阵列基板及其制作方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置。阵列基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的数据线和扫描线，数据线和扫描线围成多个像素单元，每一像素单元内设置有薄膜晶体管、公共电极和像素电极。公共电极包括相互垂直的第一公共子电极和第二公共子电极，第一公共子电极与数据线平行。像素电极包括周边连接部、多个条状主干以及与主干连接的多个条状像素子电极，主干包括将像素单元分成多个显示畴区并且相互垂直的水平主干和竖直主干。所述周边连接部在所述衬底基板上的投影与所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影部分重叠，所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影距离所述像素子电极在所述衬底基板上的投影为5～8μm。

Array Substrate and Its Fabrication Method and Display Device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
目前液晶显示(LiquidCrystalDisplay,LCD)器是最广泛使用的显示器之一，LCD包括设置有场发生电极如像素电极和公共电极的一对面板以及设置在两个面板之间的液晶层，当施加电压到场发生电极从而在液晶层中产生电场，液晶分子在电场作用下进行偏转，由此可以控制光的透过情况使LCD显示图像。液晶显示器包括扭曲向列(TwistedNematic，TN)模式、电子控制双折射(ElectricallyControlledBirefringence，ECB)模式、垂直配向(VerticalAlignment，VA)模式等多种模式，其中，VA模式是一种具有高对比度、宽视角、无需摩擦配向等优势的常见显示模式。其中VA显示模式中，像素通常会由于液晶分子导向不良而产生暗纹，严重影响了显示面板的光透过率。
技术实现思路
基于此，有必要针对由于液晶分子导向不良而影响显示面板的光透过率的问题，提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置。本专利技术提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的数据线和扫描线，所述数据线和所述扫描线围成多个像素单元，每一像素单元内设置有薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层；所述公共电极包括相互垂直的第一公共子电极和第二公共子电极，所述第一公共子电极与所述数据线平行；所述像素电极包括周边连接部、多个条状主干以及与所述主干连接的多个条状像素子电极，所述主干包括相互垂直的水平主干和竖直主干，所述水平主干和所述竖直主干将所述像素单元分成多个显示畴区，所述像素子电极位于所述显示畴区内；所述周边连接部、在所述衬底基板上的投影与所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影部分重叠，所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影距离所述像素子电极在所述衬底基板上的投影为5～8μm。在其中一个实施例中，所述第二公共子电极在所述衬底基板上的投影与所述水平主干在所述衬底基板上的投影重叠。在其中一个实施例中，所述扫描线、所述公共电极和所述栅极同层设置，且所述公共电极与位于其上方的所述像素电极共同形成存储电容。在其中一个实施例中，所述数据线在所述衬底基板上的投影与所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影不重叠。在其中一个实施例中，所述阵列基板还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述栅极与同层设置的所述源极和所述漏极之间，且覆盖所述公共电极。在其中一个实施例中，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层设置在所述像素电极与同层设置的所述源极和所述漏极之间，且覆盖所述公共电极；所述钝化层中设置有通孔，所述像素电极与所述漏极通过所述通孔实现电连接。在其中一个实施例中，多个所述显示畴区关于所述竖直主干或所述水平主干对称。基于同一专利技术构思，本专利技术还提供了一种阵列基板的制作方法，所述方法包括形成数据线、扫描线和公共电极的步骤、形成薄膜晶体管的步骤以及形成像素电极的步骤，形成所述薄膜晶体管包括形成栅极、源极、漏极和有源层的步骤，所述公共电极、所述薄膜晶体管和所述像素电极均形成在由所述扫描线和所述数据线围成的多个像素单元内；其中，所述公共电极包括相互垂直的第一公共子电极和第二公共子电极，所述第一公共子电极与所述数据线平行；所述像素电极包括周边连接部、多个条状主干以及与所述主干连接的多个条状像素子电极，所述主干包括相互垂直的水平主干和竖直主干，所述水平主干和所述竖直主干将所述像素单元分成多个显示畴区，所述像素子电极位于所述显示畴区内；所述周边连接部在所述衬底基板上的投影与所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影部分重叠，所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影距离所述像素子电极在所述衬底基板上的投影为5～8μm。在其中一个实施例中，所述制作方法具体包括：在衬底基板上形成所述公共电极、所述栅极和所述扫描线；在形成所述公共电极、所述栅极和所述扫描线的衬底基板上形成栅绝缘层；在形成所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述有源层；在形成所述有源层的衬底基板上形成所述数据线、所述源极和所述漏极；在形成所述数据线、所述源极和所述漏极的衬底基板上形成钝化层，并形成贯穿所述钝化层的通孔，所述像素电极与所述漏极通过所述通孔实现电连接；在形成所述钝化层的衬底基板上形成所述像素电极。基于同一专利技术构思，本专利技术还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一权项所述的阵列基板。