【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器和射频发生器以及使用它们的其他装置优先权申请本申请涉及2016年9月27日提交的美国临时申请No.62/400,271,并要求其优先权和权益,该临时申请的全部公开内容据此以引用方式并入本文以用于所有目的。
本申请涉及电容器和反馈电路以及使用它们的射频发生器。更具体地讲,本文所述的某些配置涉及温度稳定的电容器,其可包括具有选定热膨胀系数的整体材料电极以增强稳定性。
技术介绍
滤质器用于化学分析以确定化学物质的组成。进入滤质器的离子束被过滤,仅允许具有选定质荷(m/z)比的离子通过滤质器并到达检测器或其他下游部件。
技术实现思路
电容器和电路、射频发生器、滤质器、质谱仪以及其他装置和系统的各种不同方面、实施方案、实例和配置将在下文详细描述。鉴于本说明书的有益效果,本领域的普通技术人员将认识到电容器和电路、射频发生器、滤质器、质谱仪以及其他装置和系统的附加方面、实施方案、实例和配置。在一个方面,一种电容器包括:第一介电层;第一电极,该第一电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料;第二介电层,其中第一电极位于第一介电层与第二介电层之间;第二电极,该第二电极 ...
【技术保护点】
1.一种电容器,其包括:第一介电层;第一电极,所述第一电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料;第二介电层,其中所述第一电极位于所述第一介电层与所述第二介电层之间;第二电极,所述第二电极通过所述第二介电层在空间上与所述第一电极分开,并且包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料;以及第三介电层,其中所述第二电极位于所述第二介电层与所述第三介电层之间,并且其中所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层中的每一者的所述热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.27 US 62/400,2711.一种电容器,其包括:第一介电层;第一电极,所述第一电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料;第二介电层,其中所述第一电极位于所述第一介电层与所述第二介电层之间;第二电极,所述第二电极通过所述第二介电层在空间上与所述第一电极分开,并且包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料;以及第三介电层,其中所述第二电极位于所述第二介电层与所述第三介电层之间,并且其中所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层中的每一者的所述热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小。2.根据权利要求1所述的电容器,其中所述第一电极的所述整体固体材料不同于所述第二电极的所述整体固体材料。3.根据权利要求1所述的电容器,其中所述第一电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第一介电层与所述第二介电层之间。4.根据权利要求3所述的电容器,其中所述第二电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第二介电层与所述第三介电层之间。5.根据权利要求1所述的电容器,其还包括设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间而不接触所述第一电极的第一粘合剂,其中所述第一粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。6.根据权利要求5所述的电容器,其还包括设置在所述第二介电层与所述第三介电层之间而不接触所述第二电极的第二粘合剂,其中所述第二粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。7.根据权利要求1所述的电容器,其还包括设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间并接触所述第一电极的端子部分的第一粘合剂,其中所述第一粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。8.根据权利要求1所述的电容器,其中所述第一电极和所述第二电极中的每一者的所述整体固体材料包括金属合金。9.根据权利要求8所述的电容器,其中所述金属合金包括5ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。10.根据权利要求9所述的电容器,其中所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层中的至少一者中的介电材料不同于其他介电层中的一者中的介电材料。11.根据权利要求9所述的电容器,其中所述第一介电层和所述第二介电层包括相同的介电材料。12.根据权利要求9所述的电容器,其中所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层包括相同的介电材料。13.根据权利要求12所述的电容器,其中所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的所述介电材料包括热膨胀系数为5ppm/摄氏度或更小的石英。14.根据权利要求1所述的电容器,其中所述第一电极和所述第二电极在没有任何膜的情况下进行构造和布置。15.根据权利要求1所述的电容器,其中所述第一介电层的至少一个边缘熔合到所述第二介电层的边缘,以将所述第一电极保持在所述第一介电层与所述第二介电层之间。16.根据权利要求15所述的电容器,其中所述第二介电层的至少一个边缘熔合到所述第三介电层的边缘,以将所述第二电极保持在所述第二介电层与所述第三介电层之间。17.根据权利要求1所述的电容器,其还包括在所述第一电极的所述整体材料中的孔。18.根据权利要求17所述的电容器,其还包括在所述第二电极的所述整体材料中的孔。19.根据权利要求1所述的电容器,其中所述第二介电层的所述热膨胀系数与所述第一电极的所述整体材料的所述热膨胀系数大致相同,并且与所述第二电极的所述整体材料的所述热膨胀系数大致相同。20.根据权利要求1所述的电容器,其还包括第四介电层和第五介电层,所述第四介电层和所述第五介电层各自基本上垂直于所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的平坦表面定位,所述第四介电层位于所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的一侧上,并且所述第五介电层位于所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的相对侧上。