光电转换元件制造技术

本发明专利技术的光电转换元件具备半导体基板、n型非晶质半导体层、p型非晶质半导体层、及电极。半导体基板由n型单晶硅构成。p型非晶质半导体层配置于半导体基板的一侧的面。n型非晶质半导体层在半导体基板的一侧的面上配置于与p型非晶质半导体层的配置区域不同的区域。电极配置于n型非晶质半导体层上。电极配置于p型非晶质半导体层上。在半导体基板的面内方向上位于相邻的n型非晶质半导体层之间的p型非晶质半导体层沿从n型非晶质半导体层朝向相邻的n型非晶质半导体层的第一方向具有：配置有电极的第一以及第二电极配置区域、及在其间未配置有电极的非电极配置区域。

Photoelectric conversion element

【技术实现步骤摘要】
光电转换元件
本专利技术涉及一种光电转换元件。
技术介绍
在过去，已知有背面接触式光伏装置(日本特表2010-522976号公报)。日本特表2010-522976号公报所记载的光伏装置具有异质结结构，并具备：基板、配置于基板的一侧的面的非晶硅层、配置于非晶硅层上的n型非晶硅层、在非晶硅层上配置于与n型非晶硅层的配置区域不同的区域的p型非晶硅层、配置于n型非晶硅层上的电极、及配置于p型非晶硅层上的电极。
技术实现思路
在异质背面接触式光电转换元件中，存在如下问题：由于非单晶半导体层与电极接触，所以从光电转换元件的光入射侧的表面入射的光在形成有电极的区域中的背面的反射率小于在没有电极的区域中的反射率。特别是，在非晶硅层与金属电极直接接触的情况下，背面的反射率的下降是显著的。另一方面，用于收集少数载体的电极宽度影响E-shade(从光电转换元件的面内方向的BSF(BackSurfaceField：背表面电场)的中心到收集少数载体的电极端的距离)。通过尽量缩小E-shade能够缩短少数载体的移动距离，并且能够增加光电流的收集。因此，根据本专利技术的实施方式，提供一种能够增加光电流的光电转换元件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换元件，其特征在于，具备：结晶半导体基板，其具有第一导电型；第一非单晶半导体层，其配置于所述结晶半导体基板的一侧的面并且具有所述第一导电型；第二非单晶半导体层，其在所述结晶半导体基板的一侧的面，至少配置于与所述第一非单晶半导体层的配置区域不同的区域并且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第一电极，其配置于所述第一非单晶半导体层上；及第二电极，其配置于所述第二非单晶半导体层上，所述光电转换元件沿所述结晶半导体基板的面内方向具有所述第一非单晶半导体层与所述第二非单晶半导体层交替地配置的区域，在所述结晶半导体基板的面内方向上位于相邻的所述第一非单晶半导体层之间的所述第二非单晶半导体层...

【技术特征摘要】
2018.03.26 JP 2018-0583601.一种光电转换元件，其特征在于，具备：结晶半导体基板，其具有第一导电型；第一非单晶半导体层，其配置于所述结晶半导体基板的一侧的面并且具有所述第一导电型；第二非单晶半导体层，其在所述结晶半导体基板的一侧的面，至少配置于与所述第一非单晶半导体层的配置区域不同的区域并且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第一电极，其配置于所述第一非单晶半导体层上；及第二电极，其配置于所述第二非单晶半导体层上，所述光电转换元件沿所述结晶半导体基板的面内方向具有所述第一非单晶半导体层与所述第二非单晶半导体层交替地配置的区域，在所述结晶半导体基板的面内方向上位于相邻的所述第一非单晶半导体层之间的所述第二非单晶半导体层，沿所述结晶半导体基板的面内方向上从所述第一非单晶半导体层朝向相邻的所述第一非单晶半导体层的第一方向具有：配置有所述第二电极的第一电极配置区域、配置有所述第二电极的第二电极配置区域、及在所述第一电极配置区域与所述第二电极配置区域之间未配置有所述第二电极的非电极配置区域。2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，在所述交替地配置的区域，位于相邻的所述第二非单晶半导体层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：肥后辉明，森健史，东川诚，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP