接合用成型体及其制造方法技术

本发明专利技术为由经压缩的Cu芯Sn壳粉末(2)的聚集体构成的接合用成型体(1)，在该接合用成型体的表面部及内部的开孔中存在活性剂含有物(4)，所述活性剂含有物(4)用于去除所述粉末表面的氧化物，该接合用成型体以55～95质量％的比例含有Cu且以45～5质量％的比例含有Sn，该接合用成型体的厚度为20～400μm。

Forming body for jointing and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合用成型体及其制造方法
本专利技术涉及一种介于作为被接合部件的半导体芯片元件、LED芯片元件等的电子组件与基板之间且适合使用于将作为被接合部件的电子组件安装于基板时的接合用成型体及其制造方法。另外，本国际申请主张基于在2017年3月31日申请的日本专利申请第71964号(日本专利申请2017-71964)的优先权，并且将日本专利申请2017-71964的全部内容援用于本国际申请。
技术介绍
近年来，在超过200℃的高温下也可工作的如SiC的宽带隙半导体受到关注。作为在高温下工作的半导体芯片元件的接合方法，被称为过渡液相烧结法(TransientLiquidPhaseSintering：TLP法)的接合方法受到关注，该过渡液相烧结法使包含Cu和Sn的接合材料介于半导体芯片元件与基板之间，以高于Sn的熔点的温度加热，并将所述接合材料设为由Cu6Sn5和Cu3Sn构成的组成的金属间化合物(Inter-MetallicCompound：IMC)。公开了一种基于该接合方法的适用于高温用途的Cu芯Sn壳粉末成型体(例如，参考非专利文献1)。关于非专利文献1的Cu芯Sn壳粉末成型体，将粒径30μ本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接合用成型体，由经压缩的Cu芯Sn壳的粉末的聚集体构成，其特征在于，在所述接合用成型体的表面部及内部的开孔中存在活性剂含有物，所述活性剂含有物用于去除所述粉末的表面的氧化物，所述接合用成型体以55～95质量％的比例含有Cu且以45～5质量％的比例含有Sn，所述接合用成型体具有20～400μm的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.31 JP 2017-0719641.一种接合用成型体，由经压缩的Cu芯Sn壳的粉末的聚集体构成，其特征在于，在所述接合用成型体的表面部及内部的开孔中存在活性剂含有物，所述活性剂含有物用于去除所述粉末的表面的氧化物，所述接合用成型体以55～95质量％的比例含有Cu且以45～5质量％的比例含有Sn，所述接合用成型体具有20～400μm的厚度。2.一种接合用成型体的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在非活性气体气氛下，将平均粒径为0.5～50μm的Cu芯Sn壳的粉末以10～1000MPa的压力进行冲压成型或辊轧成型，从而得到厚度20～...

【专利技术属性】
技术研发人员：樋上晃裕，村冈弘树，岩田广太郎，山口朋彦，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP