一种利用In-Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用In‑Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法，通过In/Ga混合金属蒸发源替代常规的单质In和单质Ga金属源，使得In和Ga金属在蒸发前就以特定的比例进行混合，并利用实验方式，获得混合金属液体在高温蒸发时的In/Ga喷射比例预测经验公式，确保In、Ga金属按照我们设计的成分比例在基底表面形成CIGS薄膜，从而实现In/Ga混合源长时间大面积镀膜的稳定性，同时实现CIGS薄膜内In和Ga金属分布的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种利用In-Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法
本专利技术涉及薄膜太阳能电池生产
，特别涉及一种利用In-Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法。
技术介绍
金属源蒸发法是制备CIGS薄膜太阳能电池的最常用的生产工艺技术之一。目前比较稳定成熟的CIGS吸收层工艺技术主要有三种：一步共蒸发法、两步共蒸发法和三步共蒸发法；这些技术被广泛的应用于柔性和刚性的CIGS薄膜太阳能电池和组件的生产线中，例如德国的Solibro和Manz、美国的GlobalSolarEnergy、Ascent、瑞士的Empa和Flisom均采用共蒸发的技术生产刚性和柔性的CIGS组件。在CIGS共蒸发工艺中，主要使用高纯度的（＞4N）的Cu、In、Ga、Se四种原料或混合物，主要工艺有一步法、二步法、三步法，一般成膜温度在350℃~600℃之间。以三步共蒸发工艺为例，（出处：ProgressinPhotovoltaics:ResearchandApplications,(1062-7995),2008年,16卷3期,235-239页,13191329.）如图1所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用In‑Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法，其特征在于，沉积有钼背电极层的钠钙玻璃衬底进入蒸发源室后，采用以下共蒸发工艺中的一种：（1）一步共蒸发工艺在硒气氛中，共蒸镓、铜和铟，使硒、镓、铜和铟沉积于衬底上，（2）两步共蒸发工艺第一步：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；第二步：在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；（3）三步共蒸发工艺第一步：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；第二步：在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；第三步：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；上述共蒸发工艺中镓和铟的蒸发源采用铟镓合金源...

【技术特征摘要】
1.一种利用In-Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法，其特征在于，沉积有钼背电极层的钠钙玻璃衬底进入蒸发源室后，采用以下共蒸发工艺中的一种：（1）一步共蒸发工艺在硒气氛中，共蒸镓、铜和铟，使硒、镓、铜和铟沉积于衬底上，（2）两步共蒸发工艺第一步：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；第二步：在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；（3）三步共蒸发工艺第一步：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；第二步：在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；第三步：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；上述共蒸发工艺中镓和铟的蒸发源采用铟镓合金源。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述铟镓合金源包括富镓合金源和富铟合金源。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：富镓合金源由镓和铟组成，其中镓的摩尔百分比为55-95%；富铟合金源由镓和铟组成，其中铟的摩尔百分比为55-95%。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：一步共蒸发工艺中，沿着衬底的运行方向，各蒸发源的排布顺序为：硒源、富镓合金源、铜源及富铟合金源。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：两步共蒸发工艺中，沿着衬底的运行方向，各蒸发源的排布顺序为：第一步：硒源、富镓合金源及富铟合金源，第二步：硒源及铜源。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：三步共蒸发工艺中，沿着衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宽菲，张卫彪，任宇航，
申请(专利权)人：浙江尚越新能源开发有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33