一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，包括接触式测温元件(10)和从上到下依次连接的集电极(1)、子模组、PCB板(8)和发射极(9)；所述子模组从上至下依次包括上钼片(2)、芯片(3)、下钼片(4)和银垫片(5)；所述下钼片(4)开有凹槽，所述下钼片(4)开有凹槽的一面与所述芯片接触；所述接触式测温元件(10)，置于所述凹槽内，与所述芯片(3)接触，输出端连接所述PCB板(8)。本实用新型专利技术钼片凹槽的设置使得接触式测温元件免受应力的影响，使得接触式测温元件得以在压接型半导体器件中应用，可以准确获得各芯片结温分布。

A Contact Temperature Measurement System for Internal Temperature Distribution of Pressed Semiconductor Devices

【技术实现步骤摘要】
一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统
本技术属于半导体器件测温领域，具体涉及一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统。
技术介绍
对多芯片规模化并联成组的压接型半导体器件而言，由于内部各物理场相互作用，使得各芯片结温间出现差异，进而对器件性能及可靠性产生影响，成为制约器件功率等级提高的重要因素之一。因此，各芯片结温的准确测量成为压接型半导体器件应用中最为关注的问题之一。由于压接封装形式十分新颖，压接型IGBT器件内部芯片温度分布的测量方法尚不完善。目前测量压接器件内部各芯片温度分布的方法主要有三种：1)目前热敏电参数法是广泛应用的压接型半导体器件结温测量方法，通过测量半导体器件的电学参数，转换得到半导体器件的结温，对单芯片器件来说，热敏电参数法可以得到芯片的平均温度近似代替结温，满足测量需求，但对多芯片器件而言，热敏电参数法仅能得到所有芯片的平均温度，并不能获得各芯片结温分布情况。2)光学测量方法需要破坏器件封装结构且在待测表面涂黑漆，仅能测得最外层芯片侧面温度，无法获得所有芯片的温度分布情况。3)接触式测量方法需布置热电偶或光纤等测温结构，由于压接器件正常工作时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，其特征在于，包括接触式测温元件(10)和从上到下依次连接的集电极(1)、子模组、PCB板(8)和发射极(9)；所述子模组从上至下依次包括上钼片(2)、芯片(3)、下钼片(4)和银垫片(5)；所述下钼片(4)开有凹槽，所述下钼片(4)开有凹槽的一面与所述芯片(3)接触；所述接触式测温元件(10)，置于所述凹槽内，与所述芯片(3)接触，输出端连接所述PCB板(8)。

【技术特征摘要】
1.一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，其特征在于，包括接触式测温元件(10)和从上到下依次连接的集电极(1)、子模组、PCB板(8)和发射极(9)；所述子模组从上至下依次包括上钼片(2)、芯片(3)、下钼片(4)和银垫片(5)；所述下钼片(4)开有凹槽，所述下钼片(4)开有凹槽的一面与所述芯片(3)接触；所述接触式测温元件(10)，置于所述凹槽内，与所述芯片(3)接触，输出端连接所述PCB板(8)。2.根据权利要求1所述的一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，其特征在于，还包括导热硅脂(11)，用于填满所述接触式测温元件(10)与所述凹槽之间的空隙。3.根据权利要求1所述的一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，其特征在于，所述凹槽的槽长为6-18mm。4.根据权利要求1所述的一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，其特征在于，所述凹槽的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓二平，张一鸣，傅实，任斌，赵志斌，黄永章，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：新型
国别省市：北京,11