二极管,其具有阳极以及与接地用端子连接的阴极;/n电阻,其一端与偏置端子连接,另一端与所述阳极连接;以及/n电容器,其一端与所述RF信号路径连接,另一端与所述阳极连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种二极管线性化电路,其具备RF信号路径以及线性化电路芯部,
该RF信号路径的一端与RF信号输入端子连接,另一端与RF信号输出端子连接,
该线性化电路芯部包含:
二极管,其具有阳极以及与接地用端子连接的阴极;
电阻,其一端与偏置端子连接,另一端与所述阳极连接;以及
电容器,其一端与所述RF信号路径连接,另一端与所述阳极连接。


2.根据权利要求1所述的二极管线性化电路,其特征在于,
具有多个包含所述偏置端子、所述电阻、所述二极管以及所述电容器的所述线性化电路芯部。


3.根据权利要求1或2中任一项所述的二极管线性化电路,其特征在于,
所述二极管是GaAs类或者GaN类的肖特基结二极管。


4.根据权利要求1或2中任一项所述的二极管线性化电路,其特征在于,
所述二极管是GaAs类或者GaN类的pn结二极管。


5.根据权利要求1或2中任一项所述的二极管线性化电路,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:金谷康山本和也
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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