当前位置: 首页 > 专利查询>天津大学专利>正文

一种磁流体热膨胀系数测量系统及方法技术方案

技术编号:22051987 阅读:20 留言:0更新日期:2019-09-07 14:11
本发明专利技术公开一种磁流体热膨胀系数测量系统及方法,系统包括温控仪、PI电加热膜片、薄膜铂电阻式温度传感器、探头式温度传感器、电子分析天平、计算机、氮气仓、浮子、称重组件、磁流体容器和容器固定组件;电子分析天平放置于氮气仓底部,称重组件放置于电子分析天平上表面;称重组件由底座、支撑圆柱体、横架和配重块组成,横架平行于氮气仓;配重块固定于横架一端,横架另一端通过钨丝连接有浮子,磁流体容器通过容器固定组件固定于氮气仓底部上,磁流体容器内用于放置待测磁流体,测试时浮子置于磁流体容器内且完全浸没于待测磁流体中;PI电热膜片和上述两个传感器均与温控仪相连组成温控系统,计算机分别与温控仪和电子分析天平连接。

A Measuring System and Method for Thermal Expansion Coefficient of Magnetohydrodynamic

【技术实现步骤摘要】
一种磁流体热膨胀系数测量系统及方法
本专利技术属于材料热膨胀系数测量领域,具体涉及一种磁流体热膨胀系数测量系统及方法。
技术介绍
磁流体动力学(Magnetohydrodynamic,简称MHD)角振动传感器因其高带宽、低噪声、小体积、响应快等性能优势,已被应用到航天器在轨宽带微角振动测量等领域中。MHD角振动传感器利用了磁流体材料导电的特性,其基本思想是电磁感应的原理,由检测电路和敏感元件两大部分组成。磁流体是敏感元件的重要组成部分,被充入传感器环形腔体内形成流体环。永磁体位于圆环中间,并与环形腔体以及待测载体固定在一起。当载体有角速度ω振动时,由于磁流体的粘度很小,因此相对于固定的惯性坐标系几乎不动,这样磁流体和永磁体之间将产生一个相对速度v,磁流体切割磁感线,在内外电极之间产生一个与ω成线性关系的动生电动势E,通过检测E就可以得到当前输入角速度ω。由于在实际应用中,MHD角振动传感器工作的环境温度会发生变化,环形容腔内的磁流体的体积也相应发生变化,使容腔内的压力急剧改变。这不仅对传感器的性能产生影响,严重时甚至破坏传感器的结构。针对此问题,需要精确测量磁流体的热膨胀系数,在对传感器结构进行优化设计时提供数据支撑。现有的热膨胀系数测量装置有以下问题:(1)没有稳定的温控系统;(2)没有气体环境保护装置,无法避免空气氧化造成的测量误差;(3)测量时人工读数,误差较大,自动化程度低,不能实时测量等。因此现有技术难以满足对磁流体热膨胀系数测量的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种磁流体热膨胀系数测量系统及方法,能够更精确地测量磁流体的热膨胀系数,为MHD角振动传感器的结构优化提供数据支撑。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的:一种磁流体热膨胀系数测量系统,包括温控仪、PI电加热膜片、薄膜铂电阻式温度传感器、探头式温度传感器、电子分析天平、计算机、氮气仓、浮子、称重组件、磁流体容器和容器固定组件;所述PI电加热膜片、薄膜铂电阻式温度传感器、探头式温度传感器、磁流体容器、容器固定组件、称重组件、电子分析天平位于氮气仓内;温控仪和计算机设置于氮气仓外部;所述电子分析天平放置于氮气仓底部正中位置,称重组件放置于电子分析天平上表面正中位置;称重组件由底座、支撑圆柱体、横架和配重块组成,横架平行于氮气仓;所述配重块固定于横架一端,横架另一端通过钨丝连接有所述浮子,所述磁流体容器通过所述容器固定组件固定于电子分析天平一侧的氮气仓底部上,磁流体容器内用于放置待测磁流体,测试时所述浮子置于所述磁流体容器内且完全浸没于待测磁流体中;所述PI电热膜片通过导热硅胶环绕胶结于磁流体容器的外壁中部位置,薄膜铂电阻式温度传感器通过导热硅胶胶结固定在磁流体容器的外壁下部位置,探头式温度传感器用于放置于待测磁流体中,PI电热膜片、薄膜铂电阻式温度传感器和探头式温度传感器均与所述温控仪相连组成温控系统,计算机分别与温控仪和电子分析天平连接。进一步的,所述氮气仓用于隔绝空气,防止磁流体被氧化;测量时向氮气仓内充入氮气,并保持在一个大气压下;氮气仓的仓壁上设置有出气孔、进气孔和氮气仓操作口,所述氮气仓上还设置有气压表。进一步的,所述称重组件的底座放置于电子分析天平上,所述支撑圆柱体通过螺纹紧固在底座上,所述横架通过螺钉紧固在支撑圆柱体上;所述配重块通过粘合剂固定在横架一端,配重块用于消除力矩对测量精度的影响。进一步的,容器固定组件包括底板、铜柱和支撑板;所述底板开有圆形槽,放置于电子分析天平一侧的氮气仓底部,圆柱形的所述磁流体容器嵌入圆形槽;两个所述铜柱通过螺纹连接于底板;所述支撑板通过螺钉紧固在铜柱上,支撑板中间开有圆形孔,所述磁流体容器从支撑板中间的圆形孔中穿过。