The utility model discloses a photodetector. The photodetector comprises a substrate, a passive waveguide region, an absorption region and a reflective grating region which are arranged on the substrate in the same layer in turn along the direction of incident light propagation, a passive waveguide region for coupling light to the absorption region, and a reflective grating region for reflecting light not absorbed by the absorption region back to the absorption region. The photodetector of the utility model uses the reflecting grating region to reflect the light signal not absorbed by the absorption region to the absorption region for secondary absorption, so as to improve the absorption ability of the photodetector to the light signal, thereby realizing the high responsiveness of the photodetector to the light signal.
【技术实现步骤摘要】
一种光探测器
本技术涉及光电集成
，具体涉及一种光探测器。
技术介绍
在硅光系统中，锗探测器的研制一直以来是一个技术难点。目前在SOI衬底上外延锗的技术已被广泛研究，研究者们提出不同的工艺技术和器件结构，以期实现高带宽高响应度的PD。但锗是间接带隙材料，对1550nm波长的光吸收系数较小，而InGaAs材料吸收系数约为8000cm-1，通过在锗材料生长时引入拉应力可将吸收系数增加到4000cm-1，但仍显著低于InGaAs材料的吸收系数。因此锗探测器对1550nm波长的光响应度就比较低。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种光探测器，以解决锗探测器对1550nm波长的光响应度低的问题。根据第一方面，本技术实施例提供了一种光探测器，包括：衬底，以及沿光传播方向依次同层设置在所述衬底上的无源波导区、吸收区和反射光栅区；所述无源波导区用于将所述入射光耦合至所述吸收区；所述反射光栅区用于将未被所述吸收区吸收的光反射回所述吸收区。结合第一方面，在第一方面第一实施方式中，所述反射光栅区包括：周期性排布的硅层和氧化硅层。结合第一方面，在第一方面第二实施方式中，所述反射光...
【技术保护点】
1.一种光探测器，其特征在于，包括：衬底，以及沿入射光传播方向依次同层设置在所述衬底上的无源波导区、吸收区和反射光栅区；所述无源波导区用于将所述入射光耦合至所述吸收区；所述反射光栅区用于将未被所述吸收区吸收的所述入射光反射回所述吸收区。
【技术特征摘要】
1.一种光探测器，其特征在于，包括：衬底，以及沿入射光传播方向依次同层设置在所述衬底上的无源波导区、吸收区和反射光栅区；所述无源波导区用于将所述入射光耦合至所述吸收区；所述反射光栅区用于将未被所述吸收区吸收的所述入射光反射回所述吸收区。2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述反射光栅区包括：周期性排布的硅层和氧化硅层。3.根据权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述反射光栅结构的光栅占空比为50％。4.根据权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述反射光栅结构的排布周期为0.3-0.4μm。5.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙思维，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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