21.一种自屏蔽电容器,其包括:彼此联接的第一介电层、第二介电层、第三介电层和第四介电层,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层中的每一者的热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小;第一电极,所述第一电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料,其中所述第一电极位于所述第一介电层与所述第二介电层之间;第二电极,所述第二电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料,其中所述第二电极位于所述第二介电层与所述第三介电层之间;以及第三电极,所述第三电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料,其中所述第三电极位于所述第三介电层与所述第四介电层之间。22.根据权利要求21所述的自屏蔽电容器,其中所述第一电极和所述第三电极被定位成屏蔽所述第二电极免受杂散电容能量的影响。23.根据权利要求22所述的自屏蔽电容器,其中所述第二电极被配置成在电耦合到反馈电路时承载反馈信号。24.根据权利要求23所述的自屏蔽电容器,其中所述第一电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第一介电层与所述第二介电层之间,所述第二电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第二介电层与所述第三介电层之间,并且所述第三电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第三介电层与所述第四介电层之间。25.根据权利要求23所述的自屏蔽电容器,其还包括设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间而不接触位于所述第一介电层与所述第二介电层之间的所述第一电极的区域的第一粘合剂,其中所述第一粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。26.根据权利要求25所述的自屏蔽电容器,其还包括设置在所述第二介电层与所述第三介电层之间而不接触所述第二电极的第二粘合剂,其中所述第二粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数,并且其还包括设置在所述第三介电层与所述第四介电层之间而不接触所述第三电极的第三粘合剂,其中所述第三粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。27.根据权利要求23所述的自屏蔽电容器,其还包括设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间并接触所述第一电极的端子部分的第一粘合剂,其中所述第一粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。28.根据权利要求23所述的自屏蔽电容器,其中所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极中的每一者的所述整体固体材料包括金属合金。29.根据权利要求28所述的自屏蔽电容器,其中所述金属合金包括5ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。30.根据权利要求29所述的自屏蔽电容器,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层中的至少一者中的介电材料不同于其他介电层中的一者中的介电材料。31.根据权利要求29所述的自屏蔽电容器,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层中的两者包括相同的介电材料。32.根据权利要求31所述的自屏蔽电容器,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层包括相同的介电材料。33.根据权利要求32所述的自屏蔽电容器,其中所述相同的介电材料包括热膨胀系数为5ppm/摄氏度或更小的石英。34.根据权利要求21所述的自屏蔽电容器,其中所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极各自在没有任何膜的情况下进行构造和布置。35.根据权利要求21所述的自屏蔽电容器,其中所述第一介电层的至少一个边缘熔合到所述第二介电层的边缘,以将所述第一电极保持在所述第一介电层与所述第二介电层之间。36.根据权利要求35所述的自屏蔽电容器,其中所述第二介电层的至少一个边缘熔合到所述第三介电层的边缘,以将所述第二电极保持在所述第二介电层与所述第三介电层之间。37.根据权利要求21所述的自屏蔽电容器,其还包括在所述第一电极的所述整体材料中的孔。38.根据权利要求37所述的自屏蔽电容器,其还包括在所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的至少一者的所述整体材料中的孔。39.根据权利要求21所述的自屏蔽电容器,其中所述第二介电层和所述第三介电层的所述热膨胀系数与所述第二电极的所述整体材料的所述热膨胀系数大致相同。40.根据权利要求21所述的自屏蔽电容器,其还包括第五介电层和第六介电层,所述第五介电层和所述第六介电层各自基本上垂直于所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层的平坦表面定位,所述第五介电层位于所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层的一侧上,并且所述第六介电层位于所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层的相对侧上。41.