此外本专利技术还提供一种磁流体热膨胀系数测量方法的技术方案,具体包括以下步骤:(1)向氮气仓内缓慢充入氮气,观察压力计,使氮气仓内气压稳定在一个大气压;(2)开启计算机,通过上位机界面打开温控仪、电子分析天平,预热30分钟后,记录下此时称重组件在不受浮力时的总重m;(3)通过氮气仓操作口操作氮气仓内的仪器,向磁流体容器内加入待测磁流体,将浮子完全浸没在待测磁流体中;(4)加热磁流体至设定温度T1,T2,…,Tm,…,Tn…,记录下温度及对应的称重组件视重W1,W2,…,Wm,…,Wn…,设此时的磁流体密度分别为:ρ1,ρ2,…,ρm,…,ρn…,设浮子的体积分别为:V1,V2,…,Vm,…,Vnn…,根据阿基米德浮力原理,有:mg-Wm=ρmVmg,①mg-Wn=ρnVng,②设浮子的热膨胀系数为β′,由于温度变化,浮子的体积也发生变化:Vn≈Vm[1+β′(Tn-Tm)],③设磁流体在tm→tn时平均热膨胀系数为β,有:ρn≈ρm[1+β(Tn-Tm)],④联立①-④式可得出待测磁流体在tm→tn时的平均热膨胀系数β:其中,浮子热膨胀系数β′可根据常见材料热膨胀系数表查阅得知。(5)选取合适的温度梯度对待测磁流体进行加热,计算机通过串口线与温控系统和电子分析天平建立通信,实时读取温度和称量视重的数据;通过根据公式⑤编写的计算机程序计算出各个温度差下的平均热膨胀系数β,然后进行多项式拟合,最终得到待测磁流体的温度-热膨胀系数曲线。与现有技术相比,本专利技术的技术方案所带来的有益效果是:(1)本专利技术通过温控装置实时改变待测磁流体的温度,通过磁流体容器外壁贴片式传感器和磁流体内部探头式传感器两个温度传感差值对比使控制温度更精确;(2)本专利技术通过电子分析天平、称重组件、浮子装置将磁流体的热膨胀系数测量转化为浮子所受浮力的测量,只需测量浮力值即可计算出热膨胀系数,使操作更加简单,测量结果更加精确。(3)在测量时,会向氮气仓内充满惰性气体,并使其保持在一个大气压,关闭进出气孔,此时磁流体置于惰性气体氛围中,避免磁流体由于被氧化带来的测量误差。同时,氮气仓内没有气体流动,避免了气流对测量系统的影响。(4)本专利技术所涉及的装置自动化程度高,计算机实时采集温控系统和电子分析天平数据,得出不同温度下的磁流体热膨胀系数。(5)本装置结构简单合理,成本低。附图说明图1是本专利技术磁流体热膨胀系数测量系统的结构示意图;图2是本专利技术磁流体容器及其固定组件的剖视结构示意图;附图标记:1-温控仪,2-出气孔,3-磁流体容器,4-钨丝,5-进气孔,6-氮气仓,7-横架,8-称重组件,9-电子分析天平,10-气压表,11-配重块,12-计算机,13-氮气仓操作口,14-容器固定组件,15-PI电加热膜片,16-薄膜铂电阻式温度传感器,17-探头式温度传感器,18-浮子,19-待测磁流体。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。如图1、图2所示,一种磁流体热膨胀系数的测量系统,包括温控仪1、PI电加热膜片15、薄膜铂电阻式温度传感器16、探头式温度传感器17、电子分析天平9、计算机12、氮气仓6、浮子18、称重组件8、磁流体容器3、容器固定组件14。PI电加热膜片15、薄膜铂电阻式温度传感器16、探头式温度传感器17、磁流体容器3、容器固定组件14、称重组件8、电子分析天平9位于氮气仓6内。称重组本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁流体热膨胀系数测量系统,其特征在于,包括温控仪(1)、PI电加热膜片(15)、薄膜铂电阻式温度传感器(16)、探头式温度传感器(17)、电子分析天平(9)、计算机(12)、氮气仓(6)、浮子(18)、称重组件(8)、磁流体容器(3)和容器固定组件(14);所述PI电加热膜片(15)、薄膜铂电阻式温度传感器(16)、探头式温度传感器(17)、磁流体容器(3)、容器固定组件(14)、称重组件(8)、电子分析天平(9)位于氮气仓(6)内;温控仪(1)和计算机(12)设置于氮气仓(6)外部;所述电子分析天平(9)放置于氮气仓(6)底部正中位置,称重组件(8)放置于电子分析天平(9)上表面正中位置;称重组件(8)由底座、支撑圆柱体、横架(7)和配重块(11)组成,横架(7)平行于氮气仓(6);所述配重块(11)固定于横架(7)一端,横架(7)另一端通过钨丝(4)连接有所述浮子(18),所述磁流体容器(3)通过所述容器固定组件(14)固定于电子分析天平(9)一侧的氮气仓(6)底部上,磁流体容器(3)内用于放置待测磁流体(19),测试时所述浮子(18)置于所述磁流体容器(3)内且完全浸没于待测磁流体(19)中;所述PI电热膜片(15)通过导热硅胶环绕胶结于磁流体容器(3)的外壁中部位置,薄膜铂电阻式温度传感器(16)通过导热硅胶胶结固定在磁流体容器(3)的外壁下部位置,探头式温度传感器(17)用于放置于待测磁流体(19)中,PI电热膜片(15)、薄膜铂电阻式温度传感器(16)和探头式温度传感器(17)均与所述温控仪(1)相连共同组成温控系统,计算机(12)分别与温控仪(1)和电子分析天平(9)连接。...

