【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】RRAM写入相关申请的交叉引用本申请涉及申请号为62448831，申请日为2017年1月20日，名称为“RRAM的流控重置操作以及用于RRAM设置的位线斜变”的美国临时专利申请，并要求其优先权。
技术介绍
非易失性存储器是一种即使在断电后仍可存储信息的存储设备。非易失性存储(NVM)装置可以为只读存储器或随机存取存储器(RAM)，并且可采用各种技术。非易失性RAM当中的一类为阻变RAM，其所含技术例如为细丝阻变式随机存取存储(RRAM或ReRAM)单元，界面RRAM单元，磁阻式RAM(MRAM)单元，相变存储(PCM)单元(如包括锗、锑、碲合金在内的硫族化物)，忆阻存储单元以及可编程金属化单元(如导电桥接RAM(CBRAM)单元)。RRAM单元具有快速的操作时间和低功耗性能，因此在嵌入式应用和独立式应用中，成为一种前景广阔的非易失性存储装置。RRAM单元的反复设置和周期重置的长期可靠性需要持续不断地改善。附图说明通过以下给出的详细描述和本专利技术各实施方式附图，可以更加全面地理解本专利技术。图1所示为根据一种实施方式的RRAM单元的细丝路径结构(filamentstru...
【技术保护点】
1.一种阻变式随机存取存储器(RRAM)电路，其特征在于，包括：RRAM单元阵列，所述阵列具有一条或多条源极线以及一条或多条位线；以可操作方式与所述RRAM单元阵列连接的控制电路，用于在重置操作过程中将RRAM单元重置为高阻态；以及以可操作方式与所述控制电路连接的限流器，用于在所述重置操作过程中对施加至与所述RRAM单元连接的源极线上的电流进行限制。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.20 US 62/448,8311.一种阻变式随机存取存储器(RRAM)电路，其特征在于，包括：RRAM单元阵列，所述阵列具有一条或多条源极线以及一条或多条位线；以可操作方式与所述RRAM单元阵列连接的控制电路，用于在重置操作过程中将RRAM单元重置为高阻态；以及以可操作方式与所述控制电路连接的限流器，用于在所述重置操作过程中对施加至与所述RRAM单元连接的源极线上的电流进行限制。2.如权利要求1所述的RRAM电路，其特征在于，还包括：所述限流器进一步用于在所述RRAM单元的设置操作过程中，对施加至位线的电流进行限制，以形成受控的斜变位线电压。3.如权利要求1所述的RRAM电路，其特征在于，还包括：以可操作方式与所述限流器连接的调节电路，用于调节所述限流器的电流限值。4.如权利要求1所述的RRAM电路，其特征在于，所述限流器的用于对施加至所述源极线上的电流进行限制的第一电流限值小于所述限流器的用于对在所述RRAM单元的设置操作过程中施加至位线的电流进行限制的第二电流限值。5.如权利要求1所述的RRAM电路，其特征在于：所述RRAM单元包括存取晶体管以及位于所述存取晶体管的位线一侧的细丝结构；所述限流器包括位于所述存取晶体管的源极线一侧的电阻器。6.如权利要求1所述的RRAM电路，其特征在于：所述限流器包括与共用源连接的电流镜；所述控制电路包括将所述共用源连接至所述源极线的开关。7.如权利要求1所述的RRAM电路，其特征在于：所述限流器包括电流镜；所述控制电路包括用于在所述重置操作过程中将所述电流镜连接至与所述RRAM单元连接的字线的控制器。8.一种方法，其特征在于，包括：在第一时间间隔内，使施加至与阻变式随机存取存储器(RRAM)单元连接的位线或源极线上的电压从最小电压值斜变至最大电压值，其中，所述电压用于对所述RRAM单元进行设置或重置；在所述第一时间间隔后的第二时间间隔内，将所述电压保持于所述最大电压值；以及在所述第二时间间隔后，停止施加所述电压。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，使所述电压斜变包括：在所述第一时间间隔内，向所述位线或所述源极线施加限流电流。10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，使所述电压斜变包括：在所述第一时间间隔内，对施加至所述位线或所述源极线上的电流进行控制。11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，使所述电压斜变包括：通过限流器在所述RRAM单元的设置操作过程中对流向所述位线的电流进行限制，所述限流器进一步用于在所述RRAM单元的重置操作过程中对流向所述源极...
【专利技术属性】
技术研发人员：布伦特·豪克内斯，吕志超，
申请(专利权)人：合肥睿科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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