一种自屏蔽差动电容器,其包括:彼此联接的第一介电层、第二介电层、第三介电层、第四介电层和第五介电层,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层、所述第四介电层和所述第五介电层中的每一者的热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小;第一整体电极,所述第一整体电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料,其中所述第一电极位于所述第一介电层与所述第二介电层之间;第二整体电极,所述第二整体电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料,其中所述第二电极位于所述第二介电层与所述第三介电层之间;第三整体电极,所述第三整体电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料,其中所述第三电极位于所述第三介电层与所述第四介电层之间;以及第四整体电极,所述第四整体电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料,其中所述第四电极位于所述第四介电层与所述第五介电层之间。42.根据权利要求41所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第一整体电极和所述第四整体电极被定位成屏蔽所述第二整体电极和所述第三整体电极免受杂散电容能量的影响。43.根据权利要求42所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第二整体电极和所述第三整体电极被配置成在电耦合到反馈电路时承载差动反馈信号。44.根据权利要求43所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第一整体电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第一介电层与所述第二介电层之间,所述第二整体电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第二介电层与所述第三介电层之间,所述第三整体电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第三介电层与所述第四介电层之间,并且所述第四整体电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第四介电层与所述第五第三介电层之间。45.根据权利要求43所述的自屏蔽差动电容器,其还包括设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间而不接触位于所述第一介电层与所述第二介电层之间的所述第一整体电极的区域的第一粘合剂,其中所述第一粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。46.根据权利要求45所述的自屏蔽差动电容器,其还包括设置在所述第二介电层与所述第三介电层之间而不接触位于所述第二介电层与所述第三介电层之间的所述第二整体电极的区域的第二粘合剂,其中所述第二粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数,其还包括设置在所述第三介电层与所述第四介电层之间而不接触位于所述第三介电层与所述第四介电层之间的所述第三整体电极的区域的第三粘合剂,其中所述第三粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数,并且其还包括设置在所述第四介电层与所述第五介电层之间而不接触位于所述第四介电层与所述第五介电层之间的所述第四整体电极的区域的第四粘合剂,其中所述第四粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。47.根据权利要求43所述的自屏蔽差动电容器,其还包括设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间并接触所述第一整体电极的端子部分的第一粘合剂,其中所述第一粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。48.根据权利要求43所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一者的所述整体材料包括金属合金。49.根据权利要求48所述的自屏蔽差动电容器,其中所述电极中的每一者的所述金属合金包括5ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。50.根据权利要求49所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层、所述第四介电层和所述第五介电层中的至少一者中的介电材料不同于其他介电层中的一者中的介电材料。51.根据权利要求49所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层、所述第四介电层和所述第五介电层中的两者包括相同的介电材料。52.根据权利要求51所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层、所述第四介电层和所述第五介电层包括相同的介电材料。53.根据权利要求52所述的自屏蔽差动电容器,其中所述相同的介电材料包括热膨胀系数为5ppm/摄氏度或更小的石英。54.根据权利要求41所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极各自在没有任何膜的情况下进行构造和布置。55.根据权利要求41所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第一介电层的至少一个边缘熔合到所述第二介电层的边缘,以将所述第一电极保持在所述第一介电层与所述第二介电层之间。56.根据权利要求55所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第二介电层的至少一个边缘熔合到所述第三介电层的边缘,以将所述第二电极保持在所述第二介电层与所述第三介电层之间。57.根据权利要求41所述的自屏蔽差动电容器,其还包括在所述第一整体电极的所述整体材料中的孔。58.根据权利要求57所述的自屏蔽差动电容器,其还包括在所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的至少一者的所述整体材料中的孔。59.根据权利要求41所述的自屏蔽差动电容器,其中所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层的所述热膨胀系数与所述第二整体电极和所述第三整体电极的所述整体材料的所述热膨胀系数大致相同。60.根据权利要求41所述的自屏蔽差动电容器,其还包括第六介电层和第七介电层,所述第六介电层和所述第七介电层各自基本上垂直于所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层、所述第四介电层和所述第五介电层的平坦表面定位,所述第六介电层位于所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层、所述第四介电层和所述第五介电层的一侧上,并且所述第七介电层位于所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层、所述第四介电层和所述第五介电层的相对侧上。61.一种组装电容器的方法,其包括:通过将第一整体电极放置在第一介电层与第二介电层之间,将所述第一整体电极机械联接到所述第一介电层和所述第二介电层;以及通过将第二整体电极放置在所述第二介电层与第三介电层之间,将所述第二整体电极机械联接到所述第三介电层和所述第二介电层,其中所述第一电极和所述第二电极在没有任何粘合剂接触位于所述介电层内的所述第一电极和所述第二电极的任何部分的情况下机械联接到所述介电层。62.根据权利要求62所述的方法,其还包括将所述第一整体电极和所述第二整体电极中的每一者构造为包括金属合金。63.根据权利要求61所述的方法,其还包括在没有任何膜的情况下构造所述金属合金。64.根据权利要求61所述的方法,其还包括将所述第一介电层和所述第二介电层中的每一者构造为包括石英。65.根据权利要求61所述的方法,其还包括使用放置在所述第一介电层和所述第二介电层的边缘处的粘合剂将所述第一介电层和所述第二介电层彼此联接。66.根据权利要求61所述的方法,其还包括通过将第三整体电极放置在所述第三介电层与第四介电层之间,将所述第三整体电极机械联接到所述第四介电层和所述第三介电层,其中所述第三整体电极在没有任何粘合剂接触位于所述第三介电层和所述第四介电层内的所述第三整体电极的任何部分的情况下机械联接到所述第三介电层和所述第四介电层。67.根据权利要求66所述的方法,其还包括通过将第四整体电极放置在所述第四介电层与第五介电层之间,将所述第四整体电极机械联接到所述第五介电层和所述第四介电层,其中所述第四整体电极在没有任何粘合剂接触位于所述第四介电层和所述第五介电层内的所述第四整体电极的任何部分的情况下机械联接到所述第四介电层和所述第五介电层。68.根据权利要求65至67中任一项所述的方法,其还包括将侧介电层联接到至少所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层,以将所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层保持在固定位置。69.根据权利要求66或权利要求67所述的方法,其还包括将所述电极中的每一者构造为包括固体金属合金,并且将所述介电层中的每一者构造为包括石英。70.根据权利要求69所述的方法,其还包括将所述金属合金构造为包括镍-铁合金。71.一种组装电容器的方法,其包括:将第一整体电极与第二整体电极空间定位在模具中;将液体介电材料倒入所述模具中,以在所述空间定位的所述第一整体电极与所述第二整体电极之间提供液体介电材料;以及允许所述液体介电材料凝固以将所述第一整体电极和所述第二整体电极机械联接到所述介电材料,并在所述第一整体电极与所述第二整体电极之间提供介电材料层。72.根据权利要求71所述的方法,其还包括将所述第一整体电极和所述第二整体电极中的每一者构造为包括金属合金。73.根据权利要求71所述的方法,其还包括在没有任何膜的情况下构造所述金属合金。74.根据权利要求71所述的方法,其还包括将所述介电材料构造为包括石英。75.根据权利要求71所述的方法,其还包括将侧介电层联接到所述电容器。76.根据权利要求71所述的方法,其还包括在将所述液体介电材料设置在所述模具中之前将第三整体电极放置在所述模具中,其中放置所述第三整体电极以在所述第二整体电极与所述第三整体电极之间提供所述介电材料的层。77.根据权利要求76所述的方法,其还包括在将所述液体介电材料设置在所述模具中之前将第四整体电极放置在所述模具中,其中放置所述第四整体电极以在所述第三整体电极与所述第四整体电极之间提供所述介电材料的层。78.根据权利要求76或权利要求77中任一项所述的方法,其还包括将侧介电层联接到所述电容器。79.根据权利要求76或权利要求77所述的方法,其还包括将所述电极中的每一者构造为包括固体金属合金,并且将所述介电材料构造为包括石英。80.根据权利要求79所述的方法,其还包括将所述金属合金构造为包括镍-铁合金。81.一种滤质器,其包括:多极组件,所述多极组件包括第一极、第二极、第三极和第四极;射频发生器,所述射频发生器电耦合到所述多极组件的所述第一极、所述第二极、所述第三极和所述第四极中的每一者,所述射频发生器包括具有电容器的反馈电路,其中所述电容器包括:第一介电层;第一电极,所述第一电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料;第二介电层,其中所述第一电极位于所述第一介电层与所述第二介电层之间;第二电极,所述第二电极通过所述第二介电层在空间上与所述第一电极分开,并且包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料;以及第三介电层,其中所述第二电极位于所述第二介电层与所述第三介电层之间,并且其中所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层中的每一者的所述热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小。82.根据权利要求81所述的滤质器,其中所述第一电极的所述整体固体材料不同于所述第二电极的所述整体固体材料。83.根据权利要求81所述的滤质器,其中所述第一电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第一介电层与所述第二介电层之间。84.根据权利要求83所述的滤质器,其中所述第二电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第二介电层与所述第三介电层之间。85.根据权利要求81所述的滤质器,其还包括设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间而不接触所述第一电极的第一粘合剂,其中所述第一粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。86.根据权利要求85所述的滤质器,其还包括设置在所述第二介电层与所述第三介电层之间而不接触所述第二电极的第二粘合剂,其中所述第二粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。87.根据权利要求81所述的滤质器,其还包括设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间并接触所述第一电极的端子部分的第一粘合剂,其中所述第一粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。88.