一种基于BN（Al）薄膜的电阻开关及制备方法技术

本发明专利技术公开一种基于BN(Al)薄膜的电阻开关及制备方法，所述电阻开关，包括硅衬底，硅衬底的一面镀有金属层作为下电极，硅衬底的另一面设有BN(Al)薄膜，BN(Al)薄膜表面设有上电极；构成上电极/BN(Al)/下电极三明治结构电阻开关。本发明专利技术首次发现了BN(Al)薄膜具有电阻开关效应，制备成In/BN(Al)/Al三明治结构电阻开关具有良好的开关特性，且稳定性较好。本发明专利技术中利用双电源磁控溅射的方式制备BN(Al)薄膜工艺简单，能够实现大面积均匀制备，易实现产业化生产，为制备电阻开关阻变存储器(RRAM)提供一种新的材料及结构原型。

A Resistance Switch Based on BN(Al) Thin Film and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种基于BN（Al）薄膜的电阻开关及制备方法
本专利技术属于微电子器件和功能薄膜
，具体涉及一种基于BN(Al)薄膜的电阻开关及其制备方法。
技术介绍
随着对计算机运行速度以及硬件要求越来越高，与之相对应的就是对其中元器件存储器读取速度、存储密度、功耗、单元尺寸、稳定性等性能的需求。目前，在众多的存储器中阻变存储器(RRAM)相比较于传统的非挥发性闪存存储器具有与CMOS工艺兼容性高、低功耗、结构简单、可高密度集成等优点，而被广泛研究和开发。电阻开关是阻变式存储器的元器件，寻找性能优异的电阻开关材料是制备稳定存储器的关键。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于BN(Al)薄膜的电阻开关及制备方法，给电阻开关提供一种新的制备材料，所获得的电阻开关性能优异，稳定性好。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种基于BN(Al)薄膜的电阻开关，包括硅衬底，硅衬底的一面镀有金属层作为下电极，硅衬底的另一面设有BN(Al)薄膜，BN(Al)薄膜表面设有上电极；构成上电极/BN(Al)/下电极三明治结构电阻开关。进一步的，硅衬底的一面镀有的金属层为金属Al；BN(Al)薄膜表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于BN(Al)薄膜的电阻开关，其特征在于，包括硅衬底，硅衬底的一面镀有金属层作为下电极，硅衬底的另一面设有BN(Al)薄膜，BN(Al)薄膜表面设有上电极；构成上电极/BN(Al)/下电极三明治结构电阻开关。

【技术特征摘要】
1.一种基于BN(Al)薄膜的电阻开关，其特征在于，包括硅衬底，硅衬底的一面镀有金属层作为下电极，硅衬底的另一面设有BN(Al)薄膜，BN(Al)薄膜表面设有上电极；构成上电极/BN(Al)/下电极三明治结构电阻开关。2.根据权利要求1所述的电阻开关，其特征在于，硅衬底的一面镀有的金属层为金属Al；BN(Al)薄膜表面设有的上电极为In电极。3.根据权利要求1所述的电阻开关，其特征在于，BN(Al)薄膜为BN薄膜中掺杂了金属Al，金属Al的掺杂质量百分比≥0％。4.权利要求1至3中任一项所述电阻开关的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)硅衬底清洗干净；(2)在硅衬底一面蒸镀金属薄膜作为下电极；(3)将硅衬底放入溅射腔室内溅射一层BN(Al)薄膜；(4)溅射完成后，待硅衬底在溅射腔室内自然冷却至室温后取出；(5)在溅射制备的BN(Al)薄膜表面制备上电极，形成上电极/BN(Al)/下电极的三明治结构电阻开关。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中：在洁净的硅衬底上蒸镀厚度为150-300nm的金属薄膜作为下电极。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中：将硅衬底放入溅射腔室内，对溅射腔室以及硅衬底进行加热，达到预设温度时，硅衬底温度稳定后采用双电源磁控溅射法，以六方BN靶材和金属Al靶材作为靶源，氩气作为放电气体，在硅衬底另一面上沉积BN(Al)薄膜。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，溅射BN靶源的功率为400-600W，溅射金属A...

【专利技术属性】
技术研发人员：李强，秦潇，云峰，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61