嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩制造技术

本实用新型专利技术提供一种嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩，包括铝上盖、铝下盖、散热片及铜导热突台，铝上盖与铝下盖相对安装形成用于容置电路板的屏蔽腔，铝下盖与散热片之间通过第一导热垫连接，铝下盖上对应电路板上的高功耗芯片位置设有第一法兰圈，铜导热突台穿过第一法兰圈与第一导热垫连接，铜导热突台的上表面通过第二导热垫与高功耗芯片连接，铝下盖上对应电路板上的常规散热元件位置一体连接有铝导热突台，铝导热突台的上表面通过第三导热垫与常规散热元件连接。采用铜导热突台及铝导热突台相结合的铜铝混合形结构，提高了电路板整体的散热性能及长期工作稳定性。

Copper-Aluminum Mixed Shielding Cover with Embedded Copper Block for Direct Heat Dissipation

【技术实现步骤摘要】
嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩
本技术涉及屏蔽罩，特别涉及一种嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩。
技术介绍
现有带散热功能的可拔插屏蔽罩是一种密封形的壳体，包含上盖和下盖，中间夹压着需要散热及屏蔽的电子电路板。因为电路板被封闭在上、下盖之间，电路板上的功率发热器件只能通过壳体上延伸的突台接触发热器件，由突台把热传递到壳体，再由壳体把热传递到与其直接接触的散热片上，从而达到屏蔽与散热目的。这种设计在电路板功耗不高且分散的时候比较适合，但在日渐发展的通信系统中，芯片集成度及处理能力不断提高，功耗也随之提高很多，所以单位空间集中散热要求更高。如果继续采用现有的散热屏蔽方案，更集中、更高的温度散热会通过导热突台迅速散发到与其连体的外壳邻近区域，反而加热了芯片周边的同样用突台散热的其它电路及其它芯片，也降低了主散热芯片自身的散热性能，从而影响电路板整体的长期工作稳定性。
技术实现思路
鉴于以上所述，本技术提供一种嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩，采用铜铝混合形结构，既利用了铜的高效导热性能作为高功耗芯片散热介质，也保留原来铝壳作为主屏蔽及辅助散热壳体，在总体成本没有根本性上升的前提下解决了屏蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩，包括铝上盖(1)、铝下盖(2)及散热片(5)，铝上盖(1)与铝下盖(2)相对安装形成用于容置电路板(6)的屏蔽腔，其特征在于，还包括铜导热突台(3)，铝下盖(2)与散热片(5)之间通过第一导热垫(7)连接，铝下盖(2)上对应电路板(6)上的高功耗芯片(61)位置设有第一法兰圈(21)，铜导热突台(3)穿过第一法兰圈(21)与第一导热垫(7)连接，铜导热突台(3)的上表面通过第二导热垫(8)与高功耗芯片(61)连接，铝下盖(2)上对应电路板(6)上的常规散热元件(62)位置一体连接有铝导热突台(4)，铝导热突台(4)的上表面通过第三导热垫(9)与常规散...

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩，包括铝上盖(1)、铝下盖(2)及散热片(5)，铝上盖(1)与铝下盖(2)相对安装形成用于容置电路板(6)的屏蔽腔，其特征在于，还包括铜导热突台(3)，铝下盖(2)与散热片(5)之间通过第一导热垫(7)连接，铝下盖(2)上对应电路板(6)上的高功耗芯片(61)位置设有第一法兰圈(21)，铜导热突台(3)穿过第一法兰圈(21)与第一导热垫(7)连接，铜导热突台(3)的上表面通过第二导热垫(8)与高功耗芯片(61)连接，铝下盖(2)上对应电路板(6)上的常规散热元件(62)位置一体连接有铝导热突台(4)，铝导热突台(4)的上表面通过第三导热垫(9)与常规散热元件(62)连接。2.根据权利要求1所述的嵌入式铜块直接散热的铜铝混合屏蔽罩，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志毅，
申请(专利权)人：广州凯媒通讯技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44