根据权利要求81所述的滤质器,其中所述第一电极和所述第二电极中的每一者的所述整体固体材料包括金属合金。89.根据权利要求88所述的滤质器,其中所述金属合金包括5ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。90.根据权利要求89所述的滤质器,其中所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层中的至少一者中的介电材料不同于其他介电层中的一者中的介电材料。91.根据权利要求89所述的滤质器,其中所述第一介电层和所述第二介电层包括相同的介电材料。92.根据权利要求89所述的滤质器,其中所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层包括相同的介电材料。93.根据权利要求92所述的滤质器,其中所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的所述介电材料包括热膨胀系数为5ppm/摄氏度或更小的石英。94.根据权利要求81所述的滤质器,其中所述第一电极和所述第二电极在没有任何膜的情况下进行构造和布置。95.根据权利要求81所述的滤质器,其中所述第一介电层的至少一个边缘熔合到所述第二介电层的边缘,以将所述第一电极保持在所述第一介电层与所述第二介电层之间。96.根据权利要求95所述的滤质器,其中所述第二介电层的至少一个边缘熔合到所述第三介电层的边缘,以将所述第二电极保持在所述第二介电层与所述第三介电层之间。97.根据权利要求81所述的滤质器,其还包括在所述第一电极的所述整体材料中的孔。98.根据权利要求97所述的滤质器,其还包括在所述第二电极的所述整体材料中的孔。99.根据权利要求81所述的滤质器,其中所述第二介电层的所述热膨胀系数与所述第一电极的所述整体材料的所述热膨胀系数大致相同,并且与所述第二电极的所述整体材料的所述热膨胀系数大致相同。100.根据权利要求81所述的滤质器,其还包括第四介电层和第五介电层,所述第四介电层和所述第五介电层各自基本上垂直于所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的平坦表面定位,所述第四介电层位于所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的一侧上,并且所述第五介电层位于所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的相对侧上。101.一种滤质器,其包括:多极组件,所述多极组件包括第一极、第二极、第三极和第四极;射频发生器,所述射频发生器电耦合到所述多极组件的所述第一极、所述第二极、所述第三极和所述第四极中的每一者,所述射频发生器包括具有自屏蔽电容器的反馈电路,其中所述自屏蔽电容器包括:彼此联接的第一介电层、第二介电层、第三介电层和第四介电层,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层中的每一者的热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小;第一电极,所述第一电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料,其中所述第一电极位于所述第一介电层与所述第二介电层之间;第二电极,所述第二电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料,其中所述第二电极位于所述第二介电层与所述第三介电层之间;以及第三电极,所述第三电极包括热膨胀系数为15ppm/摄氏度或更小的整体材料,其中所述第三电极位于所述第三介电层与所述第四介电层之间。102.根据权利要求101所述的滤质器,其中所述第一电极和所述第三电极被定位成屏蔽所述第二电极免受杂散电容能量的影响。103.根据权利要求102所述的滤质器,其中所述第二电极被配置成在电耦合到反馈电路时承载反馈信号。104.根据权利要求103所述的滤质器,其中所述第一电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第一介电层与所述第二介电层之间,所述第二电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第二介电层与所述第三介电层之间,并且所述第三电极在没有粘合剂的情况下机械地保持在所述第三介电层与所述第四介电层之间。105.根据权利要求103所述的滤质器,其还包括设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间而不接触位于所述第一介电层与所述第二介电层之间的所述第一电极的区域的第一粘合剂,其中所述第一粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。106.根据权利要求105所述的滤质器,其还包括设置在所述第二介电层与所述第三介电层之间而不接触所述第二电极的第二粘合剂,其中所述第二粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数,并且其还包括设置在所述第三介电层与所述第四介电层之间而不接触所述第三电极的第三粘合剂,其中所述第三粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。107.根据权利要求103所述的滤质器,其还包括设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间并接触所述第一电极的端子部分的第一粘合剂,其中所述第一粘合剂包括15ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。108.根据权利要求103所述的滤质器,其中所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极中的每一者的所述整体固体材料包括金属合金。109.根据权利要求108所述的滤质器,其中所述金属合金包括5ppm/摄氏度或更小的热膨胀系数。110.根据权利要求109所述的滤质器,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层中的至少一者中的介电材料不同于其他介电层中的一者中的介电材料。111.根据权利要求109所述的滤质器,其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第四介电层中的两者包括相同的介电材料...
【专利技术属性】
技术研发人员:张德信,王翠霞,
申请(专利权)人:珀金埃尔默健康科学加拿大股份有限公司,
类型:发明
国别省市:加拿大,CA
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