一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法技术

技术编号:22563374 阅读:35 留言:0更新日期:2019-11-16 11:12
本发明专利技术属于气体传感器技术领域的一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法。所述材料由不同摩尔比例的Co和Sn纳米颗粒组成,Co和Sn的摩尔比为0.1‑10,纳米颗粒粒径为20‑50nm。本发明专利技术的材料可作为气敏检测材料,对环境中甲烷、乙醇、氨气等气体进行检测,其制备简便,收率高,具有检测温度低、基线平稳、灵敏度高等诸多性能优势。

A kind of cosin bimetallic oxide semiconductor material and its preparation method

The invention belongs to the technical field of gas sensor, a Cosn bimetal oxide semiconductor material and a preparation method thereof. The material is composed of CO and Sn nanoparticles with different molar ratios, the molar ratio of CO and Sn is 0.1-10, and the particle size of the nanoparticles is 20-50nm. The material of the invention can be used as a gas sensitive detection material to detect methane, ethanol, ammonia and other gases in the environment. The preparation is simple, the yield is high, and the material has many performance advantages such as low detection temperature, stable baseline and high sensitivity.

【技术实现步骤摘要】
一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法
本专利技术属于气体传感器
,尤其涉及一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法。
技术介绍
电阻型半导体气体传感器是目前应用最广泛的一类气体传感器,具有成本低、响应快、体积小、灵敏度高等诸多优势。但目前气体传感器尤其是Sn基半导体气体传感器存在选择性差、功耗高的缺点,所以,发展高性能、高选择性、低功耗的气体传感器具有重要意义。气敏材料对于提升气体传感器性能具有重要意义,其中,Sn基氧化物材料是已商品化的气敏材料,其检测气体种类广泛,但检测温度较高、功耗大,检测特异性差。市售的半导体气体传感器,加热功耗高达350mW,且对氨气、VOC等多种气体同时具有响应,对气体的选择性差。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提出了一种CoSn双金属氧化物半导体材料,所述材料由不同摩尔比例的Co和Sn纳米颗粒组成,Co和Sn的摩尔比为0.1-10,纳米颗粒粒径为20-50nm。所述材料对100ppm乙醇的灵敏度为14.1~50。一种CoSn双金属氧化物半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CoSn双金属氧化物半导体材料,其特征在于,所述材料由不同摩尔比例的Co和Sn纳米颗粒组成,Co和Sn的摩尔比为0.1-10,纳米颗粒粒径为20-50nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种CoSn双金属氧化物半导体材料,其特征在于,所述材料由不同摩尔比例的Co和Sn纳米颗粒组成,Co和Sn的摩尔比为0.1-10,纳米颗粒粒径为20-50nm。


2.根据权利要求1所述的CoSn双金属氧化物半导体材料,其特征在于,所述材料在350℃时,对100ppm乙醇的灵敏度为14.1~50。


3.根据权利要求1所述的一种CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)分别称取Co和Sn的金属盐,溶于无水乙醇或乙醇与甲醇的混合溶液中,搅拌形成澄清溶液A;
2)称取沉淀剂溶于无水乙醇或乙醇与甲醇的混合溶液中,搅拌形成澄清溶液B;
3)将步骤1)得到的溶液A快速加入步骤2)形成的溶液B中,充分静置,得到双金属氧化物前驱体沉淀;
4)采用无水乙醇对步骤3)得到的前驱...

【专利技术属性】
技术研发人员:张晓徐瑶华刘皓赵文瑞魏峰
申请(专利权)人:有研工程技术研究院有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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