一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路及系统技术方案

技术编号:22307868 阅读:35 留言:0更新日期:2019-10-16 07:59
本发明专利技术公开了一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路,CPLD仅需要当供电主板中P12V正常供电时,控制第一开关管开通;而当供电主板供电异常时,保持第一开关管开通预设时间后关断第一开关管,并在预设时间内对所述存储卡中信息进行备份。CPLD仅需要控制一个开关管,并且在需要切换成超级电容供电时仅需要保持第一开关管开通一端时间即可实现超级电容供电,使得CPLD的控制逻辑非常简单,可以有效节约CPLD的资源以及降低设计成本;在超级电容供电期间可以对存储卡中存储的信息进行备份,即可实现对存储信息的保护。本发明专利技术还提供了一种存储卡上基于超级电容的供电切换系统,同样具有上述有益效果。

A power supply switching circuit and system based on super capacitor on memory card

【技术实现步骤摘要】
一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路及系统
本专利技术涉及服务器
,特别是涉及一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路以及一种存储卡上基于超级电容的供电切换系统。
技术介绍
近年来,伴随着互联网技术的快速发展,云服务和云计算蓬勃兴起。面对服务器技术变革日新月异,如何提供更好的数据保护和安全一直以来都是重要技术难题。在现阶段,当主板掉电,即基板供电异常时,可以切换到超级电容对储存卡供电,同时将存储卡中存储的信息做备份以防止输出丢失。在现有技术中,可以通过CPLD(ComplexProgrammableLogicDevice,复杂可编程逻辑器件)对超级电容的供电切换进行控制,当主板供电异常时CPLD切换成超级电容对存储卡供电。但是在现有技术中,CPLD对主板以及超级电容之间供电的切换逻辑通常较为复杂,CPLD逻辑的开发会导致研发投入、资源占用和设计成本成倍增加;同时也为不同平台下的适配和移植提高了难度,需要为每一种平台提供代码版本控制。这对于布局面积、设计资源和研发成本都较为苛刻的存储卡设计来说,显然是不利的因素。所以如何提供一种CPLD仅经过简单逻辑即可实现超级电容的供电切换是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路,CPLD仅通过简单的步骤即可实现对超级电容供电的切换;本专利技术的另一目的在于提供一种存储卡上基于超级电容的供电切换系统,CPLD仅通过简单的步骤即可实现对超级电容供电的切换。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路,包括CPLD、P12V供电切换模块、第一开关管、位于供电主板中P12V的输出端与存储卡中P12V的输入端之间的第二开关管、以及位于超级电容的输出端与所述存储卡中P12V的输入端之间的第三开关管;所述第一开关管的控制端与所述CPLD连接,所述P12V供电切换模块的输入端连接所述供电主板中P12V的输出端,所述P12V供电切换模块的第一输出端与所述第二开关管的控制端连接,所述P12V供电切换模块的第二输出端经所述第一开关管与所述第三开关管的控制端连接;所述P12V供电切换模块用于当所述供电主板中P12V正常供电时,发送使所述第二开关管开通的第一电平信号,使所述第三开关管关断的第二电平信号;当所述供电主板供电异常时,发送使所述第二开关管关断的第一电平信号,使所述第三开关管开通的第二电平信号;所述CPLD用于当所述供电主板中P12V正常供电时,控制所述第一开关管开通;当所述供电主板供电异常时,保持所述第一开关管开通预设时间后关断所述第一开关管,并在所述预设时间内对所述存储卡中信息进行备份。可选的,所述P12V供电切换模块包括第一比较器和第二比较器,所述第一比较器的正极以及所述第二比较器的负极均连接超级电容的输出端,所述第一比较器的负极以及所述第二比较器的正极均连接供电主板中P12V的输出端;所述第一开关管为nmos管,所述第二比较器的输出端连接所述第一开关管的s极;所述第二开关管与所述第三开关管均为pmos管;所述CPLD具体用于当所述供电主板中P12V电信号为高电平时,向所述第一开关管输出高电平;当所述供电主板中P12V电信号为低电平时,保持向所述第一开关管输出高电平预设时间后向所述第一开关管输出低电平,并在所述预设时间内对所述存储卡中信息进行备份。可选的,所述第一开关管为带有背靠背寄生ESD二极管的nmos管。可选的,所述第三开关管包括第一子开关管和第二子开关管,所述第一子开关管的d极连接所述第二子开关管的d极,所述第一子开关管的g极与所述第二子开关管的g极均与所述第一开关管连接。可选的,还包括P3V3供电切换模块、第四开关管、位于供电主板中P3V3的输出端与存储卡中P3V3的输入端之间的第五开关管、以及位于超级电容的输出端与所述存储卡中P3V3的输入端之间的第六开关管;所述第四开关管的控制端与所述CPLD连接,所述P3V3电压比较单元的输入端连接所述供电主板中P3V3的输出端,所述P3V3供电切换模块的第三输出端与所述第五开关管的控制端连接,所述P3V3供电切换模块的第四输出端经所述第四开关管与所述第六开关管的控制端连接;所述P3V3供电切换模块用于当所述供电主板中P3V3正常供电时,发送使所述第五开关管开通的第三电平信号,使所述第六开关管关断的第四电平信号;当所述供电主板中P3V3供电异常时,发送使所述第五开关管关断的第三电平信号,使所述第六开关管开通的第四电平信号;所述CPLD用于当所述供电主板中P3V3正常供电时,控制所述第四开关管开通;当所述供电主板中P3V3供电异常时,保持所述第四开关管开通预设时间后关断所述第四开关管,并在所述预设时间内对所述存储卡中信息进行备份。可选的,所述P3V3供电切换模块包括第三比较器和第四比较器,所述第三比较器的正极以及所述第四比较器的负极均连接存储卡中P3V3的输入端,所述第三比较器的负极以及所述第四比较器的正极均连接供电主板中P3V3的输出端;所述第四开关管为nmos管,所述第四比较器的输出端连接所述第四开关管的s极;所述第五开关管与所述第六开关管均为pmos管;所述CPLD具体用于当所述供电主板中P3V3电信号为高电平时,向所述第四开关管输出高电平;当所述供电主板中P3V3电信号为低电平时,保持向所述第四开关管输出高电平预设时间后向所述第四开关管输出低电平,并在所述预设时间内对所述存储卡中信息进行备份。可选的,所述第四开关管为带有背靠背寄生ESD二极管的nmos管。可选的,所述第六开关管包括第三子开关管和第四子开关管,所述第三子开关管的d极连接所述第四子开关管的d极,所述第三子开关管的g极与所述第四子开关管的g极均与所述第一开关管连接。可选的,所述预设时间的取值范围为26s至30s,包括端点值。本专利技术还提供了一种存储卡上基于超级电容的供电切换系统,包括供电主板、超级电容、存储卡、以及如上述任一项所述的存储卡上基于超级电容的供电切换电路。本专利技术所提供的一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路,CPLD仅需要当供电主板中P12V正常供电时,控制第一开关管开通;而当供电主板供电异常时,保持第一开关管开通预设时间后关断第一开关管,并在预设时间内对所述存储卡中信息进行备份。CPLD仅需要控制一个开关管,并且在需要切换成超级电容供电时仅需要保持第一开关管开通一端时间即可实现超级电容供电,使得CPLD的控制逻辑非常简单,可以有效节约CPLD的资源以及降低设计成本;在超级电容供电期间可以对存储卡中存储的信息进行备份,即可实现对存储信息的保护。本专利技术还提供了一种存储卡上基于超级电容的供电切换系统,同样具有上述有益效果,在此不再进行赘述。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路的电路图;图2为本专利技术实施例所提供的一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路的时序图;图3为本专利技术实施例所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路,其特征在于,包括CPLD、P12V供电切换模块、第一开关管、位于供电主板中P12V的输出端与存储卡中P12V的输入端之间的第二开关管、以及位于超级电容的输出端与所述存储卡中P12V的输入端之间的第三开关管;所述第一开关管的控制端与所述CPLD连接,所述P12V供电切换模块的输入端连接所述供电主板中P12V的输出端,所述P12V供电切换模块的第一输出端与所述第二开关管的控制端连接,所述P12V供电切换模块的第二输出端经所述第一开关管与所述第三开关管的控制端连接;所述P12V供电切换模块用于当所述供电主板中P12V正常供电时,发送使所述第二开关管开通的第一电平信号,使所述第三开关管关断的第二电平信号;当所述供电主板供电异常时,发送使所述第二开关管关断的第一电平信号,使所述第三开关管开通的第二电平信号;所述CPLD用于当所述供电主板中P12V正常供电时,控制所述第一开关管开通;当所述供电主板供电异常时,保持所述第一开关管开通预设时间后关断所述第一开关管,并在所述预设时间内对所述存储卡中信息进行备份。

【技术特征摘要】
1.一种存储卡上基于超级电容的供电切换电路,其特征在于,包括CPLD、P12V供电切换模块、第一开关管、位于供电主板中P12V的输出端与存储卡中P12V的输入端之间的第二开关管、以及位于超级电容的输出端与所述存储卡中P12V的输入端之间的第三开关管;所述第一开关管的控制端与所述CPLD连接,所述P12V供电切换模块的输入端连接所述供电主板中P12V的输出端,所述P12V供电切换模块的第一输出端与所述第二开关管的控制端连接,所述P12V供电切换模块的第二输出端经所述第一开关管与所述第三开关管的控制端连接;所述P12V供电切换模块用于当所述供电主板中P12V正常供电时,发送使所述第二开关管开通的第一电平信号,使所述第三开关管关断的第二电平信号;当所述供电主板供电异常时,发送使所述第二开关管关断的第一电平信号,使所述第三开关管开通的第二电平信号;所述CPLD用于当所述供电主板中P12V正常供电时,控制所述第一开关管开通;当所述供电主板供电异常时,保持所述第一开关管开通预设时间后关断所述第一开关管,并在所述预设时间内对所述存储卡中信息进行备份。2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述P12V供电切换模块包括第一比较器和第二比较器,所述第一比较器的正极以及所述第二比较器的负极均连接超级电容的输出端,所述第一比较器的负极以及所述第二比较器的正极均连接供电主板中P12V的输出端;所述第一开关管为nmos管,所述第二比较器的输出端连接所述第一开关管的s极;所述第二开关管与所述第三开关管均为pmos管;所述CPLD具体用于当所述供电主板中P12V电信号为高电平时,向所述第一开关管输出高电平;当所述供电主板中P12V电信号为低电平时,保持向所述第一开关管输出高电平预设时间后向所述第一开关管输出低电平,并在所述预设时间内对所述存储卡中信息进行备份。3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第一开关管为带有背靠背寄生ESD二极管的nmos管。4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述第三开关管包括第一子开关管和第二子开关管,所述第一子开关管的d极连接所述第二子开关管的d极,所述第一子开关管的g极与所述第二子开关管的g极均与所述第一开关管连接。5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,还包括P3V3供电切换模块、第四开关管、位于供电主板中P3V3的输出端与存储卡中P3V...

【专利技术属性】
技术研发人员:于泉泉
申请(专利权)人:广东浪潮大数据研究有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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