彩膜基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:22237176 阅读:19 留言:0更新日期:2019-10-09 17:11
本申请涉及一种彩膜基板及其制作方法、显示装置,彩膜基板包括基板、黑矩阵、第一光阻块、第二光阻块、第三光阻块及第四光阻块;黑矩阵设置于基板的一表面上,黑矩阵在基板上围出若干个子像素区域;第一光阻块包括依次沉积的第一光阻层、第二光阻层、第三光阻层及第四光阻层,第一光阻块设置于黑矩阵上且第一光阻块的第一光阻层与黑矩阵连接;第二光阻块包括依次沉积的第一光阻层、第二光阻层及第三光阻层;第三光阻块包括依次沉积的第一光阻层及第二光阻层;第三光阻块包括第一光阻层;第二光阻块、第三光阻块及第四光阻块分别设置于子像素区域中;第二光阻块、第三光阻块及第四光阻块的第一光阻层分别与基板连接。

Color Film Substrate and Its Fabrication Method and Display Device

【技术实现步骤摘要】
彩膜基板及其制作方法、显示装置
本申请涉及显示
,特别涉及一种彩膜基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
液晶显示器包括对盒的阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。彩膜基板包括衬底基板、黑矩阵、色阻和支撑物,黑矩阵、色阻和支撑物通常需要经过光刻工艺制作于衬底基板上,光刻工艺包括曝光和显影。现有的彩膜基板通常需要五道光刻工艺将黑矩阵、色阻和支撑物制作于衬底基板,光刻工艺多,制造成本高。
技术实现思路
基于此,有必要针对现有的彩膜基板制作,光刻工艺多,制造成本高的问题,提供一种彩膜基板及其制作方法、显示装置。提供一基板,在所述基板的一表面上形成黑矩阵材料层并对所述黑矩阵材料层进行曝光并显影,以形成黑矩阵;在所述基板形成黑矩阵的表面上依次沉积形成第一光阻层、第二光阻层、第三光阻层及第四光阻层;提供一光罩,利用所述光罩从所述基板的上方对所述第四光阻层进行曝光,其中,所述光罩包括不透光部、第一透光部、第二透光部、第三透光部及第四透光部,所述第二透光部的透光率小于所述第三透光部的透光率,所述第三透光部的透光率小于所述第四透光部的透光率,所述第一透光部的透光率大于所述第四透光部的透光率;对曝光后的第四光阻层进行显影并固化;对所述第三光阻层、所述第二光阻层及所述第一光阻层进行蚀刻,以将不位于所述第四光阻层正下方的所述第三光阻层、所述第二光阻层及所述第一光阻层去除,以形成与所述不透光部对应的第一光阻块,与所述第二透光部对应的第二光阻块,与所述第三透光部对应的第三光阻块,以及与所述第四透光部对应的第四光阻块;对所述第四光阻层进行薄化处理及对所述第四光阻块、所述第三光阻块、所述第二光阻块进行蚀刻处理,以使得所述第四光阻块包括第一光阻层,所述第三光阻块包括第一光阻层及第二光阻层,所述第二光阻块包括第一光阻层、第二光阻层及第三光阻层。上述的彩膜基板的制作方法,先在基板上形成黑矩阵,接着在基板形成黑矩阵的表面上依次沉积形成第一光阻层、第二光阻层、第三光阻层及第四光阻层,再用光罩对第四光阻层进行曝光并显影,接着对第一光阻层、第二光阻层、第三光阻层进行蚀刻,将不位于第四光阻层正下方的第三光阻层、第二光阻层及第一光阻层去除,形成第一光阻块、第二光阻块、第三光阻块及第四光阻块,再通过薄化处理去除第四光阻块上的第四光阻层,接着通过蚀刻去除第四光阻块上的第三光阻层,再通过薄化处理去除第三光阻块上的第四光阻层,接着通过蚀刻去除第四光阻块上的第二光阻层及第三光阻块的第三光阻层,最后通过薄化处理去除第二光阻块上的第四光阻层,采用上述方法制作彩膜基板,只需两道光刻工艺,光刻工艺少,制造成本低。