带有保护薄膜的导电性薄膜制造技术

[课题]提供能够抑制卷取成卷状时的卷偏移的产生的带有保护薄膜的导电性薄膜。[解决方案]一种带有保护薄膜的导电性薄膜，其具备：树脂薄膜、作为前述树脂薄膜的一面侧的最外层而配置的导电层、和作为前述树脂薄膜的另一面侧的最外层而配置的保护薄膜，前述导电层的最表面的表面粗糙度Ra为1nm以上且10nm以下，前述保护薄膜的最表面的表面粗糙度Ra为100nm以上且300nm以下。

Conductive film with protective film

【技术实现步骤摘要】
带有保护薄膜的导电性薄膜
本专利技术涉及带有保护薄膜的导电性薄膜。
技术介绍
以往，在树脂薄膜的表面形成有导电层的导电性薄膜被用于柔性电路基板、电磁波屏蔽薄膜、平板显示器、接触式传感器、非接触式IC卡、太阳能电池等。导电性薄膜的主要功能是导电，为了得到符合用途目的的导电性来适宜选择设置于树脂薄膜的表面的导电层的组成、厚度。对导电性薄膜进行处理时，大多将长条的导电性薄膜卷取为卷状，使得搬运、向下一工序的转移容易。若制成卷状，则导电层在半径方向与邻接的层密合，因此为了保护导电层，有时在树脂薄膜的与导电层形成面相反的一侧设置保护薄膜。但是，若导电层与保护薄膜过度密合，则有时会产生粘连、外观缺陷。对此，也提出了通过在保护薄膜的表面设置规定的突起来抑制外观缺陷的技术。(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第5876892号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，通过使表面粗糙能够抑制粘连、外观缺陷，但是由于粗糙度的增大，保护薄膜的摩擦系数会降低，在承受卷的自重和/或对卷端面施加力时有产生卷取层沿与卷的轴向平行的方向偏移的现象(以下，也称为“卷偏移”。)的担心。若产生卷偏移，则导电层会产生损伤从而电阻增大、或根据情况在导电层的图案化后发生断线。另外，在将保护薄膜剥离时有时薄膜稍微倾斜地行进，保护薄膜的剥离方向与薄膜的行进方向偏移从而产生剥离不良。本专利技术的目的在于，提供可抑制卷取成卷状时的卷偏移的产生的带有保护薄膜的导电性薄膜。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决前述课题反复进行了深入研究，发现通过采用下述构成可实现上述目的，从而完成了本专利技术。本专利技术中，一实施方式中，涉及一种带有保护薄膜的导电性薄膜，其具有：树脂薄膜、作为前述树脂薄膜的一面侧的最外层而配置的导电层、和作为前述树脂薄膜的另一面侧的最外层而配置的保护薄膜，前述导电层的最表面的表面粗糙度Ra为0.1nm以上且10nm以下，前述保护薄膜的最表面的表面粗糙度Ra为100nm以上且500nm以下。该带有保护薄膜的导电性薄膜中，将保护薄膜的最表面的表面粗糙度Ra和导电层的最表面的表面粗糙度Ra分别设为上述特定范围，因此能够防止卷偏移，进而能够防止导电层上的损伤导致的电阻增加、剥离不良，从而实现导电性薄膜的高品质化、装入有导电性薄膜的器件的生产效率的提高。防止带有保护薄膜的导电性薄膜的卷偏移的机理尚不确定，推测如下。首先，认为卷偏移是起因于导电层与保护薄膜的接触面积的降低导致的摩擦阻力的降低。推测通过使保护薄膜的表面的粗糙度增大，从而保护薄膜与导电层之间进入有间隙(空气)，由此接触面积降低、摩擦阻力降低，从而产生卷偏移。对此，推测，通过特意将保护薄膜的表面粗糙度Ra设为如上述范围那样较大的值、同时也稍微增大导电层的表面粗糙度Ra，从而促进空气的排出，将接触面积维持为一定程度，防止卷偏移。需要说明的是，表面粗糙度Ra的测定方法基于实施例的记载。一实施方式中，前述保护薄膜的最表面的十点平均粗糙度Rz优选为1500nm以上且12000nm以下。通过将十点平均粗糙度Rz设为上述范围，从而进一步促进保护薄膜与导电层之间的空气的排出，能够实现接触面积的维持，能够有效地防止卷偏移。需要说明的是，十点平均粗糙度Rz的测定方法基于实施例的记载。一实施方式中，前述带有保护薄膜的导电性薄膜可以还具备配置于前述树脂薄膜与前述保护薄膜之间的导电层。一实施方式中，优选前述带有保护薄膜的导电性薄膜的厚度为50μm以上且200μm以下，前述保护薄膜的厚度为5μm以上且35μm以下。通过将带有保护薄膜的导电性薄膜的厚度设为上述范围，从而能够使卷对卷(rolltoroll)法中的处理容易。另外，通过将保护薄膜的厚度设为上述范围，从而能够更有效地达成排气的促进和接触面积的维持。由此，能够得到处理性良好、可防止卷偏移的带有保护薄膜的导电性薄膜。一实施方式中，前述导电层优选为溅射膜。通过采用通过溅射得到的溅射膜作为导电层，从而能够形成均匀性高、表面粗糙度小的低电阻的导电层。一实施方式中，前述保护薄膜的形成材料优选为聚烯烃系树脂。由此，能够适当地对保护薄膜赋予规定的表面粗糙度Ra、排气性。一实施方式中，优选前述保护薄膜的与邻接层接触的一侧的面具有粘合性，前述保护薄膜与前述邻接层之间的剥离力为0.01N/50mm以上且1N/50mm以下。通过将保护薄膜与邻接层之间的剥离力设为上述范围，从而能够防止不期望的保护薄膜的剥离、并且达成剥离工序中的保护薄膜的顺利剥离。本专利技术的一实施方式中，涉及两面带有保护薄膜的导电性薄膜，其具备：该带有保护薄膜的导电性薄膜、和配置于前述带有保护薄膜的导电性薄膜的前述导电层侧的最外层的保护薄膜。作为导电性薄膜的流通形态，不仅可以采用单面配置有保护薄膜的形态，有时也采用两面配置有保护薄膜的形态。该两面带有保护薄膜的导电性薄膜由于在其制造过程中使用单面配置有保护薄膜的带有保护薄膜的导电性薄膜，因此能够成品率良好地制造高品质的导电性薄膜。附图说明图1为本专利技术的一实施方式的带有保护薄膜的导电性薄膜的截面示意图。图2为示意性地示出卷偏移的评价步骤的带有保护薄膜的导电性薄膜的卷绕体的截面图。附图标记说明1树脂薄膜2、2a导电层3保护薄膜4a、4b基底层100带有保护薄膜的导电性薄膜具体实施方式以下参照附图对本专利技术的带有保护薄膜的导电性薄膜的实施方式进行说明。但是，在图的一部分或全部中，省略说明不需要的部分，而且存在为了容易说明进行放大或缩小等来图示的部分。表示上下等位置关系的用语仅仅是为了容易进行说明而使用的，完全没有意图限定本专利技术的构成。<带有保护薄膜的导电性薄膜>图1为本专利技术的一实施方式的带有保护薄膜的导电性薄膜的截面示意图。图1所示的带有保护薄膜的导电性薄膜100具备：树脂薄膜1、作为树脂薄膜1的一面侧的最外层而配置的导电层2、和作为树脂薄膜1的另一面侧的最外层而配置的保护薄膜3。进而，本实施方式的带有保护薄膜的导电性薄膜100具备配置于树脂薄膜1与保护薄膜3之间的导电层2a。另外，在树脂薄膜1与导电层2之间、及树脂薄膜1与导电层2a之间，分别设置有基底层4a、4b。导电层2a及基底层4a、4b为任意的构成。需要说明的是，导电层2、2a及基底层4a、4b分别图示出了由1层形成的构成，但各自可以为2层以上的多层构成。只要导电层2和保护薄膜3分别作为最外层而配置，就对配置于它们的下层的层没有特别限定。需要说明的是，在未配置导电层2a、基底层4a、4b且在树脂薄膜1的一面侧配置导电层2、在另一面侧配置保护薄膜3的情况下，导电层2及保护薄膜3也称为最外层。带有保护薄膜的导电性薄膜100的厚度优选为50μm以上且200μm以下、优选为60μm以上且180μm以下、优选为80μm以上且150μm以下。通过将带有保护薄膜的导电性薄膜100的厚度设为上述范围，从而能够使卷对卷法中的处理容易。(树脂薄膜)作为树脂薄膜1，只要能够确保绝缘性，就没有特别限制，可以使用各种塑料薄膜。作为树脂薄膜的材料，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯系树脂、聚酰亚胺(PI)等聚酰亚胺系树脂、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有保护薄膜的导电性薄膜，其具有：树脂薄膜、作为所述树脂薄膜的一面侧的最外层而配置的导电层、和作为所述树脂薄膜的另一面侧的最外层而配置的保护薄膜，所述导电层的最表面的表面粗糙度Ra为0.1nm以上且10nm以下，所述保护薄膜的最表面的表面粗糙度Ra为100nm以上且500nm以下。

【技术特征摘要】
2018.04.27 JP 2018-0864511.一种带有保护薄膜的导电性薄膜，其具有：树脂薄膜、作为所述树脂薄膜的一面侧的最外层而配置的导电层、和作为所述树脂薄膜的另一面侧的最外层而配置的保护薄膜，所述导电层的最表面的表面粗糙度Ra为0.1nm以上且10nm以下，所述保护薄膜的最表面的表面粗糙度Ra为100nm以上且500nm以下。2.根据权利要求1所述的带有保护薄膜的导电性薄膜，其中，所述保护薄膜的最表面的十点平均粗糙度Rz为1500nm以上且12000nm以下。3.根据权利要求1或2所述的带有保护薄膜的导电性薄膜，其还具备配置于所述树脂薄膜与所述保护薄膜之间的导电层。4.根据权利要求1或2所述的带有保...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶原大辅，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP