导体迹线、由导体迹线形成的装置以及部件承载件制造方法及图纸

提供了一种导体迹线、一种由第一导体迹线和在横向上直接邻接的第二导体迹线形成的装置以及一种部件承载件。所述导体迹线的上部三分之一的截面面积(A1)与中部三分之一的截面面积(A2)之间的比在0.8至1.2之间的范围内，并且所述中部三分之一的截面面积(A2)与下部三分之一的截面面积(A3)之间的比在0.8至1.2之间的范围内。

Conductor trace, device formed by conductor trace and component carrier

【技术实现步骤摘要】
导体迹线、由导体迹线形成的装置以及部件承载件本申请是申请日为2018年1月29日，申请号为201820149318X，名称为“对部件承载件的导电层结构进行蚀刻形成导体迹线的设备”的中国技术专利申请的分案申请。
本技术涉及一种导体迹线、一种由至少两个导体迹线形成的装置以及一种部件承载件。
技术介绍
在配备有一个或多个部件的部件承载件的产品功能增多和这种部件的小型化程度提高以及安装在部件承载件诸如印刷电路板(PCB)上的部件的数量增加的情况下，越来越多地采用具有若干部件的日益强大的阵列状部件或封装件，这些部件或封装件具有多个接触件或连接件，这些接触件之间的空间甚至日益减小。PCB行业特别地面临着使所生产的印刷电路板的大小适应以符合小型化要求的任务。由于电路路径的新的尺寸、钻孔及钻孔彼此之间的距离，因此需要实施新的蚀刻技术，特别是新的铜蚀刻过程。虽然铜蚀刻过程是制造印刷电路板中最重要的步骤之一，但在制作期间对铜进行加工仍然是个挑战性的任务。在如图1所示的常规各向同性铜蚀刻过程中，在对形成在基板上并部分由掩模(作为用于图案化的阴模板)覆盖的待蚀刻铜膜进行蚀刻时，由于各向同性蚀刻，可能在掩模下方形成底切，造成粘附力差。另外，各向同性蚀刻可能无法形成非常精细的蚀刻结构，但各向同性蚀刻可能被相应的精细掩模结构阻挡。生成具有电路路径为30微米及以下的精细结构可能需要进行各向异性蚀刻过程。在印刷电路板的情况下，期望的是蚀刻(特别是移除铜)更多地发生在竖向方向上而不在横向方向上。因此，可以得到规则的结构，并可以避免短切口。在图2中示出了理想的各向异性蚀刻过程，其中，蚀刻只发生在PCB的竖向方向上而不在横向方向上，使得没有形成底切。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种蚀刻设备，允许对导电层结构进行各向异性蚀刻和/或允许形成具有基本上规则的形状、特别是具有基本上竖向的侧壁的导体迹线，从而提高部件承载件诸如印刷电路板的整体质量。为了实现上述目的，提供了一种用于对导电层结构进行蚀刻的设备、一种导体迹线、一种由至少两个导体迹线形成的装置以及一种部件承载件。另外，公开了一种对导电层结构进行蚀刻的方法。根据本技术的示例性实施方案，对部件承载件的导电层结构进行蚀刻以形成导体迹线的方法包括下述步骤：对导电层结构进行真空蚀刻；接着在添加蚀刻添加剂(被配置成促进竖向蚀刻蚀刻并抑制横向蚀刻)的同时对(预蚀刻的)导电层结构进行双流体蚀刻。根据本技术的另一示例性实施方案，用于对部件承载件的导电层结构进行蚀刻以形成导体迹线的设备包括：被配置成对导电层结构进行真空蚀刻的真空蚀刻单元，被配置成随即对(预蚀刻的)导电层结构进行双流体蚀刻的双流体蚀刻单元，以及被配置成在双流体蚀刻期间添加蚀刻添加剂(用于促进竖向蚀刻并抑制横向蚀刻)的蚀刻添加剂添加单元。根据本技术的又一示例性实施方案，提供了一种具有基本上矩形截面的导体迹线，其中，上部三分之一的截面面积与中部三分之一的截面面积之间的比在0.8至1.2之间的范围内，并且中部三分之一的截面面积与下部三分之一的截面面积之间的比在0.8至1.2之间的范围内。在一实施方案中，可以通过本文描述的蚀刻过程和/或通过本文描述的蚀刻设备形成导体迹线。根据本技术的再一示例性实施方案，提供了一种由均具有基本上矩形截面的第一导体迹线和在横向上直接邻接的第二导体迹线形成的装置，其中，导体迹线的上部平台(plateaus，坪)之间的距离与导体迹线的下端之间的距离之间的比在0.7至1.3之间的范围内。在一实施方案中，可以通过本文描述的蚀刻过程和/或通过本文描述的蚀刻设备形成该装置的第一导体迹线和/或第二导体迹线(特别是这两个导体迹线)。根据本技术的再一示例性实施方案，提供了一种部件承载件，该部件承载件包括由至少一个电绝缘层结构和至少一个导电层结构形成的堆叠体，其中，至少一个导电层结构的至少一部分包括本文描述的导体迹线和/或本文描述的装置。在本申请的上下文中，术语“蚀刻组合物”可以特别地指能够对导电材料诸如金属——特别地但不限于铜、铝、镍或银——进行至少部分地蚀刻(融化)的流体，诸如溶液或液体。为此，蚀刻成分可以特别地包括表示组合物中的用于对导电材料进行至少部分地蚀刻(熔化)的反应组分的蚀刻剂(蚀刻试剂)。根据本技术的示例性实施方案，提供了一种蚀刻过程，其中，结合两种不同的蚀刻技术，从而实现对导电层结构的各向异性蚀刻，使得可以形成具有基本上规则的形状、特别地具有基本上竖向侧壁的导体迹线。更具体地，通过结合真空蚀刻和双流体蚀刻，可以对蚀刻过程进行控制，使得与在导电层结构(即，经蚀刻结构)的横向方向上的蚀刻相比，在蚀刻期间促进在经蚀刻结构中形成的凹部(凹处)的竖向方向上的蚀刻。不欲束缚于任何理论，认为由双流体蚀刻生成的蚀刻颗粒的喷雾可以在之前通过真空蚀刻形成的非常窄的凹处之间渗透。另外，相信在双流体蚀刻期间添加的蚀刻添加剂可以在窄凹处的侧壁上生成保护膜，使得蚀刻基本上在竖向方向上进行，而不是横向方向。因此，可以提高部件承载件诸如印刷电路板的整体质量，特别是在降低缺陷率、改善所生产的板内的蚀刻分布(提高均匀性)以及提高经蚀刻结构的蚀刻因子方面。另外，可以实现小于50μm的线宽(线-空间(line-to-space)，L/S)，诸如30μm或以下，特别地25μm或以下。下文中将解释对导电层结构进行蚀刻的方法、用于对导电层结构进行蚀刻的设备、导体迹线、至少两个导体迹线的装置以及部件承载件的其他示例性实施方案。然而，本技术并不限于下述示例性实施方案的具体描述，这些示例性实施方案仅用于说明的目的。应注意的是，关于一个示例性实施方案或示例性方面描述的特征可以与任何其他的示例性实施方案或示例性方面结合，特别地，以蚀刻过程的任何示例性实施方案描述的特征可以与蚀刻过程的任何其他示例性实施方案以及蚀刻设备、导体迹线、至少两个导体迹线的装置以及部件承载件的任何示例性实施方案结合，反之亦然，除非另有具体说明。在指代单个术语时使用不定冠词或定冠词诸如“a(一)”、“an(一)”或“the(该)”的情况下，也包括该术语的复数形式，反之亦然，除非另有具体说明，而本文所用的词语“一个”或数字“1”通常指“仅一个”或“正好一个”。应注意的是，术语“包括(comprising)”不排除其他元件或步骤，如本文所使用的，不仅包括“包括(comprising)”、“包含(including)”或“含有(containing)”的含义，还包含“基本由……构成”以及“由……构成”的含义。除非另有具体说明，否则本文所用的表述“至少部分地”、“至少局部地”、“至少……的部分”或“至少……的一部分”可以指其至少1％、特别地其至少5％、特别地其至少10％、特别地其至少15％、特别地其至少20％、特别地其至少25％、特别地其至少30％、特别地其至少35％、特别地其至少40％、特别地其至少45％、特别地其至少50％、特别地其至少55％、特别地其至少60％、特别地其至少65％、特别地其至少70％、特别地其至少75％、特别地其至少80％、特别地其至少85％、特别地其至少90％、特别地其至少95％、特别地其至少98％，并且还可以包括其100％。在一实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导体迹线，其特征在于，所述导体迹线的上部三分之一的截面面积与中部三分之一的截面面积之间的比在0.8至1.2之间的范围内，并且所述中部三分之一的截面面积与下部三分之一的截面面积之间的比在0.8至1.2之间的范围内。

