一种防反接的可控硅整流线路制造技术

技术编号:22080482 阅读:76 留言:0更新日期:2019-09-12 15:48
本发明专利技术公开了一种防反接的可控硅整流线路,包括防反整流单元和防反控制单元,本发明专利技术整流电路的两输出端(V1,V2)正确连接蓄电池,二极管D2导通,稳压二极管D3为可控硅Q2控制极提供一稳定的高电平,可控硅Q2导通,整流电路的可控硅Q1控制极为高电平,输入端P具有交流电输入的整流电路正常工作;整流电路的两输出端(V1,V2)与蓄电池反接,隔离触发器U一次侧得电、导通,二极管D4、二极管D2导通,隔离触发器U正向偏置,可控硅Q2控制极为低电平,可控硅Q2不导通,整流电路的可控硅Q1控制极为低电平,可控硅Q1始终不导通,整流电路不工作,其有效避免了蓄电池反接时,对整流电路以及蓄电池造成的损坏。

A Controllable Silicon Rectifier Circuit with Anti-Reverse Connection

【技术实现步骤摘要】
一种防反接的可控硅整流线路
本专利技术涉及一种整流线路,特别是一种防反接的可控硅整流线路。
技术介绍
整流线路作为一种将交流电能转换为直流电能的电路,常用于各种充电系统中,输出端直接连接蓄电池,经整流线路整流后得到的直流电对蓄电池进行充电。该种应用下,常要求整流线路输出端与蓄电池正负极能正确连接,一旦整流线路输出端与蓄电池的正负极接错(接反),造成短路,短路产生的巨大瞬时电流,则势必会损坏蓄电池和线路本身。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种防反接的可控硅整流线路。为实现本专利技术的目的,现详细说明其技术方案:一种防反接的可控硅整流线路,包括第一防反整流单元和防反控制单元,其中:第一防反整流单元包括隔离触发器U、二极管D2、稳压二极管D3、二极管D4、可控硅Q2、电阻R1、电阻R2、以及由二极管D1和阳极与二极管D1负极连接的可控硅Q1组成的整流电路,其中,二极管D1的负极为整流电路的输入端P,可控硅Q1的阴极和二极管D1的正极分别为整流电路的两输出端(V1,V2),整流电路的输入端P还与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极与可控硅Q2的阳极连接,二极管D2的负极还与电阻R2、可控硅Q2的控制极依次连接,可控硅Q2的阴极与电阻R1、整流电路的输出端V1依次连接,可控硅Q2的阴极还与可控硅Q1的控制极连接,可控硅Q2的控制极还与稳压二极管D3的负极连接,稳压二极管D3的正极与整流电路的输出端V1连接,整流电路的输出端V2与二极管D4的正极连接,二极管D4的负极与可控硅Q2的阳极连接,可控硅Q2的控制极还与隔离触发器U的二次侧、整流电路的输出端V1依次连接;防反控制单元包括一基极具有控制信号输入的NPN管T4、场效应管F、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、稳压二极管D10、电阻R7、电阻R8和电阻R9,二极管D5的正极与整流电路的输出端V1连接,二极管D5的负极与电阻R8、场效应管F的漏极依次连接,场效应管F的源极与隔离触发器U的一次侧、电阻R7以及NPN管T4的集电极依次连接,NPN管T4的发射极与整流电路的输出端V2连接,二极管D5的负极还与电阻R9、稳压二极管D10的负极依次连接,稳压二极管D10的负极还与场效应管F的栅极连接,稳压二极管D10的正极与二极管D8正极连接,二极管D8的负极和整流电路的输出端V2连接,二极管D9的正极与整流电路的输出端V2连接,二极管D9的负极与二极管D5的负极连接,二极管D6的正极与NPN管T4的集电极连接,二极管D6的负极与整流电路的输出端V1连接,二极管D7的正极与稳压二极管D10的正极连接,二极管D7的负极与整流电路的输出端V1连接。进一步地,第一防反整流单元的数量为三个,三个第一防反整流单元的整流电路的输入端P分别接入三相电,三个第一防反整流单元的整流电路的输出端(V1,V2)并联,以进行三相整流时,三个第一防反整流单元的隔离触发器U的一次侧依次串联,且串联后一端与防反控制单元的场效应管F的源极连接,另一端与电阻R7、NPN管T4的集电极依次连接。一种防反接的可控硅整流线路,包括第二防反整流单元、开关控制单元和防反控制单元,其中:第二防反整流单元包括NPN管T1、二极管D2、稳压二极管D3、二极管D4、可控硅Q2、电阻R0、电阻R1、电阻R2、以及由二极管D1和阳极与二极管D1负极连接的可控硅Q1组成的整流电路,其中,二极管D1的负极为整流电路的输入端P,可控硅Q1的阴极和二极管D1的正极分别为整流电路的两输出端(V1,V2),整流电路的输入端P还与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极与可控硅Q2的阳极连接,可控硅Q2的阴极与电阻R1、整流电路的输出端V1依次连接,可控硅Q2的阴极还与可控硅Q1的控制极连接,二极管D2的负极还与电阻R2、可控硅Q2的控制极依次连接,可控硅Q2的控制极还与稳压二极管D3的负极连接,稳压二极管D3的正极与整流电路的输出端V1连接,整流电路的输出端V2与二极管D4的正极连接,二极管D4的负极与可控硅Q2的阳极连接,可控硅Q2的控制极还与NPN管T1的集电极连接,NPN管T1的发射极与整流电路的输出端V1连接,NPN管T1的基极与电阻R0一端