高性能低相噪的宽带小数N分频锁相环本振电路制造技术

高性能低相噪的宽带小数N分频锁相环本振电路，它涉及本振电路技术领域。应用于无线通信的高性能低相噪的宽带小数N分频锁相环本振电路它包含振荡器、锁相环芯片、电源芯片、第一放大器、第二放大器、滤波器，振荡器和锁相环芯片电性连接，电源芯片设置在锁相环芯片右侧，且电源芯片和锁相环芯片电性连接，锁相环芯片和第一放大器电性连接，第一放大器的右侧设置第二放大器，且第一放大器和第二放大器电性连接，第二放大器和滤波器电性连接。采用上述技术方案后，本实用新型专利技术的有益效果为：它的设计合理，具有高性能，带宽宽，低相噪，输出功率高，杂散低，简单方便的优点。

【技术实现步骤摘要】
高性能低相噪的宽带小数N分频锁相环本振电路
本技术涉及本振电路
，具体涉及高性能低相噪的宽带小数N分频锁相环本振电路。
技术介绍
宽带本振源是通信、雷达、仪器、空间电子设备等电子系统中的关键模块，其指标高低直接影响了电子系统的性能，宽带本振电路主要应用于微波通信、卫星通信、航空航天电子设备等领域。目前市面上运用到原有的宽带本振源电路的产品，具有输出功率低、带宽窄、相噪不好的缺点，对后续的混频器驱动功率不够，无法推动混频器等。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种高性能低相噪的宽带小数N分频锁相环本振电路，它的设计合理，加强了公司产品的研发技术能力，提高了产品在市场上占有率，具有高性能，带宽宽，低相噪，输出功率高，杂散低，简单方便的优点。易于制造、故障率低、安全可靠、满足RoHS标准等。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案是：它包含振荡器1、锁相环芯片2、电源芯片21、第一放大器3、第二放大器4、滤波器5，振荡器1和锁相环芯片2电性连接，电源芯片21设置在锁相环芯片2右侧，且电源芯片21和锁相环芯片2电性连接，锁相环芯片2和第一放大器3电性连接，第一放大器3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.高性能低相噪的宽带小数N分频锁相环本振电路，其特征在于：它包含振荡器(1)、锁相环芯片(2)、电源芯片(21)、第一放大器(3)、第二放大器(4)、滤波器(5)，振荡器(1)和锁相环芯片(2)电性连接，电源芯片(21)设置在锁相环芯片(2)右侧，且电源芯片(21)和锁相环芯片(2)电性连接，锁相环芯片(2)和第一放大器(3)电性连接，第一放大器(3)的右侧设置第二放大器(4)，且第一放大器(3)和第二放大器(4)电性连接，第二放大器(4)和滤波器(5)电性连接。

【技术特征摘要】
1.高性能低相噪的宽带小数N分频锁相环本振电路，其特征在于：它包含振荡器(1)、锁相环芯片(2)、电源芯片(21)、第一放大器(3)、第二放大器(4)、滤波器(5)，振荡器(1)和锁相环芯片(2)电性连接，电源芯片(21)设置在锁相环芯片(2)右侧，且电源芯片(21)和锁相环芯片(2)电性连接，锁相环芯片(2)和第一放大器(3)电性连接，第一放大器(3)的右侧设置第二放大器(4)，且第一放大器(3)和第二放大器(4)电性连接，第二放大器(4)和滤波器(5)电性连接。2.根据权利要求1所述的高性能低相噪的宽带小数N分频锁相环本振电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周仁平，朱立霞，黄明，
申请(专利权)人：湖北迈可威通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42