一种新型的脉冲调制器制造技术

技术编号:22597276 阅读:26 留言:0更新日期:2019-11-20 12:19
本发明专利技术公开了一种新型脉冲调制器,该脉冲调制器主要包括互补信号生成电路、死区时间控制电路、驱动电路、功率切换开关和管壳,采用3D芯片堆叠方式将多个芯片堆叠于一个管壳内。本发明专利技术不仅能够有效减小脉冲调制器的尺寸,而且能够大幅提高功率器件的切换速度,极大减小电路中器件互连所引入的寄生参数及其带来的功率损耗和开关振铃,提高脉冲调制电路的性能及可靠性。

A new type of pulse modulator

The invention discloses a new pulse modulator, which mainly includes a complementary signal generating circuit, a dead time control circuit, a driving circuit, a power switch and a tube shell, and adopts a 3D chip stacking method to stack multiple chips in a tube shell. The invention can not only effectively reduce the size of the pulse modulator, but also greatly improve the switching speed of the power device, greatly reduce the parasitic parameters introduced by the device interconnection in the circuit and the power loss and switch ringing brought by the parasitic parameters, and improve the performance and reliability of the pulse modulation circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种新型的脉冲调制器
本专利技术属于电磁场与微波领域,具体涉及一种新型的脉冲调制器。
技术介绍
在电磁场与微波领域,随着半导体工艺技术的不断进步,军民用射频系统中的脉冲调制器也正朝着高频化高压化方向发展。射频功率放大器正由砷化镓(GaAs)逐步向氮化镓(GaN)甚至更高电压等级的工艺方向发展,对脉冲调制器也有了更高的要求。与此同时,在电力电子
,对高效率、小尺寸的电力电子变换装置的需求也越来越迫切,因此高频、集成度更高的功率变换电路越来越受到市场青睐。脉冲调制器作为射频系统及电力电子装置的核心部件之一,其性能直接影响到系统的整体性能。而现有的脉冲调制器工作频率和工作电压均较低,且多采用分立元器件搭建而成,体现出多个缺陷:(1)在同一平面上多个元器件的平铺,致使电路尺寸较大;(2)在同一平面上多个元器件的平铺,使得器件互连的寄生参数较大,导致开关切换过程中电压波形畸变严重,在高频和窄脉宽时电路无法正常工作,甚至烧毁其后级组件;(3)工作频率较低导致电力电子装置中的磁性元件尺寸偏大,导致系统功率密度偏低;(4)工作频率较低,不能满足射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型脉冲调制器,其特征在于,由互补信号生成电路、死区时间控制电路、驱动电路和功率切换开关以及管壳组成,TTL信号经互补信号生成电路后变换为互补的驱动电平,通过死区时间控制电路调节驱动电平的死区时间,然后经驱动电路分别驱动高低侧的功率开关器件,使得两个功率切换开关交替导通和关断;互补信号生成电路由与门、与非门及滤波电容组成,并采用3D堆叠方式互连;死区时间控制电路由RC积分电路和二极管组成,并采用3D堆叠方式互连;驱动电路由储能滤波电容、二极管和驱动芯片组成,储能滤波电容和二极管采用3D堆叠方式互连;功率切换开关采用GaN HEMT。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型脉冲调制器,其特征在于,由互补信号生成电路、死区时间控制电路、驱动电路和功率切换开关以及管壳组成,TTL信号经互补信号生成电路后变换为互补的驱动电平,通过死区时间控制电路调节驱动电平的死区时间,然后经驱动电路分别驱动高低侧的功率开关器件,使得两个功率切换开关交替导通和关断;互补信号生成电路由与门、与非门及滤波电容组成,并采用3D堆叠方式互连;死区时间控制电路由RC积分电路和二极管组成,并采用3D堆叠方式互连;驱动电路由储能滤波电容、二极管和驱动芯片组成,储能滤波电容和二极管采用3D堆叠方式互连;功率切换开关采用GaNHEMT。


2.根据权利要求1所述的新型脉冲调制器,其特征在于,脉冲调制器中的逻辑器件、驱动芯片和二极管均为无封装硅基芯片。


3.根据权利要求1所述的新型脉冲调制器,其特征在于,脉冲调制器中的电容为单层瓷介电容器,电阻为氮...

【专利技术属性】
技术研发人员:程钰杰徐建华成海峰袁振
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所
类型:发明
国别省市:江苏;32

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