【技术实现步骤摘要】
具有无沟道发射极区域的太阳能电池本申请是基于2015年3月24日提交的、申请号为201580005976.0、专利技术创造名称为“具有无沟道发射极区域的太阳能电池”的中国专利申请的分案申请。
本公开的实施例属于可再生能源领域，并且具体地讲，涉及制造具有无沟道发射极区域的太阳能电池的方法，以及所得太阳能电池。
技术介绍
光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区域和n掺杂区域，从而使掺杂区域之间生成电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍所需的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，包括：基板，所述基板具有光接收表面和背表面；薄电介质层，所述薄电介质层被设置在所述基板的所述背表面的一部分上；第一多晶硅发射极区域，所述第一多晶硅发射极区域被设置在所述薄电介质层的第一部分上并掺有第一导电类型的杂质；以及第二多晶硅发射极区域，所述第二多晶硅发射极区域被设置在所述薄电介质层的第二部分上，靠近被设置在所述薄电介质层的所述第一部分上的所述第一多晶硅发射极区域，所述第二多晶硅发射极区域掺有第二相反导电类型的杂质，其中所述第一多晶硅发射极区域中的所述第一导电类型的杂质的总浓度比所述第二多晶硅发射极区域中的所述第二导电类型的杂质的总浓度大至少一个数量级。
【技术特征摘要】
2014.03.27 US 14/227,9651.一种太阳能电池，包括：基板，所述基板具有光接收表面和背表面；薄电介质层，所述薄电介质层被设置在所述基板的所述背表面的一部分上；第一多晶硅发射极区域，所述第一多晶硅发射极区域被设置在所述薄电介质层的第一部分上并掺有第一导电类型的杂质；以及第二多晶硅发射极区域，所述第二多晶硅发射极区域被设置在所述薄电介质层的第二部分上，靠近被设置在所述薄电介质层的所述第一部分上的所述第一多晶硅发射极区域，所述第二多晶硅发射极区域掺有第二相反导电类型的杂质，其中所述第一多晶硅发射极区域中的所述第一导电类型的杂质的总浓度比所述第二多晶硅发射极区域中的所述第二导电类型的杂质的总浓度大至少一个数量级。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括：所述第一多晶硅发射极区域和所述第二多晶硅发射极区域之间的P/N结。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一多晶硅发射极区域中的所述第一导电类型的杂质为N型杂质，所述第二多晶硅发射极区域中的所述第二导电类型的杂质为P型杂质。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中所述N型杂质为磷，并且所述第一多晶硅发射极区域中的所述第一导电类型的杂质的总浓度为约1E20个原子/cm3，并且其中所述P型杂质为硼，并且所述第二多晶硅发射极区域中的所述第二导电类型的杂质的总浓度为约1E18个原子/cm3。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一多晶硅发射极区域还包含所述第二导电类型的杂质。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中所述第一多晶硅发射极区域中的所述第一导电类型的杂质的总浓度比所述第二多晶硅发射极区域以及所述第一多晶硅发射极区域中的所述第二导电类型的杂质的总浓度高出约两个数量级。7.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括：电连接至所述第一多晶硅发射极区域的第一导电触点结构；以及电连接至所述第二多晶硅发射极区域的第二导电触点结构。8.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在基板的背表面的一部分上形成薄电介质层，所述基板具有与所述背表面相背对的光接收表面；在所述薄电介质层的第一部分上形成第一多晶硅发射极区域并掺入第一导电类型的...
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