连接;开关控制单元包括隔离触发器U、PNP管T2、PNP管T3、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6,电阻R5的一端与PNP管T3的发射极连接,电阻R5的另一端接入工作电压VDD,PNP管T3的集电极与第二防反整流单元中电阻R0未连接NPN管T1基极的一端连接,PNP管T3的基极与电阻R6、PNP管T2的发射极依次连接,PNP管T2的集电极与第二防反整流单元的整流电路输出端V1连接,PNP管T2的基极与电阻R3、隔离触发器U的二次侧、第二防反整流单元的整流电路输出端V1依次连接,PNP管T2的基极还与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端接入工作电压VDD;防反控制单元包括一基极具有控制信号输入的NPN管T4、场效应管F、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、稳压二极管D10、电阻R7、电阻R8和电阻R9,二极管D5的正极与整流电路的输出端V1连接,二极管D5的负极与电阻R8、场效应管F的漏极依次连接,场效应管F的源极与隔离触发器U的一次侧、电阻R7以及NPN管T4的集电极依次连接,NPN管T4的发射极与整流电路的输出端V2连接,二极管D5的负极还与电阻R9、稳压二极管D10的负极依次连接,稳压二极管D10的负极还与场效应管F的栅极连接,稳压二极管D10的正极与二极管D8正极连接,二极管D8的负极和整流电路的输出端V2连接,二极管D9的正极与整流电路的输出端V2连接,二极管D9的负极与二极管D5的负极连接,二极管D6的正极与NPN管T4的集电极连接,二极管D6的负极与整流电路的输出端V1连接,二极管D7的正极与稳压二极管D10的正极连接,二极管D7的负极与整流电路的输出端V1连接。进一步地,第二防反整流单元的数量为三个,三个第二防反整流单元的整流电路的输入端P分别接入三相电,三个第一防反整流单元的整流电路的输出端(V1,V2)并联,以进行三相整流时,三个第二防反整流单元中电阻R0未连接NPN管T1基极的一端均与开关控制单元的PNP管T3的集电极连接。进一步地,隔离触发器U为隔离触发器或变压器中的任一个。本专利技术防反接的可控硅整流线路,整流电路的两输出端(V1,V2)正确连接蓄电池,如整流电路的输出端V1连接蓄电池的正极,整流电路的输出端V2连接蓄电池的负极,且隔离触发器U一次侧不得电、不导通时,二极管D2导通,稳压二极管D3为可控硅Q2控制极提供一稳定的高电平,可控硅Q2导通,整流电路的可控硅Q1控制极为高电平,输入端P具有交流电输入的整流电路正常工作;整流电路的两输出端(V1,V2)与蓄电池反接,如整流电路的输出端V1连接蓄电池的负极,整流电路的输出端V2连接蓄电池的正极时,隔离触发器U一次侧得电、导通,二极管D4、二极管D2导通,隔离触发器U正向偏置,可控硅Q2控制极为低电平,可控硅Q2不导通,整流电路的可控硅Q1控制极为低电平,可控硅Q1始终不导通,整流电路不工作,其有效避免了蓄电池反接时,对整流电路以及蓄电池造成的损坏。附图说明图1是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防反接的可控硅整流线路,其特征在于:包括第一防反整流单元和防反控制单元,其中:第一防反整流单元包括隔离触发器U、二极管D2、稳压二极管D3、二极管D4、可控硅Q2、电阻R1、电阻R2、以及由二极管D1和阳极与二极管D1负极连接的可控硅Q1组成的整流电路,其中,二极管D1的负极为整流电路的输入端P,可控硅Q1的阴极和二极管D1的正极分别为整流电路的两输出端(V1,V2),整流电路的输入端P还与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极与可控硅Q2的阳极连接,二极管D2的负极还与电阻R2、可控硅Q2的控制极依次连接,可控硅Q2的阴极与电阻R1、整流电路的输出端V1依次连接,可控硅Q2的阴极还与可控硅Q1的控制极连接,可控硅Q2的控制极还与稳压二极管D3的负极连接,稳压二极管D3的正极与整流电路的输出端V1连接,整流电路的输出端V2与二极管D4的正极连接,二极管D4的负极与可控硅Q2的阳极连接,可控硅Q2的控制极还与隔离触发器U的二次侧、整流电路的输出端V1依次连接;防反控制单元包括一基极具有控制信号输入的NPN管T4、场效应管F、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、稳压二极管D10、电阻R7、电阻R8和电阻R9,二极管D5的正极与整流电路的输出端V1连接,二极管D5的负极与电阻R8、场效应管F的漏极依次连接,场效应管F的源极与隔离触发器U的一次侧、电阻R7以及NPN管T4的集电极依次连接,NPN管T4的发射极与整流电路的输出端V2连接,二极管D5的负极还与电阻R9、稳压二极管D10的负极依次连接,稳压二极管D10的负极还与场效应管F的栅极连接,稳压二极管D10的正极与二极管D8正极连接,二极管D8的负极和整流电路的输出端V2连接,二极管D9的正极与整流电路的输出端V2连接,二极管D9的负极与二极管D5的负极连接,二极管D6的正极与NPN管T4的集电极连接,二极管D6的负极与整流电路的输出端V1连接,二极管D7的正极与稳压二极管D10的正极连接,二极管D7的负极与整流电路的输出端V1连接。...