在其中一个实施例中,所述对所述第四光阻层进行薄化处理及对所述第四光阻块、所述第三光阻块、所述第二光阻块进行蚀刻处理,以使得所述第四光阻块包括第一光阻层,所述第三光阻块包括第一光阻层及第二光阻层,所述第二光阻块包括第一光阻层、第二光阻层及第三光阻层,具体包括:对所述第四光阻层进行薄化处理,以去除所述第四光阻块上的第四光阻层;对所述第四光阻块上的第三光阻层进行蚀刻,以去除所述第四光阻块上的第三光阻层;对所述第四光阻层进行薄化处理,以去除所述第三光阻块上的第四光阻层;对所述第四光阻块及所述第三光阻块进行蚀刻,以去除所述第四光阻块上的第二光阻层及所述第三光阻块的第三光阻层;对所述第四光阻层进行薄化处理,以去除所述第二光阻块上的第四光阻层。在其中一个实施例中,所述不透光部的透光率为0,所述第一透光部的透光率为100%。在其中一个实施例中,所述第四光阻层为正性光刻胶。在其中一个实施例中,所述对曝光后的第四光阻层进行显影并固化,具体为:对曝光后的第四光阻层进行显影并通过光照固化显影后的第四光阻层。一种彩膜基板,所述彩膜基板包括基板、黑矩阵、第一光阻块、第二光阻块、第三光阻块及第四光阻块;所述黑矩阵设置于所述基板的一表面上,所述黑矩阵在所述基板上围出若干个子像素区域;所述第一光阻块包括依次沉积的第一光阻层、第二光阻层、第三光阻层及第四光阻层,所述第一光阻块设置于所述黑矩阵上且所述第一光阻块的第一光阻层与所述黑矩阵连接;所述第二光阻块包括依次沉积的第一光阻层、第二光阻层及第三光阻层;所述第三光阻块包括依次沉积的第一光阻层及第二光阻层;所述第三光阻块包括第一光阻层;所述第二光阻块、所述第三光阻块及所述第四光阻块分别设置于所述子像素区域中;所述第二光阻块、所述第三光阻块及所述第四光阻块的第一光阻层分别与所述基板连接。在其中一个实施例中,所述第一光阻层、所述第二光阻层及所述第三光阻层分别包括一种颜料且所述第一光阻层、所述第二光阻层及所述第三光阻层的颜料的颜色互不相同。在其中一个实施例中,所述第四光阻层为正性光刻胶。一种显示装置,包括阵列基板及与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板,所述彩膜基板为上述的彩膜基板。上述的彩膜基板及显示装置,制作光刻工艺少,制造成本低。附图说明图1为一实施例中彩膜基板的结构示意图;图2为一实施例中彩膜基板的制作方法的流程图;图3为一实施例中彩膜基板的制作方法的子流程图;图4为一实施例中彩膜基板的结构示意图;图5为一实施例中彩膜基板的结构示意图;图6为一实施例中彩膜基板的结构示意图;图7为一实施例中彩膜基板的结构示意图;图8为一实施例中彩膜基板的结构示意图;图9为一实施例中彩膜基板的结构示意图;图10为一实施例中彩膜基板的结构示意图;图11为一实施例中彩膜基板的结构示意图;图12为一实施例中彩膜基板的结构示意图;图13为一实施例中彩膜基板的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。下面结合说明书附图以及实施例对本申请做进一步的说明。请参阅图1,本申请提供一种彩膜基板,所述彩膜基板包括基板10、黑矩阵20、第一光阻块30、第二光阻块40、第三光阻块50及第四光阻块60。所述黑矩阵20设置于所述基板10的一表面上,所述黑矩阵20在所述基板10上围出若干个子像素区域。所述第一光阻块30包括依次沉积的第一光阻层101、第二光阻层102、第三光阻层103及第四光阻层104,所述第一光阻块30设置于所述黑矩阵20上且所述第一光阻块30的第一光阻层101与所述黑矩阵20连接。所述第二光阻块40包括依次沉积的第一光阻层101、第二光阻层102及第三光阻层103。所述第三光阻块50包括依次沉积的第一光阻层101及第二光阻层102。