一种低功耗高压直流电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低功耗高压直流电源，包括具有较宽交流电压输入范围的整流滤波电路、具有稳压作用的功放电路、以差分电路作为直流电源的取样比较电路和能够降低温度影响的稳压输出电路；所述整流滤波电路与所述功放电路连接；所述功放电路与所述取样比较电路连接；所述取样比较电路与所述稳压输出电路连接；本实用新型专利技术功放模块中复合管的发射极一直处于正偏状态，能够减小稳压电源输出电压的波动，改善稳压电源的调整率，同时降低了稳压电源的输出阻抗，能够以较佳的性能长时间工作；稳压输出模块采用一对正、负温度系数的稳压二极管，能够在很大的程度上弱化温度变化对输出的影响，增加了输出电压的稳定性。

A Low Power Consumption High Voltage DC Power Supply

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗高压直流电源
本技术涉及到交直流电压转换
，尤其涉及到一种低功耗高压直流电源。
技术介绍
在实际生产应用中，在许多场合都要求有长期稳定的高压直流电源，但是长期输出的话存在功耗较高，及输出稳定性不佳的情况。因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
技术实现思路
本技术提供一种低功耗高压直流电源,解决的上述问题。为解决上述问题，本技术提供的技术方案如下：一种低功耗高压直流电源，包括具有较宽交流电压输入范围的整流滤波电路、具有稳压作用的功放电路、以差分电路作为直流电源的取样比较电路和能够降低温度影响的稳压输出电路；所述整流滤波电路与所述功放电路连接；所述功放电路与所述取样比较电路连接；所述取样比较电路与所述稳压输出电路连接。优选的技术方案，所述整流滤波电路包括由二极管VD1-VD4组成的整流桥和电容C1-C2；所述交流电源UI的电压范围为AC150-250V。优选的技术方案，交流电源UI与所述整流桥的输入端连接；所述整流桥的正极与所述电容C1-C2的第一端连接；所述整流桥的负极与所述电容C1-C2的第二端连接。优选的技术方案，所述功放电路包括电阻R1-R3、电容C3、二极管VD5-VD6和三极管V1、V2、V5。优选的技术方案，所述电容C3的第二端与所述电阻R3的第二端连接；所述电阻R3的第一端分别与所述二极管VD6的正极、所述三极管V5的发射极连接；所述二极管VD6的负极分别与所述二极管VD5的正极、所述三极管V2的发射极连接；所述二极管VD5的负极分别与所述电阻R1的第二端、所述电阻R2的第一端连接；所述电阻R1的第一端与所述三极管V1的集电极连接；所述三极管V1的基极分别与所述电容C3的第一端、所述电阻R2的第二端、所述三极管V5的集电极连接；所述三极管V1的发射极与所述三极管V2的基极连接。优选的技术方案，所述二极管VD5的型号为IN167；所述二极管VD6的型号为IN4735；所述三极管V1-V2的型号均为3DD102C；所述三极管V5为NPN型三极管；所述电容C3为防振作用的瓷片电容。优选的技术方案，所述取样比较电路包括电阻R4-R10、滑动变阻器RP1-RP2和三极管V3-V4。优选的技术方案，所述电阻R4的第一端分别与所述电阻R7-R8的第一端连接；所述电阻R4的第二端与所述滑动变阻器RP1的第一端连接；所述滑动变阻器RP1的第二端与所述电阻R5的第一端连接；所述电阻R5的第二端分别与所述滑动变阻器RP2的第一端、滑动端连接；所述滑动变阻器RP1的滑动端与所述三极管V3的基极连接；所述三极管V3的集电极分别与所述电阻R6-R7的第二端连接；所述三极管V3的发射极分别与所述电阻R9的第一端、所述三极管V4的发射极连接；所述三极管V4的集电极与所述电阻R8的第二端连接；所述三极管V4的基极与所述电阻R10的第一端连接；所述滑动变阻器RP2的第二端分别与所述电阻R9-R10的第二端连接。优选的技术方案，所述滑动变阻器RP1-RP2用于调节输出电压的动态范围；所述三极管V3-V4均为NPN型三极管。优选的技术方案，所述稳压输出电路包括电容C4和二极管VD7-VD8；所述二极管VD7的负极与所述电容C4的第一端连接；所述二极管VD7的正极与所述二极管VD8的负极连接；所述电容C4的两端为输出电压UO；所述输出电压UO的电压范围DC150-250V。相对于现有技术的有益效果是，采用上述方案，本技术功放模块中复合管的发射极一直处于正偏状态，能够减小稳压电源输出电压的波动，改善稳压电源的调整率，同时降低了稳压电源的输出阻抗，能够以较佳的性能长时间工作；稳压输出模块采用一对正、负温度系数的稳压二极管，能够在很大的程度上弱化温度变化对输出的影响，增加了输出电压的稳定性。附图说明为了更清楚的说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需使用的附图作简单介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的一种低功耗高压直流电源原理框图；图2为本技术的一种低功耗高压直流电源电路原理图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面结合附图和具体实施例，对本技术进行更详细的说明。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本说明书所使用的术语“固定”、“一体成型”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，在图中，结构相似的单元是用以相同标号标示。除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本技术。如图1-2所示，本技术的一个实施例是：一种低功耗高压直流电源，包括具有较宽交流电压输入范围的整流滤波电路、具有稳压作用的功放电路、以差分电路作为直流电源的取样比较电路和能够降低温度影响的稳压输出电路；所述整流滤波电路与所述功放电路连接；所述功放电路与所述取样比较电路连接；所述取样比较电路与所述稳压输出电路连接。所述整流滤波电路包括由二极管VD1-VD4组成的整流桥和电容C1-C2；交流电源UI与所述整流桥的输入端连接；所述整流桥的正极与所述电容C1-C2的第一端连接；所述整流桥的负极与所述电容C1-C2的第二端连接；所述交流电源UI的电压范围为AC150-250V。所述功放电路包括电阻R1-R3、电容C3、二极管VD5-VD6和三极管V1、V2、V5；所述电容C2的第一端与所述三极管V2的集电极连接；所述电容C3的第二端与所述电容C2的第二端连接；所述电容C3的第二端与所述电阻R3的第二端连接；所述电阻R3的第一端分别与所述二极管VD6的正极、所述三极管V5的发射极连接；所述二极管VD6的负极分别与所述二极管VD5的正极、所述三极管V2的发射极连接；所述二极管VD5的负极分别与所述电阻R1的第二端、所述电阻R2的第一端连接；所述电阻R1的第一端与所述三极管V1的集电极连接；所述三极管V1的基极分别与所述电容C3的第一端、所述电阻R2的第二端、所述三极管V5的集电极连接；所述三极管V1的发射极与所述三极管V2的基极连接；所述二极管VD5的型号为IN167；所述二极管VD6的型号为IN4735；所述三极管V1-V2的型号均为3DD102C；所述三极管V5为NPN型三极管；所述电容C3为防振作用的瓷片电容。所述取样比较电路包括电阻R4-R10、滑动变阻器RP1-RP2和三极管V3-V4；所述二极管VD6的负极与所述电阻R4的第一端连接；所述电阻R3的第二端与所述滑动变阻器RP2的第二端连接；所述三极管V5的基极与所述电阻R6的第一端连接；所述电阻R4的第一端分别与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功耗高压直流电源，其特征在于，包括具有较宽交流电压输入范围的整流滤波电路、具有稳压作用的功放电路、以差分电路作为直流电源的取样比较电路和能够降低温度影响的稳压输出电路；所述整流滤波电路与所述功放电路连接；所述功放电路与所述取样比较电路连接；所述取样比较电路与所述稳压输出电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗高压直流电源，其特征在于，包括具有较宽交流电压输入范围的整流滤波电路、具有稳压作用的功放电路、以差分电路作为直流电源的取样比较电路和能够降低温度影响的稳压输出电路；所述整流滤波电路与所述功放电路连接；所述功放电路与所述取样比较电路连接；所述取样比较电路与所述稳压输出电路连接。2.根据权利要求1所述的一种低功耗高压直流电源，其特征在于，所述整流滤波电路包括由二极管VD1-VD4组成的整流桥和电容C1-C2。3.根据权利要求2所述的一种低功耗高压直流电源，其特征在于，交流电源UI与所述整流桥的输入端连接；所述整流桥的正极与所述电容C1-C2的第一端连接；所述整流桥的负极与所述电容C1-C2的第二端连接；所述交流电源UI的电压范围为AC150-250V。4.根据权利要求1所述的一种低功耗高压直流电源，其特征在于，所述功放电路包括电阻R1-R3、电容C3、二极管VD5-VD6和三极管V1、V2、V5。5.根据权利要求4所述的一种低功耗高压直流电源，其特征在于，所述电容C3的第二端与所述电阻R3的第二端连接；所述电阻R3的第一端分别与所述二极管VD6的正极、所述三极管V5的发射极连接；所述二极管VD6的负极分别与所述二极管VD5的正极、所述三极管V2的发射极连接；所述二极管VD5的负极分别与所述电阻R1的第二端、所述电阻R2的第一端连接；所述电阻R1的第一端与所述三极管V1的集电极连接；所述三极管V1的基极分别与所述电容C3的第一端、所述电阻R2的第二端、所述三极管V5的集电极连接；所述三极管V1的发射极与所述三极管V2的基极连接。6.根据权利要求4或者5所述的一种低功耗高压直流电源，其特征在于，所述二极管VD5...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨雪芹，
申请(专利权)人：深圳市科宇电源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44