晶体硅太阳能电池及光伏组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池及光伏组件，属于太阳能电池技术领域。其中，晶体硅太阳能电池包括晶体硅基体、设置在所述晶体硅基体上的具有通孔的钝化层、设置在所述钝化层上的载流子收集层、以及与所述载流子收集层接触的电极；所述载流子收集层通过所述钝化层上的通孔与所述晶体硅基体接触。该晶体硅太阳能电池中，在钝化层上开设通孔，并且载流子收集层通过钝化层上的通孔与晶体硅基体接触，在保证良好表面钝化效果的基础上，载流子可穿过晶体硅基体与载流子收集层接触的界面被电极收集，实现更加有效的载流子传输，降低晶体硅太阳能电池的串联电阻，提高晶体硅太阳能电池的填充因子，提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。

Crystalline Silicon Solar Cells and Photovoltaic Modules

【技术实现步骤摘要】
晶体硅太阳能电池及光伏组件
本技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种晶体硅太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
光伏发电是利用大面积P-N结二极管将太阳能转化为电能的发电方式，是一种清洁、可持续性及性价比相对较高的发电方式。上述的P-N结二极管称为太阳能电池。晶体硅太阳能电池是一种应用较为广泛的太阳能电池。晶体硅太阳能电池的光电转换性能依赖于其内部少数载流子浓度，少数载流子的复合湮灭会造成晶体硅太阳能电池电压和电流的流失，从而降低晶体硅太阳能电池的光电转换效率。对于晶体硅太阳能电池来说，在晶体硅基体表面存在缺陷，是严重的复合中心。通常需要在晶体硅基体表面和电极之间设置钝化结构以钝化晶体硅基体表面，以降低晶体硅基体表面少数载流子的复合速率，来提高晶体硅太阳能电池的光电转化效率。相关技术中提供了一种具有隧道氧化钝化接触结构的晶体硅太阳能电池(如图1所示)，包括晶体硅基体1’，设置在晶体硅基体1’上的钝化隧穿层2’，设置在钝化隧穿层2’上的载流子收集层3’，以及与载流子收集层3’形成欧姆接触的电极5’。该结构的晶体硅太阳能电池可有效解决晶体硅基体1’表面和电极5’之间的钝化问题。然而，钝化隧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.晶体硅太阳能电池，包括：晶体硅基体(1)，设置在所述晶体硅基体(1)上的具有通孔(X)的钝化层(2)，设置在所述钝化层(2)上的载流子收集层(3)，以及，与所述载流子收集层(3)接触的电极(5)；其中，所述载流子收集层(3)通过所述钝化层(2)上的通孔(X)与所述晶体硅基体(1)接触。

【技术特征摘要】
1.晶体硅太阳能电池，包括：晶体硅基体(1)，设置在所述晶体硅基体(1)上的具有通孔(X)的钝化层(2)，设置在所述钝化层(2)上的载流子收集层(3)，以及，与所述载流子收集层(3)接触的电极(5)；其中，所述载流子收集层(3)通过所述钝化层(2)上的通孔(X)与所述晶体硅基体(1)接触。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，在沿着平行于所述晶体硅基体(1)表面的方向上，所述通孔(X)的截面形状为线形、圆形或者多边形。3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化层(2)上设置有多个通孔(X)。4.根据权利要求1～3任一项所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述电极(5)具有与所述钝化层(2)上的通孔(X)对应的部分。5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化层(2)为氧化物层，所述载流子收集层(3)为掺杂硅层。6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池还包括：设置在所述载流子收集层(3)上的减反射层(4)；所述电极(5)穿过所述减反射层(4)与所述载流子收集层(3)接触。7.晶体硅太阳能电池，包括：晶体硅基体(1)，设置在所述晶体硅基体(1)一侧的具有通孔(X)的钝化层(2)，设置在所述钝化层(2)上的载流子收集层(3)，与所述载流子收集层(3)接触的第一电极(51)，设置在所述晶体硅基体(1)另一侧的掺杂层(6)，以及，与所述掺杂层(6)接触的第二电极(52)；其中，所述载流子收集层(3)通过所述钝化层(2)上的通孔(X)与所述晶体硅基体(1)接触；所述载流子收集层(3)的导电类型与所述掺杂层(6)的导电类型相反。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海鹏，单伟，汤坤，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，上海晶澳太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32