【技术实现步骤摘要】
数据写入控制装置及方法
本专利技术涉及数据写入控制
，特别涉及数据写入控制装置及方法。
技术介绍
非易失SRAM(NV-SRAM)一种同时包括SRAM和NVM的存储结构，电子装置在工作模式下采用SRAM进行数据的存储，在电子装置掉电后，NV-SRAM能够将数据备份到NVM单元中。然而，在电子装置掉电后，非易失SRAM需要一个较大的片上储能电容供电以进行数据的备份，该电容会引入较大的芯片面积开销和成本开销。如果采用较小的片上储能电容，则由于电能不足，会引起备份失败。在备份失败后只能回退到上一次成功备份点，而回到上一次成功备份点会造成一定的性能开销，影响程序的执行进度。
技术实现思路
本专利技术实施例提供数据写入控制装置及方法，通过两种不同写入模式的转换，提高写入装置及方法的程序执行效率。本专利技术实施例的第一方面提供一种数据写入控制装置，包括一级存储器、二级存储器及处理器，所述一级存储器包括易失存储单元，所述二级存储器为非易失存储单元，所述数据写入控制装置的数据写入模式包括回写模式及通写模式，在所述回写模式下，所述处理器将接收到的数据写入所述一级存储器中，在所述通...
【技术保护点】
1.一种数据写入控制装置，包括一级存储器、二级存储器及处理器，所述一级存储器包括易失存储单元，所述二级存储器为非易失存储单元，所述数据写入控制装置的数据写入模式包括回写模式及通写模式，在所述回写模式下，所述处理器将接收到的数据写入所述一级存储器中，在所述通写模式下，所述处理器将接收到的数据写入所述一级存储器及所述二级存储器中；当所述数据写入控制装置处于所述回写模式时，所述处理器侦测所述一级存储器中脏块的数量，并分别预测所述处理器所运行程序在危险时间段内的第一执行进度和第二执行进度，所述危险时间段为所述脏块的数量达到第一预设阈值开始，到所述脏块的数量小于所述第一预设阈值的一段...
【技术特征摘要】
1.一种数据写入控制装置，包括一级存储器、二级存储器及处理器，所述一级存储器包括易失存储单元，所述二级存储器为非易失存储单元，所述数据写入控制装置的数据写入模式包括回写模式及通写模式，在所述回写模式下，所述处理器将接收到的数据写入所述一级存储器中，在所述通写模式下，所述处理器将接收到的数据写入所述一级存储器及所述二级存储器中；当所述数据写入控制装置处于所述回写模式时，所述处理器侦测所述一级存储器中脏块的数量，并分别预测所述处理器所运行程序在危险时间段内的第一执行进度和第二执行进度，所述危险时间段为所述脏块的数量达到第一预设阈值开始，到所述脏块的数量小于所述第一预设阈值的一段时间，所述第一预设阈值为所述一级存储器可支持备份的脏块的最大数量，所述第一执行进度为在通写模式下所述处理器所运行程序在所述危险时间段内的执行进度，所述第二执行进度为在回写模式下所述处理器所运行程序在所述危险时间段内的执行进度；当预测所述处理器所运行程序在所述危险时间段内的所述第一执行进度大于所述第二执行进度时，将当前的数据写入模式转换为通写模式。2.如权利要求1所述的数据写入控制装置，其特征在于，当所述写入控制装置处于所述通写模式时，侦测所述一级存储器中脏块数量，当所述脏块的数量降至第二预设阈值时，则将当前的数据写入模式转换为所述回写模式。3.如权利要求1所述的数据写入控制装置，其特征在于，当所述处理器侦测所述一级存储器中脏块的数量达到所述第一预设阈值时，分别预测所述处理器所运行程序在危险时间段内的第一执行进度和第二执行进度。4.如权利要求1所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述一级存储器还包括非易失存储单元，在所述数据写入控制装置掉电后，所述易失存储单元中的数据被备份至所述一级存储器的非易失存储单元中。5.如权利要求1所述的数据写入控制装置，其特征在于，在所述危险时间段内，所预测的所述第二执行进度的期望E(G-R)计算公式为：其中，G表示采用回写模式时，持续供电时，程序执行的进度百分比，R表示在所述危险时间段内发生掉电时，退回的程序进度百分比，k为在回写模式下，所述处理器所运行程序在单位时间内的执行进度，L为预设的所述危险时间段的长度，ts为若以所述脏块的数量达到所述第一预设阈值时为时间零点，最近开始供电的时刻，为预先统计的所述数据写入控制装置的平均供电时间；在所述危险时间段内，所预测的所述第一执行进度的期望E(G’)的计算公式为：E(G’)＝k’L其中，G’表示通写模式时，程序执行进度百分比，k’为在通写模式下，所述处理器所运行程序在单位时间内的执行进度。6.如权利要求1所述的数据写入控制装置，其特征在于，所述第二预设阈值为所述第一预设阈值减一。7.一种应用于数据写入控制装置的数据写入控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：李和和，刘勇攀，赵庆行，罗嵘，杨华中，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，清华大学，
类型：发明
国别省市：广东,44
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