等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理装置，对工件的沿轴向延伸的贯通孔进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有电极部和气体流生成部，所述电极部与位于所述工件的所述贯通孔端面的周围的周围区域在轴向上对置，所述气体流生成部生成从所述周围区域与所述电极部之间的间隙朝向所述贯通孔流动的气体流。

Plasma treatment device

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及等离子体处理装置。
技术介绍
以往，对密闭容器的内部进行减压而产生等离子体，对配置在该密闭容器内的工件进行等离子体处理的技术被广泛利用。但是，近年来，确立了在大气压下稳定地进行等离子体放电的技术，使开放空间中的等离子体处理得以实用化。由此，不需要承受减压的牢固的密闭容器，从而实现了廉价的等离子体处理装置。在专利文献1中公开了进行这样的大气压等离子体处理的等离子体处理装置的一例。专利文献1的等离子体处理装置具有棒状的HOT电极。在HOT电极上连接有电源。HOT电极的外表面被电介质覆盖。HOT电极配置于管状的被处理物的内部。由此，被处理物的内表面与HOT电极的外表面对置。在向HOT电极与被处理物之间的放电空间提供处理气体的状态下，由电源对HOT电极施加电压。由此，在放电空间中产生放电，对被处理物的内表面进行等离子体处理。专利文献1：日本特开2007-115616号公报但是，在上述专利文献1中，若被处理物的内表面的直径较小，则无法将HOT电极插入到被处理物的内部，从而无法对被处理物的内表面进行等离子体处理。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述状況，其目的在于，提供即使工件中的作为处理对象的贯通孔的直径较小也能够进行等离子体处理的等离子体处理装置。本专利技术的例示的等离子体处理装置对工件的沿轴向延伸的贯通孔进行等离子体处理，该等离子体处理装置采用如下结构：具有电极部和气体流生成部，所述电极部与位于所述工件的所述贯通孔端面的周围的周围区域在轴向上对置，所述气体流生成部生成从所述周围区域与所述电极部之间的间隙朝向所述贯通孔流动的气体流。根据本专利技术的例示的等离子体处理装置，即使工件中的作为处理对象的贯通孔的直径较小，也能够进行等离子体处理。附图说明图1是概略性地示出第1实施方式的等离子体处理装置的整体结构的图。图2是示出与第1实施方式的保持部、电极部以及绝缘部相关的结构的纵剖视图。图3是从上方观察第1实施方式的工件的俯视图。图4是示出与第2实施方式的电极部和绝缘部相关的结构的纵剖视图。图5是从上方观察第2实施方式的工件的俯视图。图6是示出与第3实施方式的电极部和绝缘部相关的结构的纵剖视图。图7是示出与第4实施方式的电极部和绝缘部相关的结构的纵剖视图。图8是示出与第5实施方式的保持部、电极部以及绝缘部相关的结构的纵剖视图。图9是示出与第6实施方式的保持部、电极部以及绝缘部相关的结构的纵剖视图。标号说明1：工件；1A：贯通孔；1B：上端面；1Aa：贯通孔端面；2：保持部；2C：内部空间；2D：排气口；3：电极部；4：绝缘部；5：高电压电源部；6：计时器；7：喷射器；8：空气提供部；9：流量计；10：等离子体处理装置；11：工件；11C：贯通孔；15：气体送入部；21：保持部；21A：内部空间；21B：排气口；211：工件保持架；212：壳体；31～34：电极部；41～44：绝缘部；321：中空部；331：气体流路；431：喷出口；R1：周围区域；R1a：内缘；R1b：外缘；R11：第1区域；R12：第2区域；B1：边界；S1～S3：间隙；F1、F2：气体流；C：中心轴线。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的例示的实施方式进行说明。另外，以下，将中心轴线C所延伸的方向称为“轴向”，以轴向的X1侧作为“上侧”，以轴向的X2侧作为“下侧”。另外，将绕中心轴线的方向称为“周向”，将中心轴线的径向称为“径向”。＜第1实施方式＞首先，使用图1对本专利技术的第1实施方式的等离子体处理装置的整体结构进行说明。图1是概略性地示出本实施方式的等离子体处理装置10的整体结构的图。图1所示的等离子体处理装置10是如下的装置：在大气压下产生等离子体，对作为被处理物的金属制的工件1进行等离子体处理。更具体而言，对设置于工件1的贯通孔(在图1中未图示)进行等离子体处理。等离子体处理装置10具有保持部2、电极部3、绝缘部4、高电压电源部5、计时器6、喷射器7、空气提供部8以及流量计9。保持部2对工件1进行保持。在工件1被保持部2保持的状态下，电极部3与工件1在轴向上对置。绝缘部4配置于电极部3的下侧。绝缘部4与工件1隔着间隙在轴向上对置。