【技术实现步骤摘要】
负电压产生器及其负电压检测器
本专利技术涉及一种电压产生装置,尤其涉及一种负电压产生器及其负电压检测器。
技术介绍
一般的负电压产生器都是先产生正值的设定电压,再通过其负泵电路将此正值的设定电压转换为负值的参考电压,以在其输出端提供负参考电压,其中负参考电压的电压绝对值等于设定电压的电压值。然而,上述的负电压产生器所产生的负参考电压的安定时间(settlingtime)会很长。此外,即使在安定时间之后,上述的负电压产生器内仍存在突波电流(spikecurrent)。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种负电压产生器及其负电压检测器,可降低负参考电压的安定时间以快速地提供稳定的负参考电压,且在负参考电压达到设定值之后,负电压产生器内无突波电流。本专利技术的负电压产生器用以提供负参考电压。负电压产生器包括负电压检测器以及电压泵电路。负电压检测器包括第一电路、第二电路以及比较电路。第一电路用以接收负参考电压,且根据负参考电压产生第一电压。第二电路用以产生第二电压。比较电路耦接第一电路以接收第一电压,耦接第二电路以接收第二电压,且对第一电压及第二电压进行比较以产生控制信号。电压泵电路耦接负电压检测器以接收控制信号,且根据控制信号产生负参考电压。在本专利技术的一实施例中,第一电路包括第一P型晶体管、第一电阻器以及第一电流源。第一P型晶体管的第一端耦接接地电压,且第一P型晶体管的控制端接收负参考电压。第一电阻器的第一端耦接第一P型晶体管的第二端。第一电流源耦接第一电阻器的第二端以提供第一电压。第二电路包括第二P型晶体管以及第二电流源。第二P型晶体管的第一端及控制端耦 ...
【技术保护点】
1.一种负电压产生器,用以提供负参考电压,其特征在于,所述负电压产生器包括:负电压检测器,包括:第一电路,用以接收所述负参考电压,且根据所述负参考电压产生第一电压;第二电路,用以产生第二电压;以及比较电路,耦接所述第一电路以接收所述第一电压,耦接所述第二电路以接收所述第二电压,且对所述第一电压及所述第二电压进行比较以产生控制信号;以及电压泵电路,耦接所述负电压检测器以接收所述控制信号,且根据所述控制信号产生所述负参考电压。
【技术特征摘要】
2018.04.01 US 62/651,2051.一种负电压产生器,用以提供负参考电压,其特征在于,所述负电压产生器包括:负电压检测器,包括:第一电路,用以接收所述负参考电压,且根据所述负参考电压产生第一电压;第二电路,用以产生第二电压;以及比较电路,耦接所述第一电路以接收所述第一电压,耦接所述第二电路以接收所述第二电压,且对所述第一电压及所述第二电压进行比较以产生控制信号;以及电压泵电路,耦接所述负电压检测器以接收所述控制信号,且根据所述控制信号产生所述负参考电压。2.根据权利要求1所述的负电压产生器:其中所述第一电路包括:第一P型晶体管,所述第一P型晶体管的第一端耦接接地电压,且所述第一P型晶体管的控制端接收所述负参考电压;第一电阻器,所述第一电阻器的第一端耦接所述第一P型晶体管的第二端;以及第一电流源,耦接所述第一电阻器的第二端以提供所述第一电压,其中所述第二电路包括:第二P型晶体管,所述第二P型晶体管的第一端及控制端耦接所述接地电压,且所述第二P型晶体管的第二端提供所述第二电压;以及第二电流源,耦接所述第二P型晶体管的所述第二端。3.根据权利要求2所述的负电压产生器,其中所述第一P型晶体管的基体耦接所述第一电阻器的所述第二端,且所述第二电路还包括:第二电阻器,所述第二电阻器的第一端耦接所述第二P型晶体管的所述第二端,且所述第二电阻器的第二端耦接所述第二电流源以及所述第二P型晶体管的基体。4.根据权利要求3所述的负电压产生器,其中所述第二电路还包括:第三电阻器,所述第三电阻器的第一端耦接所述接地电压,且所述第三电阻器的第二端耦接所述第二P型晶体管的所述第一端。5.根据权利要求2所述的负电压产生器,其中所述第二电路还包括:第二电阻器,所述第二电阻器的第一端耦接所述接地电压,且所述第二电阻器的第二端耦接所述第二P型晶体管的所述第一端。6.根据权利要求1所述的负电压产生器,其中当所述第一电压大于所述第二电压时,所述比较电路产生所述控制信号以致能所述电压泵电路,致使所述电压泵电路根据电源电压来递增所述负参考电压的电压绝对值。7.根据权利要求6所述的负电压产生器,其中当所述第一电压等于所述第二电压时,所述比较电路产生所述控制信号以禁能所述电压泵电路,致使所述电压泵电路将所述负参考电压的电压绝对值维持在设定电压值,其中所述设定电压值小于所述电源电压的电压绝对值。8.根据权利要求1所述的负电压产生器,其中所述电压泵电路包括:时脉信号产生电路,用以根据所述控制信号以产生时脉信号组;以及负泵电路,耦接所述时脉信号产生电路以接收所述时脉信号组,且根据所述时脉信号组以及电源电压产生所述负参考电压,其中所述负参考电压的电压绝对值小于所述电源电压的电压绝对值。9.根据权利要求8所述的负电压产生器,...
【专利技术属性】
技术研发人员:王佳祥,印秉宏,
申请(专利权)人:印芯科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国香港,81
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