电阻器用组合物及含有该组合物的电阻器用糊膏及使用该组合物的厚膜电阻器制造技术

本发明专利技术提供未含铅成分、供形成具有电阻温度系数为±100ppm/℃以内且接近0的优异特性的电阻器用组合物、电阻器用糊膏，进一步地提供使用它们的厚膜电阻器。本发明专利技术的电阻器用组合物是含有未含铅的钌系导电粒子、与至少两种未含铅的玻璃粉末为主要构成成分的电阻器用组合物；其中，玻璃粉末中的一种是含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si‑B‑Al‑Ba‑Zn‑O系玻璃粉末，其含有5质量％以上且12质量％以下的B2O3，而玻璃粉末的另一种是含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si‑B‑Al‑Ba‑O系玻璃粉末，其含有14质量％以上且25质量％以下的B2O3。

Composition for resistors, paste for resistors containing the composition and thick film resistors using the composition

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电阻器用组合物及含有该组合物的电阻器用糊膏及使用该组合物的厚膜电阻器
本专利技术是关于供形成例如芯片电阻器、混合IC(hybridIC)或电阻网络等电子零件制造时所使用的电阻器用的电阻器用糊膏、构成该电阻器用糊膏的电阻器用组合物、及使用该电阻器用糊膏形成的厚膜电阻器。
技术介绍
通常，例如芯片电阻器、混合IC或电阻网络等电子零件制造时所使用的厚膜电阻器是通过在陶瓷基板上施行电阻器用糊膏的印刷、煅烧而形成的。该厚膜电阻器形成时所使用的组合物广泛使用主要成分为以氧化钌作为代表的钌系导电粒子、及玻璃粉末作为导电粒子。另外，所谓的“厚膜电阻器”是指如前述那样使用电阻器用糊膏施行印刷、煅烧而获得的较厚的电阻器，且是能与利用溅镀或真空蒸镀所形成的非常薄的薄膜电阻器有所区分而使用的一般名称。该钌系导电粒子与玻璃粉末被广泛用作为厚膜电阻器用组合物的理由例如是能在空气中进行煅烧，且能形成电阻温度系数(TCR)接近0、电阻值区域较广的电阻器。这种由钌系导电粒子与玻璃粉末构成的电阻器用组合物，可依照掺合比而改变电阻值。即，若增加钌系导电粒子的掺合比则电阻值会降低，若减少钌系导电粒子的掺合比则电阻值会上升。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻器用组合物，其是含有未含铅的钌系导电粒子、与至少两种未含铅的玻璃粉末的电阻器用组合物，其中，玻璃粉末中的一种是含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si‑B‑Al‑Ba‑Zn‑O系玻璃粉末，且相对于上述Si‑B‑Al‑Ba‑Zn‑O系玻璃粉末的总量100质量％而含有5质量％以上且12质量％以下的B2O3，玻璃粉末的另一种是含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si‑B‑Al‑Ba‑O系玻璃粉末，且相对于上述Si‑B‑Al‑Ba‑O系玻璃粉末的总量100质量％而含有14质量％以上且25质量％以下的B2O3。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.17 JP 2017-0284291.一种电阻器用组合物，其是含有未含铅的钌系导电粒子、与至少两种未含铅的玻璃粉末的电阻器用组合物，其中，玻璃粉末中的一种是含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末，且相对于上述Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末的总量100质量％而含有5质量％以上且12质量％以下的B2O3，玻璃粉末的另一种是含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末，且相对于上述Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末的总量100质量％而含有14质量％以上且25质量％以下的B2O3。2.如权利要求1所述的电阻器用组合物，其中，上述Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末的成分组成为，相对于Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末的总量100质量％而含有：20质量％以上且45质量％以下的SiO2、5质...

【专利技术属性】
技术研发人员：川久保胜弘，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP