一种玻璃衬底异质结太阳能电池制造技术

技术编号:22351985 阅读:53 留言:0更新日期:2019-10-19 18:56
本实用新型专利技术公开了一种玻璃衬底异质结太阳能电池,涉及太阳能电池技术领域,本实用新型专利技术包括从下到上依次连接的玻璃衬底、透明导电氧化物层、空穴选择层、本征非晶硅层和n型掺杂非晶硅层,空穴选择层为氧化钼薄膜,透明导电氧化物层包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种,本实用新型专利技术具有结构简单、载流子的横向运输能力强、光的利用率高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃衬底异质结太阳能电池
本技术涉及太阳能电池
,更具体的是涉及一种玻璃衬底异质结太阳能电池。
技术介绍
化石能源危机的出现,人类开始寻求新能源,让新能源代替传统的化石能源。在新能源领域中,目前优势比较大的属于太阳能领域,太阳能有着清洁、使用安全、转化利用比较容易的特点。太阳能的开发利用加速了太阳电池技术的发展,目前市场上成熟的太阳电池技术有单晶硅和多晶硅太阳电池技术,由于硅的铸造过程会出现污染,今后太阳电池的大面积应用,一定程度上限制了晶硅电池的发展,非晶硅薄膜电池就开始产生,非晶硅薄膜有着耗材少、制造成本比较低、环境污染比较小等优势,目前成了世界上科研院所和光伏企业的研究热点。现有异质结太阳能电池通过导电氧化物和空穴选择层形成叠层结构来降低入射光的反射,从而提高电池效率和短路电流,但是导电氧化物和空穴选择层的材料组合不合理,光学带隙相差比较大,导致可见光短波段的响应比较弱,载流子的横向运输能力差,光的利用率低,电池效率和短路电流还有待提高。故如何解决上述技术问题,对于本领域技术人员来说很有现实意义。
技术实现思路
本技术的目的在于:为了解决现有异质结太阳能电池中的导电氧化物和空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种玻璃衬底异质结太阳能电池,包括从下到上依次连接的玻璃衬底(1)、透明导电氧化物层(2)、空穴选择层(3)、本征非晶硅层(4)和n型掺杂非晶硅层(5),其特征在于,空穴选择层(3)为氧化钼薄膜,透明导电氧化物层(2)包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种。

【技术特征摘要】
1.一种玻璃衬底异质结太阳能电池,包括从下到上依次连接的玻璃衬底(1)、透明导电氧化物层(2)、空穴选择层(3)、本征非晶硅层(4)和n型掺杂非晶硅层(5),其特征在于,空穴选择层(3)为氧化钼薄膜,透明导电氧化物层(2)包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种。2.根据权利要求1所述的一种玻璃衬底异质结太阳能电池,其特征在于,透明导电氧化物层(2)顶面还设置有金属栅线正极层(7),金属栅线正极层(7)的厚度为240nm,n型掺杂非晶硅层(5)顶面设置有金属栅线负极层(6),金属栅线负极层(6)的厚度为50nm。3.根据权利要求2所述的一种玻璃衬底异质结太阳能电池,其特征在于,金属栅线正极层(7)和金属栅线负极层(6)的材质均为Cu、Cu合金、Ag、Ag合金中的任一...

【专利技术属性】
技术研发人员:王璞谢毅王岚
申请(专利权)人:通威太阳能成都有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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