所述第三光阻块本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种彩膜基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一基板,在所述基板的一表面上形成黑矩阵材料层并对所述黑矩阵材料层进行曝光并显影,以形成黑矩阵;在所述基板形成黑矩阵的表面上依次沉积形成第一光阻层、第二光阻层、第三光阻层及第四光阻层;提供一光罩,利用所述光罩从所述基板的上方对所述第四光阻层进行曝光,其中,所述光罩包括不透光部、第一透光部、第二透光部、第三透光部及第四透光部,所述第二透光部的透光率小于所述第三透光部的透光率,所述第三透光部的透光率小于所述第四透光部的透光率,所述第一透光部的透光率大于所述第四透光部的透光率;对曝光后的第四光阻层进行显影并固化;对所述第三光阻层、所述第二光阻层及所述第一光阻层进行蚀刻,以将不位于所述第四光阻层正下方的所述第三光阻层、所述第二光阻层及所述第一光阻层去除,以形成与所述不透光部对应的第一光阻块,与所述第二透光部对应的第二光阻块,与所述第三透光部对应的第三光阻块,以及与所述第四透光部对应的第四光阻块;对所述第四光阻层进行薄化处理及对所述第四光阻块、所述第三光阻块、所述第二光阻块进行蚀刻处理,以使得所述第四光阻块包括第一光阻层,所述第三光阻块包括第一光阻层及第二光阻层,所述第二光阻块包括第一光阻层、第二光阻层及第三光阻层。...

【技术特征摘要】
1.一种彩膜基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一基板,在所述基板的一表面上形成黑矩阵材料层并对所述黑矩阵材料层进行曝光并显影,以形成黑矩阵;在所述基板形成黑矩阵的表面上依次沉积形成第一光阻层、第二光阻层、第三光阻层及第四光阻层;提供一光罩,利用所述光罩从所述基板的上方对所述第四光阻层进行曝光,其中,所述光罩包括不透光部、第一透光部、第二透光部、第三透光部及第四透光部,所述第二透光部的透光率小于所述第三透光部的透光率,所述第三透光部的透光率小于所述第四透光部的透光率,所述第一透光部的透光率大于所述第四透光部的透光率;对曝光后的第四光阻层进行显影并固化;对所述第三光阻层、所述第二光阻层及所述第一光阻层进行蚀刻,以将不位于所述第四光阻层正下方的所述第三光阻层、所述第二光阻层及所述第一光阻层去除,以形成与所述不透光部对应的第一光阻块,与所述第二透光部对应的第二光阻块,与所述第三透光部对应的第三光阻块,以及与所述第四透光部对应的第四光阻块;对所述第四光阻层进行薄化处理及对所述第四光阻块、所述第三光阻块、所述第二光阻块进行蚀刻处理,以使得所述第四光阻块包括第一光阻层,所述第三光阻块包括第一光阻层及第二光阻层,所述第二光阻块包括第一光阻层、第二光阻层及第三光阻层。2.根据权利要求1所述的彩膜基板的制作方法,其特征在于,所述对所述第四光阻层进行薄化处理及对所述第四光阻块、所述第三光阻块、所述第二光阻块进行蚀刻处理,以使得所述第四光阻块包括第一光阻层,所述第三光阻块包括第一光阻层及第二光阻层,所述第二光阻块包括第一光阻层、第二光阻层及第三光阻层,具体包括:对所述第四光阻层进行薄化处理,以去除所述第四光阻块上的第四光阻层;对所述第四光阻块上的第三光阻层进行蚀刻,以去除所述第四光阻块上的第三光阻层;对所述第四光阻层进行薄化处理,以去除所述第三光阻块上的第四光阻层;对所述第四光阻块及所述第三光阻块进行蚀刻,以去除所述第四...

【专利技术属性】
技术研发人员:李泽尧
申请(专利权)人:惠科股份有限公司重庆惠科金渝光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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