一种半片双面发电背接触异质结太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半片双面发电背接触异质结太阳能电池，包括双面制绒的N型单晶硅片，设在硅片背面的两组或两组以上指状交叉的N区、P区、N/P交叠区及绝缘槽，依次设在硅片背面P区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、导电膜层、金属栅线层，依次设在硅片背面N区表面的第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、导电膜层、金属栅线层，依次设在硅片背面N/P交叠区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、绝缘层、第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、导电膜层及绝缘槽，依次设在硅片正面的钝化层和透明增透减反层。本实用新型专利技术将一片硅片分成多个电池串联，降低电池的短路电流，减少了电池及模组的功损，提升电池及模组的转换效率，实现电池双面发电。

A Half-piece Double-sided Power Generation Back Contact Heterojunction Solar Cell

【技术实现步骤摘要】
一种半片双面发电背接触异质结太阳能电池
本技术涉及晶体硅太阳能电池
，尤其涉及一种半片双面发电背接触异质结太阳能电池。
技术介绍
能源危机下光伏产业发展迅速，进一步推广光伏应用的关键是提高太阳能电池片的光电转换效率，降低电池片的制作成本。背接触异质结太阳能电池是背接触结构电池和硅基异质结电池的良好结合。背接触结构是通过将电极集中在太阳能电池的背面，由于没有正面栅线电极的遮光，电池有高的短路电流；硅基异质结电池由于有高质量的氢化非晶硅钝化，能够减轻在光照下产生的空穴与电子在电池内部复合而消失的现象，电池有高的开路电压，背接触异质结电池结合这两种电池的优点，具有高的光电转换效率。然而，这种结构电池电流相对较大，且电流在栅线上传输距离很长，导致电池内部损耗会很高，目前背接触异质结太阳能电池为了减少栅线传输引起的内部损耗，主要采用五寸硅片制作，且背面栅线面积占电池总面积的90％左右，当采用六寸硅片制作电池时，因为电流明显提升，栅线传输距离明显加长，电池内部损耗会显著提高，从而降低电池效率，同时制作成模组时背面采用透明背板对应的双面发电量与背面采用白色背板对应的单面发电量对比，发电量没有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半片双面发电背接触异质结太阳能电池，其特征在于：包括双面制绒的N型单晶硅片，设在硅片背面的两组或两组以上指状交叉的N区、P区、N/P交叠区及绝缘槽，依次设在硅片背面P区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、导电膜层、金属栅线层，依次设在硅片背面N区表面的第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、导电膜层、金属栅线层，依次设在硅片背面N/P交叠区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、绝缘层、第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、导电膜层及绝缘槽，依次设在硅片正面的钝化层和透明增透减反层。

【技术特征摘要】
1.一种半片双面发电背接触异质结太阳能电池，其特征在于：包括双面制绒的N型单晶硅片，设在硅片背面的两组或两组以上指状交叉的N区、P区、N/P交叠区及绝缘槽，依次设在硅片背面P区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、导电膜层、金属栅线层，依次设在硅片背面N区表面的第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、导电膜层、金属栅线层，依次设在硅片背面N/P交叠区表面的第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、绝缘层、第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、导电膜层及绝缘槽，依次设在硅片正面的钝化层和透明增透减反层。2.根据权利要求1所述一种半片双面发电背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述两组或两组以上指状交叉的N区、P区，通过相邻N区和P区不带主栅的金属细栅相互连接实现串联。3.根据权利要求1所述一种半片双面发电背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述P区及N区金属栅线宽度为0.1-0.3mm，厚度为10-60um，通过印刷银浆或电镀金属铜栅线形成，所诉铜栅线包含铜栅线层和铜栅线保护层，所述铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超华，谢志刚，王树林，林朝晖，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35