【技术实现步骤摘要】
一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管及方法
本专利技术涉及薄膜晶体管器件
，具体涉及一种等离子体增强型溶液燃烧法薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
近年来，溶液法制备的金属氧化物半导体薄膜晶体管(MOTFT)因其在平板显示，柔性电子，传感器等方面的潜力受到了国内外广泛的关注与研究。与传统制备工艺(例如脉冲激光沉积，原子层沉积，磁控溅射等高真空方法制备)相比，溶液法制备的金属氧化物半导体薄膜晶体管具有低成本，工艺简单，电学性能优良等优点。然而溶液法制备工艺也面临着以下障碍：1.传统溶液法制备的金属氧化物半导体薄膜晶体管常常使用热氧生长的二氧化硅(SiO2)作为栅极绝缘层，导致了较高的工作电压(>10V)，进而提高了器件功耗与电压要求，限制了其应用领域。2.传统溶液法为了形成具有性能的半导体层材料，往往需要较高的后退火温度(>400℃)，无法运用于聚酰亚胺塑料(Pi)或聚对苯二甲酸类塑料(PET)等柔性衬底上，且导致了较高的制备成本。本专利技术提供了一种成本低廉，工艺简单安全环保，产品性能优越的等离子体增强型溶液燃烧法薄膜晶体管的制备方法。通过...
【技术保护点】
1.一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管，其特征在于：包括绝缘衬底，栅电极，溶液燃烧法制备的栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源电极和漏电极；所述绝缘衬底上依次设置有栅电极，溶液燃烧法制备的栅极绝缘层，金属氧化物半导体层；所述金属氧化物半导体层上设置有源电极和漏电极。
【技术特征摘要】
1.一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管，其特征在于：包括绝缘衬底，栅电极，溶液燃烧法制备的栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源电极和漏电极；所述绝缘衬底上依次设置有栅电极，溶液燃烧法制备的栅极绝缘层，金属氧化物半导体层；所述金属氧化物半导体层上设置有源电极和漏电极。2.根据权利要求1所述的一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管，其特征在于：所述溶液燃烧法制备的栅极绝缘层为等离子增强型溶液燃烧法制备的高介电常数栅极绝缘层。3.根据权利要求2所述的一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管，其特征在于：所述等离子体增强型溶液燃烧法的栅极绝缘层为等离子体后退火处理的溶液燃烧法制备的氧化铝，氧化镓，氧化钇，氧化钕，氧化镧，氧化钪栅极绝缘材料中的一种。4.一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管的方法，其特征在于：具体步骤包括：a）绝缘衬底的清洗处理:先用丙酮超声清洗衬底1-30分钟，再用乙醇超声清洗衬底1-30分钟，最后去离子水冲洗，氮气吹干；b）制备栅电极：采用喷墨印刷，光刻，丝网印刷或者使用一定图案的掩膜进行热蒸度，磁控溅射，电子束蒸镀的方法在绝缘衬底的上表面上形成栅电极；c）表面处理：先将栅电极与绝缘衬底进行10-60分钟的表面清水处理，处理方式为深紫外光,紫外臭氧，氧等离子或空气等离子表面清水处理中的一种；d）溶液燃烧法制备栅极绝缘层：以1000-6000RPM的转速旋涂绝缘层溶液燃烧法前驱体源，然后经80-300℃，10分钟-1小时的空气中预退火处理，最后进行200℃-300℃的空气中后退火处理或进行1-60分钟的深紫外光处理或紫外臭氧处理得到氧化铝，氧化镓，氧化钇，氧化钕，氧化镧，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘启晗，赵春，赵策洲，杨莉，
申请(专利权)人：西交利物浦大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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