封装体制造技术

本实用新型专利技术提供一种封装体，具体地说，本实用新型专利技术提供一种采用CSP封装方法形成的封装体，本实用新型专利技术的优点在于，(1)芯片被减薄，有效降低大功率芯片的电阻值；(2)芯片背面形成导电层，可以降低芯片的源极和漏极之间的电阻值；(3)封装体的六个面除了与外部电路连接的连接引脚露出，其余部分完全由塑封体保护，无芯片露出，可靠性高。

Package body

【技术实现步骤摘要】
封装体
本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种采用CSP封装方法形成的封装体。
技术介绍
对于发展新型电子产品的一个限制是所需电路的组装和封装。封装提供多重功能，包括用于保护被封入的电路裸片表面和用于提供裸片和印刷电路板之间的应力释放机构。另外，封装需要符合小尺寸、高密度和低成本的应用需求。过去，在晶片被切片成电路裸片后，器件封装被组装为单个的单元。这种封装是被封入电路裸片的尺寸的几倍。最近，在切片之前以晶片级来密封电路裸片，以制造小得多的封装。当封装具有的面积不大于被封入裸片的1.2倍时，将其称作芯片尺寸封装(CSP)。晶片级CSP将晶片制造扩展为包括器件互连工艺和器件保护工艺，从而制造出的封装仅略大于被封入的裸片。现有的晶圆级CSP封装的缺点在于，封装电阻大，且裸片的侧面露出，可靠性低。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种封装体，其能够有效降低芯片的电阻值，且能够提高封装体可靠性。为了解决上述问题，本技术提供了一种封装体，包括：一塑封体及至少一芯片，所述塑封体包覆所述芯片，所述芯片的正面具有一源极、一漏极及一栅极；在所述源极、漏极及所述栅极上分别设置有至少一导电凸块，所述导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装体，其特征在于，包括：一塑封体及至少一芯片，所述塑封体包覆所述芯片，所述芯片的正面具有一源极、一漏极及一栅极；在所述源极、漏极及所述栅极上分别设置有至少一导电凸块，所述导电凸块的上表面暴露于所述塑封体之外，所述芯片的背面具有一导电层，所述导电层也被所述塑封体包覆。

【技术特征摘要】
1.一种封装体，其特征在于，包括：一塑封体及至少一芯片，所述塑封体包覆所述芯片，所述芯片的正面具有一源极、一漏极及一栅极；在所述源极、漏极及所述栅极上分别设置有至少一导电凸块，所述导电凸块的上表面暴露于所述塑封体之外，所述芯片的背面具有一导电层，所述导电层也被所述塑封体包覆。2.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，在垂直所述封装体的方向上，所述源极上方的导电凸块...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭晓春，张光耀，
申请(专利权)人：合肥矽迈微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34