【技术实现步骤摘要】
三结叠层太阳能电池
本申请涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种三结叠层太阳能电池。
技术介绍
太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用太阳能电池一般包括晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、砷化镓(GaAs)太阳能电池等。其中,反向晶格失配三结叠层砷化镓太阳能电池由于实现了子电池禁带宽度和光谱的理想匹配,具有更高的光电转换效率,因此得到了人们的青睐。目前,反向晶格失配三结叠层砷化镓太阳能电池的实验室转换效率已经实现了37.9%(AM1.5)。传统技术的反向晶格失配三结叠层太阳能电池主要为GaInP/GaInAs/GaInAs三结叠层太阳能电池。然而,传统技术的反向晶格失配三结砷化镓三结叠层电池存在电池抗辐照性能差的问题。
技术实现思路
基于此,有必要针对抗辐照性能差问题,提供一种三结叠层太阳能电池。一种三结叠层太阳能电池,包括依次叠层设置的底电池、中间电池和顶电池,所述底电池和所述中间电池通过所述第一隧穿结连接,所述中间电池和所述顶电池通过第二隧穿结连接,其中,所述底电池为CIGS太阳能电池。在其中一个实施例中,所述中间电池为GaAs太阳能电池。在其中一个实施例中,所述GaAs太阳 ...
【技术保护点】
1.一种三结叠层太阳能电池,其特征在于,包括依次叠层设置的底电池(100)、中间电池(200)和顶电池(300),所述底电池(100)和所述中间电池(200)通过第一隧穿结(400)连接,所述中间电池(200)和所述顶电池(300)通过第二隧穿结(500)连接,其中,所述底电池(100)为CIGS太阳能电池。
【技术特征摘要】
1.一种三结叠层太阳能电池,其特征在于,包括依次叠层设置的底电池(100)、中间电池(200)和顶电池(300),所述底电池(100)和所述中间电池(200)通过第一隧穿结(400)连接,所述中间电池(200)和所述顶电池(300)通过第二隧穿结(500)连接,其中,所述底电池(100)为CIGS太阳能电池。2.根据权利要求1所述的三结叠层太阳能电池,其特征在于,所述中间电池(200)为GaAs太阳能电池。3.根据权利要求2所述的三结叠层太阳能电池,其特征在于,所述GaAs太阳能电池包括依次叠层设置的p型掺杂AlxGa1-xAs背场层(210)、p型掺杂GaAs基区(220)、n型掺杂GaAs发射区(230)和n型掺杂AlxGa1-xAs窗口层(240),其中,所述p型掺杂AlxGa1-xAs背场层(210)与所述第一隧穿结(400)连接,所述n型掺杂AlxGa1-xAs窗口层(240)与所述第二隧穿结(500)连接。4.根据权利要求2所述的三结叠层太阳能电池,其特征在于,所述顶电池(300)为GaInP太阳能电池。5.根据权利要求4所述的三结叠层太阳能电池,其特征在于,所述GaInP太阳能电池包括依次叠层设置的p型掺杂AlGaInP背场层(310)、p型掺杂GaInP基区(320)、n型掺杂GaInP发射区(330)和n型掺杂AlInP窗口层(340),其中,所述p型掺杂AlGaInP背场层...
【专利技术属性】
技术研发人员:方亮,曾燕,张皓,
申请(专利权)人:君泰创新北京科技有限公司,
类型:新型
国别省市:北京,11
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