【技术特征摘要】
1.一种导体迹线，其特征在于，所述导体迹线的上部三分之一的截面面积与中部三分之一的截面面积之间的比在0.8至1.2之间的范围内，并且所述中部三分之一的截面面积与下部三分之一的截面面积之间的比在0.8至1.2之间的范围内。2.一种由第一导体迹线和在横向上直接邻接的第二导体迹线形成的装置，所述第一导体迹线和所述第二导体迹线为根据权利要求1所述的导体迹线，其特征在于，所述导体迹线的上部平台之间的距离与所述导体迹线的下端之间的距离两者之间的比在0.7至1.3的范围内。3.一种部件承载件，包括由至少一个电绝缘层结构和至少一个导电层结构形成的堆叠体，其特征在于，至少一个导电层结构的至少一部分包括根据权利要求1所述的导体迹线和/或根据权利要求2所述的装置。4.根据权利要求3所述的部件承载件，其特征在于，所述部件承载件还包括安装在所述至少一个电绝缘层结构和/或所述至少一个导电层结构上和/或嵌入所述至少一个电绝缘层结构和/或所述至少一个导电层结构中的部件。5.根据权利要求4所述的部件承载件，其特征在于，所述部件为电子部件。6.根据权利要求4所述的部件承载件，其特征在于，所述部件选自由下述构成的组：电子部件、不导电和/或导电的嵌体、热传递单元、能量收集单元、有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电子接口元件、电压转换器、加密部件、...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦尔达诺·M·迪·格雷戈里奥，安妮·泰，侯团起，
申请(专利权)人：奥特斯中国有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31