The TFT substrate (105a) has a transmission and reception area (R1) including a plurality of antenna unit areas (U) and a non transmission and reception area (R2) located outside the transmission and reception area. A plurality of antenna unit areas each have a TFT (10) and a patch electrode (3PE) electrically connected to the drain electrode (7D) of the TFT. The TFT substrate has: a source metal layer (7), which comprises a source electrode (7S), a drain electrode and a source bus (SL) of the TFT; a gate metal layer (3), which is formed on the source metal layer, comprising a gate electrode (3G), a gate bus (GL) and a chip electrode of the TFT; a gate insulating layer (4), which is formed between the source metal layer and the gate metal layer; and a conductive layer (19), which is formed on the gate On the metal layer, there is no insulating layer between the gate metal layer and the conductive layer.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法
本专利技术涉及扫描天线,特别是涉及天线单位(有时也称为“元件天线”。)具有液晶电容的扫描天线(有时也称为“液晶阵列天线”。)、这种扫描天线所使用的TFT基板以及这种TFT基板的制造方法。
技术介绍
移动体通信或卫星广播用天线需要能改变波束的方向(被称为“波束扫描”或者“波束定向(beamsteering)”。)的功能。作为具有这种功能的天线(以下称为“扫描天线(scannedantenna)”。),已知具备天线单位的相控阵列天线。但是,现有的相控阵列天线的价格高,这成为向消费品普及的障碍。特别是,当天线单位的数量增加时,成本会显著上升。因此,已提出利用了液晶材料(包括向列液晶、高分子分散液晶)的大的介电各向异性(双折射率)的扫描天线(专利文献1~5和非专利文献1)。液晶材料的介电常数具有频率分散性,因此在本说明书中将微波的频带中的介电常数(有时也称为“相对于微波的介电常数”。)特别标记为“介电常数M(εM)”。在专利文献3和非专利文献1中,记载了通过利用液晶显示装置(以下称为“LCD”。)的技术能得到价格低的扫描天线。现有技术文献专利文献专利文献1:特开2007-116573号公报专利文献2:特开2007-295044号公报专利文献3:特表2009-538565号公报专利文献4:特表2013-539949号公报专利文献5:国际公开第2015/126550号非专利 ...
【技术保护点】
1.一种TFT基板,具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域,/n具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域,/n上述多个天线单位区域各自具有TFT和电连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极,/n上述TFT基板的特征在于,具有:/n源极金属层,其支撑于上述电介质基板,包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极以及连接到上述源极电极的源极总线;/n栅极金属层,其形成在上述源极金属层上,包含上述TFT的栅极电极、连接到上述栅极电极的栅极总线以及上述贴片电极;/n栅极绝缘层,其形成在上述源极金属层与上述栅极金属层之间;以及/n导电层,其形成在上述栅极金属层上,/n在上述栅极金属层与上述导电层之间不具有绝缘层。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170407 JP 2017-0770801.一种TFT基板,具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域,
具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域,
上述多个天线单位区域各自具有TFT和电连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极,
上述TFT基板的特征在于,具有:
源极金属层,其支撑于上述电介质基板,包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极以及连接到上述源极电极的源极总线;
栅极金属层,其形成在上述源极金属层上,包含上述TFT的栅极电极、连接到上述栅极电极的栅极总线以及上述贴片电极;
栅极绝缘层,其形成在上述源极金属层与上述栅极金属层之间;以及
导电层,其形成在上述栅极金属层上,
在上述栅极金属层与上述导电层之间不具有绝缘层。
2.根据权利要求1所述的TFT基板,
上述栅极绝缘层具有到达上述漏极电极或从上述漏极电极延伸设置的漏极延伸设置部的第1开口部,
上述导电层包含贴片漏极连接部,上述贴片漏极连接部在上述第1开口部内与上述漏极电极或上述漏极延伸设置部连接,并且与上述贴片电极连接。
3.根据权利要求1或2所述的TFT基板,
上述导电层包含透明导电层。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板,
上述导电层包含:
第1导电层,其包含透明导电层;以及
第2导电层,其形成在上述第1导电层之下,由从包括Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoW层、W层以及Ta层的组中选择的至少1个层形成。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的TFT基板,
上述栅极金属层包含:包含从包括Cu、Al、Ag以及Au的组中选择的至少1种元素的层。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的TFT基板,
上述栅极金属层包含:
第1金属层,其包含:包含从包括Cu、Al、Ag以及Au的组中选择的至少1种元素的层;以及
第2金属层,其形成在上述第1金属层上,包含:包含从包括Ti、W、Mo、Ta以及Nb的组中选择的至少1种元素的层。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的TFT基板,
上述栅极金属层的上表面和侧面被上述导电层覆盖。
8.根据权利要求1至6中的任意一项所述的TFT基板,
上述栅极金属层的至少一部分未被上述导电层覆盖。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的TFT基板,
还具有配置在上述非发送接收区域的源极端子部,
上述源极端子部具有:
源极端子用下部连接部,其包含于上述源极金属层,与上述源极总线电连接;
第2开口部,其形成于上述栅极绝缘层,到达上述源极端子用下部连接部;以及
栅极端子用上部连接部,其包含于上述导电层,在上述第2开口部内与上述源极端子用下部连接部连接。
10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的TFT基板,
还具有配置在上...
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