The invention provides an imaging device. The imaging device includes: a plurality of pixels, each of which includes: a first photoelectric conversion unit arranged in a substrate, and a second photoelectric conversion unit arranged above the substrate and on the light incident side of the substrate. The second photoelectric conversion unit includes: a first electrode, a laminated structure, and the laminated structure including the first electrode A plurality of upper layers, wherein the first layer of the laminated structure is an oxide semiconductor layer, and the second layer of the laminated structure is a photoelectric conversion layer, a second electrode and a third electrode are arranged on the same layer as the first electrode, and an insulating material is arranged on the third layer A part of the insulating material is located between the first electrode and the third electrode.
【技术实现步骤摘要】
成像器件及其驱动方法以及电子装置本申请是申请日为2017年03月01日、专利技术名称为“成像元件、层叠型成像元件、固态成像装置及其驱动方法”的申请号为201710116479.9的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及成像器件、成像器件的驱动方法以及电子装置。
技术介绍
将有机半导体材料用于光电转换层的成像元件可以对特定颜色(波段)进行光电转换。此外,由于该特性,在将该成像元件用作固态成像装置中的成像元件的情况下,可以实现如下子像素结构(层叠型成像元件):其中,每个子像素被构造为片上滤色器(on-chipcolorfilter,OCCF)和成像元件的组合,并且子像素被二维地排列(例如,参见JP2011-138927A)。此外,由于无需进行去马赛克处理,因此其优点在于不会出现假色。注意,在以下说明中,在某些情况下,为便于说明,将设置在半导体基板上或上方并包括光电转换单元的成像元件称为“第一类型成像元件”;为便于说明,将构成第一类型成像元件的光电转换单元称为“第一类型光电转换单元”;为便于说明,将设置在半导体基板中的成像元件称为“第二类型成像元件”,并且为便于说明,将构成第二类型成像元件的光电转换单元称为“第二类型光电转换单元”。在图49中示出了现有技术中层叠型成像元件(层叠型固态成像装置)的结构实施例。在图49示出的实施例中,第三光电转换单元331和第二光电转换单元321分别是构成作为形成在被层叠的半导体基板370中的第二类型成像元件的第三成像元件330和第二成像元件320的第二类型光电转换单元。此外,第 ...
【技术保护点】
1.一种成像器件,所述成像器件包括:/n多个像素,所述多个像素中的每个像素包括:/n布置在基板中的第一光电转换单元,和/n布置在所述基板上方且位于所述基板的光入射侧的第二光电转换单元,所述第二光电转换单元包括:/n第一电极,/n层叠层结构,所述层叠层结构包括所述第一电极上方的多个层,其中,所述层叠层结构的第一层是氧化物半导体层,并且其中,所述层叠层结构的第二层是光电转换层,/n位于所述层叠层结构上方的第二电极,/n第三电极,所述第三电极与所述第一电极被布置在相同的层,以及/n绝缘材料,所述绝缘材料位于所述第三电极与所述层叠层结构之间,/n其中,所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间。/n
【技术特征摘要】
20160301 JP 2016-0387771.一种成像器件,所述成像器件包括:
多个像素,所述多个像素中的每个像素包括:
布置在基板中的第一光电转换单元,和
布置在所述基板上方且位于所述基板的光入射侧的第二光电转换单元,所述第二光电转换单元包括:
第一电极,
层叠层结构,所述层叠层结构包括所述第一电极上方的多个层,其中,所述层叠层结构的第一层是氧化物半导体层,并且其中,所述层叠层结构的第二层是光电转换层,
位于所述层叠层结构上方的第二电极,
第三电极,所述第三电极与所述第一电极被布置在相同的层,以及
绝缘材料,所述绝缘材料位于所述第三电极与所述层叠层结构之间,
其中,所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间。
2.根据权利要求1所述的成像器件,
其中,所述绝缘材料的第一区域位于所述第三电极与所述层叠层结构之间;并且
其中,所述绝缘材料的第二区域位于所述第三电极与所述第一电极之间,其中,所述绝缘材料的所述第二区域包括第一绝缘层和第二绝缘层,并且其中所述第一绝缘层层叠在所述第二绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的成像器件,其中,所述第二区域中的所述第二绝缘层的一部分位于所述第一电极和所述层叠层结构之间。
4.根据权利要求2所述的成像器件,其中,所述第一区域和所述第二区域包括含有所述绝缘材料的不同数量的绝缘层。
5.根据权利要求1所述的成像器件,进一步包括:
传输控制电极,所述传输控制电极位于所述第一电极和第三电极之间。
6.根据权利要求5所述的成像器件,其中,
在电荷存储操作期间,施加至所述传输控制电极的电位低于施加至所述第三电极的电位。
7.根据权利要求5所述的成像器件,其中,所述基板包括第三光电转换单元,并且其中,所述第一光电转换单元、所述第二光电转换单元和所述第三光电转换单元分别连接至单独的信号线。
8.根据权利要求1所述的成像器件,进一步包括:
电荷排出电极,所述电荷排出电极与所述第一电极和所述第三电极分离,其中,所述光电转换层与所述电荷排出电极接触。
9.根据权利要求1所述的成像器件,进一步包括:
电荷排出电极,所述电荷排出电极与所述第一电极和所述第三电极布置在所述相同的层,并且其中,所述电荷排出电极围绕所述第一电极和所述第三电极。
10.根据权利要求1所述的成像器件,进一步包括:
多个第三电极段。
11.根据权利要求10所述的成像器件,其中,位于最靠近所述第一电极位置处的第三电极段的电位高于位于最远离所述第一电极位置处的第三电极段的电位。
12.根据权利要求1所述的成像器件,其特征在于,所述层叠结构的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:富樫秀晃,古闲史彦,山口哲司,平田晋太郎,渡部泰一郎,安藤良洋,
申请(专利权)人:索尼公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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