【技术特征摘要】
1.一种防反接的可控硅整流线路,其特征在于:包括第一防反整流单元和防反控制单元,其中:第一防反整流单元包括隔离触发器U、二极管D2、稳压二极管D3、二极管D4、可控硅Q2、电阻R1、电阻R2、以及由二极管D1和阳极与二极管D1负极连接的可控硅Q1组成的整流电路,其中,二极管D1的负极为整流电路的输入端P,可控硅Q1的阴极和二极管D1的正极分别为整流电路的两输出端(V1,V2),整流电路的输入端P还与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极与可控硅Q2的阳极连接,二极管D2的负极还与电阻R2、可控硅Q2的控制极依次连接,可控硅Q2的阴极与电阻R1、整流电路的输出端V1依次连接,可控硅Q2的阴极还与可控硅Q1的控制极连接,可控硅Q2的控制极还与稳压二极管D3的负极连接,稳压二极管D3的正极与整流电路的输出端V1连接,整流电路的输出端V2与二极管D4的正极连接,二极管D4的负极与可控硅Q2的阳极连接,可控硅Q2的控制极还与隔离触发器U的二次侧、整流电路的输出端V1依次连接;防反控制单元包括一基极具有控制信号输入的NPN管T4、场效应管F、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、稳压二极管D10、电阻R7、电阻R8和电阻R9,二极管D5的正极与整流电路的输出端V1连接,二极管D5的负极与电阻R8、场效应管F的漏极依次连接,场效应管F的源极与隔离触发器U的一次侧、电阻R7以及NPN管T4的集电极依次连接,NPN管T4的发射极与整流电路的输出端V2连接,二极管D5的负极还与电阻R9、稳压二极管D10的负极依次连接,稳压二极管D10的负极还与场效应管F的栅极连接,稳压二极管D10的正极与二极管D8正极连接,二极管D8的负极和整流电路的输出端V2连接,二极管D9的正极与整流电路的输出端V2连接,二极管D9的负极与二极管D5的负极连接,二极管D6的正极与NPN管T4的集电极连接,二极管D6的负极与整流电路的输出端V1连接,二极管D7的正极与稳压二极管D10的正极连接,二极管D7的负极与整流电路的输出端V1连接。2.根据权利要求1所述的防反接的可控硅整流线路,其特征在于:第一防反整流单元的数量为三个,三个第一防反整流单元的整流电路的输入端P分别接入三相电,三个第一防反整流单元的整流电路的输出端(V1,V2)并联,以进行三相整流时,三个第一防反整流单元的隔离触发器U的一次侧依次串联,且串联后一端与防反控制单元的场效应管F的源极连接,另一端与电阻R7、NPN管T4的集电极依次连接。3.一种防反接的可控硅整流线路,包括第二防反整流单元、开关控制单元和防反控制单元,其中:第二防反整流单元包括NPN管T1、二极管D2、稳压二极管D3、二极管D4、可控硅Q2、电阻R0、电阻R1、电阻R2、以及由二极管D1和阳极与二极管D1负极连接的可控硅Q1组成的整流电路,其中,二极管D1的负极为整流电路的输入端P,可控硅Q1的阴极和二极管D1的...

【专利技术属性】
技术研发人员:张雄峰吴锦清刘琪希
申请(专利权)人:维尔纳福建电机有限公司
类型:发明
国别省市:福建,35

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