综上，本专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置。所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的数据线和扫描线，所述数据线和所述扫描线围成多个像素单元，每一像素单元内设置有薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层。所述公共电极包括相互垂直的第一公共子电极和第二公共子电极，所述第一公共子电极与所述数据线平行。所述像素电极包括周边连接部、多个条状主干以及与所述主干连接的多个条状像素子电极，所述主干包括相互垂直的水平主干和竖直主干，所述水平主干和所述竖直主干将所述像素单元分成多个显示畴区，所述像素子电极位于所述显示畴区内。所述周边连接部在所述衬底基板上的投影与所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影部分重叠，所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影距离所述像素子电极在所述衬底基板上的投影为5～8μm。本专利技术中，所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影距离所述像素子电极在所述衬底基板上的投影为5～8μ，即所述周边连接部在所述衬底基板上的投影与所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影的不重叠部分的宽度设置在5～8μm，增大第一公共子电极与像素子电极在沿所述扫描线方向上的距离，降低第一公共子电极的电压对邻近的像素子电极与彩膜基板之间的电场的干扰，从而解决因第一公共子电极引起液晶导向紊乱而产生暗纹的问题，提高了显示面板的光穿透率。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板中暗纹产生区域的示意图；图4为本专利技术实施例提供的暗纹产生区域的电场分布示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，请参考图1和图2，所述阵列基板包括衬底基板700以及设置在所述衬底基板700上的数据线100和扫描线200，所述数据线100和所述扫描线200围成多个像素单元，每一像素单元内设置有薄膜晶体管、公共电极300和像素电极400，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层。所述公共电极300包括相互垂直的第一公共子电极310和第二公共子电极320，所述第一公共子电极310与所述数据线100平行。所述像素电极400包括周边连接部410、多个条状主干420以及与所述主干连接的多个条状像素子电极430，所述主干420包括相互垂直的水平主干421和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的数据线和扫描线，所述数据线和所述扫描线围成多个像素单元，每一像素单元内设置有薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层；所述公共电极包括相互垂直的第一公共子电极和第二公共子电极，所述第一公共子电极与所述数据线平行；所述像素电极包括周边连接部、多个条状主干以及与所述主干连接的多个条状像素子电极，所述主干包括相互垂直的水平主干和竖直主干，所述水平主干和所述竖直主干将所述像素单元分成多个显示畴区，所述像素子电极位于所述显示畴区内；所述周边连接部在所述衬底基板上的投影与所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影部分重叠，所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影距离所述像素子电极在所述衬底基板上的投影为5～8μm。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的数据线和扫描线，所述数据线和所述扫描线围成多个像素单元，每一像素单元内设置有薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层；所述公共电极包括相互垂直的第一公共子电极和第二公共子电极，所述第一公共子电极与所述数据线平行；所述像素电极包括周边连接部、多个条状主干以及与所述主干连接的多个条状像素子电极，所述主干包括相互垂直的水平主干和竖直主干，所述水平主干和所述竖直主干将所述像素单元分成多个显示畴区，所述像素子电极位于所述显示畴区内；所述周边连接部在所述衬底基板上的投影与所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影部分重叠，所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影距离所述像素子电极在所述衬底基板上的投影为5～8μm。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二公共子电极在所述衬底基板上的投影与所述水平主干在所述衬底基板上的投影重叠。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线、所述公共电极和所述栅极同层设置，且所述公共电极与位于其上方的所述像素电极共同形成存储电容。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线在所述衬底基板上的投影与所述第一公共子电极在所述衬底基板上的投影不重叠。5.如权利要求1所述阵的列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述栅极与同层设置的所述源极和所述漏极之间，且覆盖所述公共电极。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层设置在所述像素电极与同层设置的所述源极和所述漏极之间，且覆盖所述公共电极；所述钝化层中设置有通孔，所述像素电极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨艳娜，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44