【技术实现步骤摘要】
一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站
本专利技术涉及电池片制造
，具体涉及一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站。
技术介绍
异质结太阳电池因具有工艺温度低、转换效率高、电池稳定性好及温度系数低等特点而备受国内外研究人员关注。一般情况下，硅片表面存在有大量的界面态缺陷，这主要是由硅片表面的大量悬挂键缺陷引起的，是有效的光生载流子复合中心。实验和理论结果都表明，当界面态缺陷密度太大时，电池的开路电压、填充因子和转换效率就会急剧下降。而借助a-Si:H(i)薄膜优异的钝化能力，可对硅片表面的悬挂键缺陷进行有效钝化，从而大大降低少数载流子在异质结界面的复合速率，可使异质结电池的开路电压达到700mV以上，电池效率得到大幅提升。现有技术中的氢钝化工艺一般都是通过单独的加热装置对硅电池进行加热，再通过单独的光源为硅电池提供照射来提升硅电池的光电转化效率，其需要提供一个单独的区域进行加热，这样会使得氢钝化设备的结构变得复杂，而且传热的方式为热传导或热对流，其传热速度慢，热惯性小且要考虑与被测对象达到热平衡的问题。...
【技术保护点】
1.一种异质结电池氢钝化方法，其特征在于：所述方法包括使用光源照射异质结电池，所述光源照射的同时通过热辐射的方式将所述异质结电池加热至20℃至400℃之间，所述光源的光强为1~160个太阳光强。
【技术特征摘要】
1.一种异质结电池氢钝化方法，其特征在于：所述方法包括使用光源照射异质结电池，所述光源照射的同时通过热辐射的方式将所述异质结电池加热至20℃至400℃之间，所述光源的光强为1~160个太阳光强。2.根据权利要求1所述的异质结电池氢钝化方法，其特征在于：所述光源的光谱有部分或全部光谱波长落在100nm-1100nm区域内。3.根据权利要求1所述的异质结电池氢钝化方法，其特征在于：通过所述光源加热所述异质结电池的时间为3~500s。4.根据权利要求1所述的异质结电池氢钝化方法，其特征在于：所述光源为LED光源。5.根据权利要求4所述的异质结电池氢钝化方法，其特征在于：所述LED光源设置有一个或多个。6.根据权利要求1所述的异质结电池氢钝化方法，其特征在于：所述光源的照射范围覆盖所述异质结电池的全部表面积。7.根据权利要求1所述的异质结电池氢钝化方法，其特征在于：所述方法还包括对所述异质结电池加热后进行冷却。8.根据权利要求7所述的异质结电池氢钝...
【专利技术属性】
技术研发人员：周剑，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：苏州迈正科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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