高电压电源部5对电极部3施加高频的高电压。即，对电极部3施加交流电压。另一方面，通过对保持部2施加接地电位，从而经由保持部2对金属制的工件1施加接地电位。由于处理气体被引导到绝缘部4与工件1之间的间隙中，因此在该间隙中产生放电，产生等离子体。高电压电源部5所印加的电压的频率例如为1kHz～100kHz。高电压电源部5所施加的电压的波形优选为脉冲波形，但除此之外，也可以是正弦波、矩形波等，只要使用在大气压等离子体放电下使用的公知的波形即可。另外，高电压电源部5所施加的电压例如为5kVpp～20kVpp，根据绝缘部4与工件1之间的间隙等而适当设定。计时器6对高电压电源部5对电极部3施加电压的时间进行计测。即，能够利用计时器6来控制对工件1进行等离子体处理的处理时间。喷射器7是与保持部2的排气口连接的负压产生器。喷射器7通过生成从空气提供部8提供的空气的高速气流，利用文丘里效应而在与该气流垂直的方向上产生负压。通过喷射器7产生负压，从而将保持部2的内部空间中的气体排出。即，喷射器7作为排气部而发挥功能。另外，也可以代替喷射器7而例如采用真空泵或者隔膜泵等。通过将保持部2的内部空间中的气体排出，产生的等离子体被引入到工件1的贯通孔内部，从而能够对贯通孔的内壁面进行等离子体处理。流量计9配置于保持部2的排气口与喷射器7之间的流路中。流量计9对在上述流路中流动的气体流的流量进行计测。接下来，对上述说明的等离子体处理装置10中的保持部2、电极部3以及绝缘部4的更具体的结构进行说明。图2是示出与第1实施方式的保持部2、电极部3以及绝缘部4相关的结构的纵剖视图。保持部2具有以中心轴线C为中心的圆柱状的外形，具有凹部2A、开口部2B以及内部空间2C。凹部2A从保持部2的上端面向下侧凹陷，为以中心轴线C为中心的圆柱状。开口部2B与凹部2A的下侧连接，为以中心轴线C为中心的圆柱状。开口部2B的直径比凹部2A的直径小。在凹部2A与开口部2B连接的位置设置有圆环状的台阶2E。内部空间2C与开口部2B的下侧连接，为以中心轴线C为中心的圆柱状。内部空间2C的直径比开口部2B的直径大。另外，保持部2具有在侧面开口的排气口2D。排气口2D与内部空间2C连通。保持部2是金属制的，被施加接地电位。工件1是金属制的，具有圆柱状。工件1的下部收纳于凹部2A中，工件1的下端面与台阶2E接触。由此，工件1载置于保持部2而被保持。工件1与保持部2接触，由此工件1与保持部2被导通，从而经由保持部2对工件1施加接地电位。在工件1被保持部2保持的状态下，工件1具有以中心轴线C为中心沿轴向延伸的圆柱状的贯通孔1A。贯通孔1A从工件1的上端贯通至下端。贯通孔1A在上端具有贯通孔端面1Aa，在下端具有贯通孔下端面1Ab。贯通孔下端面1Ab经由开口部2B而与内部空间2C连通。电极部3具有以中心轴线C为中心沿轴向延伸的圆柱状。电极部3配置于工件1的上侧。这里，图3是从上方观察工件1的俯视图。工件1的上端面1B包含贯通孔端面1Aa。在贯通孔端面1Aa的周围配置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其对工件的沿轴向延伸的贯通孔进行等离子体处理，其中，该等离子体处理装置具有电极部和气体流生成部，所述电极部与位于所述工件的所述贯通孔端面的周围的周围区域在轴向上对置，所述气体流生成部生成从所述周围区域与所述电极部之间的间隙朝向所述贯通孔流动的气体流。

【技术特征摘要】
2018.04.02 JP 2018-0706311.一种等离子体处理装置，其对工件的沿轴向延伸的贯通孔进行等离子体处理，其中，该等离子体处理装置具有电极部和气体流生成部，所述电极部与位于所述工件的所述贯通孔端面的周围的周围区域在轴向上对置，所述气体流生成部生成从所述周围区域与所述电极部之间的间隙朝向所述贯通孔流动的气体流。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述周围区域的外缘配置于将所述电极部的所述工件侧端面的外缘沿轴向投影而得的位置，在所述贯通孔端面的边缘与所述周围区域的外缘之间具有边界，当将所述边界与所述周围区域的外缘之间的区域设为第1区域，将包含所述贯通孔端面、所述贯通孔端面的边缘与所述边界之间的区域在内的区域设为第2区域时，所述第2区域与所述电极部的所述工件侧端面之间的轴向距离比所述第1区域与所述电极部的所述工件侧端面之间的轴向距离长。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述电极部具有沿轴向贯通的中空部，在将所述电极部的所述工件侧端面的所述中空部端面向与所述电极部对置的所述工件面沿轴向投影...

【专利技术属性】
技术研发人员：西川和宏，
申请(专利权)人：日本电产株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP