新的化合物和使用其的有机发光器件制造技术

技术编号:22082881 阅读:43 留言:0更新日期:2019-09-12 16:44
本发明专利技术涉及新的化合物和使用其的有机发光器件。

New compounds and organic light-emitting devices using them

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】新的化合物和使用其的有机发光器件
相关申请的交叉引用本申请要求于2017年5月2日提交的韩国专利申请第10-2017-0056389号的优先权的权益,其全部公开内容通过引用并入本文。本专利技术涉及新的化合物和包含其的有机发光器件。
技术介绍
通常,有机发光现象是指通过使用有机材料将电能转换成光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件具有诸如视角宽,对比度优异,响应时间快,以及亮度、驱动电压和响应速度优异的特性,并因此进行了许多研究。有机发光器件通常具有包括阳极、阴极和介于阳极与阴极之间的有机材料层的结构。有机材料层通常具有包含不同材料的多层结构以提高有机发光器件的效率和稳定性,例如,有机材料层可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。在有机发光器件的结构中,如果在两个电极之间施加电压,则空穴从阳极注入有机材料层中,电子从阴极注入有机材料层中,并且当注入的空穴和电子彼此相遇时,形成激子,并且当激子再次落至基态时发光。一直需要开发用于这样的有机发光器件中的有机材料的新材料。[现有技术文献][专利文献](专利文献0001)韩国专利特许公开第10-2000-0051本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物,由下式1表示或者包含由下式1表示的结构单元:[式1]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.05.02 KR 10-2017-00563891.一种化合物,由下式1表示或者包含由下式1表示的结构单元:[式1]其中,在式1中,环A1至环A3各自独立地为C6-20芳族环或包含选自N、O和S中的至少一个杂原子的C2-60杂芳族环,Ra、Rb和R1至R3各自独立地为氢;氘;卤素;氰基;硝基;经取代或未经取代的甲硅烷基;经取代或未经取代的氨基;经取代或未经取代的C1-60烷基;经取代或未经取代的C1-60卤代烷基;经取代或未经取代的C1-60烷氧基;经取代或未经取代的C1-60卤代烷氧基;经取代或未经取代的C3-60环烷基;经取代或未经取代的C2-60烯基;经取代或未经取代的C6-60芳基;经取代或未经取代的C6-60芳氧基;或者经取代或未经取代的包含选自N、O和S中的至少一个杂原子的C2-60杂芳基,前提条件是Ra、Rb和R1至R3中的至少一者为经取代或未经取代的甲硅烷基,或者被甲硅烷基取代,Ra能够通过单键、-O-、-S-、-C(Q1)(Q2)-或-N(Q3)-连接至所述环A1或所述环A3,Rb能够通过单键、-O-、-S-、-C(Q4)(Q5)-或-N(Q6)-连接至所述环A2或所述环A3,以及所述环A1和所述环A2可以通过单键、-O-、-S-、-C(Q7)(Q8)-或-N(Q9)-彼此连接,其中Q1至Q9各自独立地为氢;氘;C1-10烷基;或C6-20芳基,以及n1至n3各自独立地为0至10的整数。2.根据权利要求1所述的化合物,其中所述环A1至所述环A3各自独立地为苯环、萘环、咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环。3.根据权利要求1所述的化合物,其中由式1表示的化合物由下式1-1至1-13中的一者表示:其中,在式1-1至1-13中,X1和X2各自独立地为O、S或N(C6-20芳基),L1至L5各自独立地为单键、-O-、-S-、-C(C1-4烷基)(C1-4烷基)-或-N(C6-20芳基)-,Ra1至Ra6、Rb1至Rb6、R11至R16、R21至R26和R31至R35各自独立地为氢;氘;卤素;经取代或未经取代的三(C1-20烷基)甲硅烷基;经取代或未经取代的三(C6-20芳基)甲硅烷基;经取代或未经取代的二(C6-20芳基)氨基;经取代或未经取代的(C6-20芳基)(C2-20杂芳基)氨基;经取代或未经取代的C1-20烷基;经取代或未经取代的C1-20卤代烷基;经取代或未经取代的C1-20烷氧基;经取代或未经取代的C1-20卤代烷氧基;经取代或未经取代的C6-20芳基;经取代或未经取代的C6-20芳氧基;或者经取代或未经取代的包含选自N、O和S中的至少一个杂原子的C2-20杂芳基,其中Ra1至Ra6和Rb1至Rb6中的相邻取代基能够彼此连接以形成经取代或未经取代的C6-20芳族环,前提条件是在一个式中Ra1至Ra6、Rb1至Rb6、R11至R16、R21至R26和R31至R35中的至少一者为经取代或未经取代的三(C1-20烷基)甲硅烷基、或者经取代或未经取代的三(C6-20芳基)甲硅烷基,或者被三(C1-20烷基)甲硅烷基或三(C6-20芳基)甲硅烷基取代。4.根据权利要求3所述的化合物,其中在式1-1至1-13中,X1和X2各自独立地为O、S或N(C6H5)。5.根据权利要求3所述的化合物,其中在式1-1至1-13中,L1至L4各自独立地为单键、-O-、-S-或-C(CH3)2-,以及L5为-N(C6H5)-。6.根据权利要求3所述的化合物,其中在式1-1至1-13中,Ra1至Ra6、Rb1至Rb6、R11至R16、R21至R26和R31至R35中的至少一者为-Si(CH3)3或-Si(C6H5)3,或者被-Si(CH3)3或-Si(C6H5)3取代。7.根据权利要求3所述的化合物,其中在式1-1至1-13中,Ra1至Ra6、Rb1至Rb6、R11至R16、R21至R26和R31至R35各自独立地为氢、氘、卤素、-...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪玩杓千民承郑京锡金振珠宋沃根尹洪植
申请(专利权)人:株式会社LG化学
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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