【技术实现步骤摘要】
基于纳米线阵列的传感器及使用该传感器的检测方法
本专利技术涉及检测技术,尤其是指一种基于纳米线阵列的传感器及使用该传感器的检测方法。
技术介绍
目前的基于纳米线阵列检测技术,多是在检测器的工作电极上修饰向表面外突出的纳米柱,形成纳米线阵列。例如:中国专利技术专利申请号为CN201410288286.8的专利申请公开了在含FTO导电玻璃基底上生长二氧化钛纳米线阵列的技术,其中公开了在电极上生长二氧化钛纳米线阵列,并对纳米粒子表面进行待检测分子的特异性受体修饰,当特异性受体与待检测分子进行结合时,纳米粒子表面的场强将发生变化,纳米粒子与氧化钛界面之间的电子传输效率会改变,从而输出的电信号会反映出这一过程,实现对待检测物质的高灵敏度检测。又如,中国专利技术专利申请号为CN201210173858.9的专利申请公开了一种基于导电聚合物的牙周细菌阻抗免疫传感器,其中公开了在工作微电极表面修饰纳米线阵列,增加单位面积抗体固定数量和检测比表面积,从而大大提高传感器的灵敏度、抗干扰性以及响应时间。上述的基本原理与传感器的工作原理相同,均是由于该工作电极捕获被测对象后,使得该电极输 ...
【技术保护点】
1.一种基于纳米线阵列的传感器,其特征在于,包括:复数条纳米线构成的纳米线阵列;各所述纳米线的两端分别电连接到第一、第二引出端;所述第一、第二引出端用于电连接至信号处理端。
【技术特征摘要】
1.一种基于纳米线阵列的传感器,其特征在于,包括:复数条纳米线构成的纳米线阵列;各所述纳米线的两端分别电连接到第一、第二引出端;所述第一、第二引出端用于电连接至信号处理端。2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于:构成纳米线阵列的各纳米线平行设置,相邻纳米线的线间距为1nm-5000nm,且小于被测物尺寸设置。3.根据权利要求1或2所述的传感器,其特征在于:所述纳米线上修饰有特异性结合被测物的位点。4.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第一、第二引出端为导线的线状结构,所述纳米线阵列修饰于该两导线之间。5.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第一、第二引出端为相对的电极板状的结构,所述纳米线阵列修饰于该两电极板之间。6.根据权利要求4、5任一所述的传感器,其特征在于,第一、第二引出端分别具有复数个互不电连接的触点形成的触点阵列;第一引出端的一触点与第二引出端的一触点之间连接有至少一纳...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛茜男,段学欣,王启坤,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:天津,12
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