【技术特征摘要】
1.一种磁流体热膨胀系数测量系统,其特征在于,包括温控仪(1)、PI电加热膜片(15)、薄膜铂电阻式温度传感器(16)、探头式温度传感器(17)、电子分析天平(9)、计算机(12)、氮气仓(6)、浮子(18)、称重组件(8)、磁流体容器(3)和容器固定组件(14);所述PI电加热膜片(15)、薄膜铂电阻式温度传感器(16)、探头式温度传感器(17)、磁流体容器(3)、容器固定组件(14)、称重组件(8)、电子分析天平(9)位于氮气仓(6)内;温控仪(1)和计算机(12)设置于氮气仓(6)外部;所述电子分析天平(9)放置于氮气仓(6)底部正中位置,称重组件(8)放置于电子分析天平(9)上表面正中位置;称重组件(8)由底座、支撑圆柱体、横架(7)和配重块(11)组成,横架(7)平行于氮气仓(6);所述配重块(11)固定于横架(7)一端,横架(7)另一端通过钨丝(4)连接有所述浮子(18),所述磁流体容器(3)通过所述容器固定组件(14)固定于电子分析天平(9)一侧的氮气仓(6)底部上,磁流体容器(3)内用于放置待测磁流体(19),测试时所述浮子(18)置于所述磁流体容器(3)内且完全浸没于待测磁流体(19)中;所述PI电热膜片(15)通过导热硅胶环绕胶结于磁流体容器(3)的外壁中部位置,薄膜铂电阻式温度传感器(16)通过导热硅胶胶结固定在磁流体容器(3)的外壁下部位置,探头式温度传感器(17)用于放置于待测磁流体(19)中,PI电热膜片(15)、薄膜铂电阻式温度传感器(16)和探头式温度传感器(17)均与所述温控仪(1)相连共同组成温控系统,计算机(12)分别与温控仪(1)和电子分析天平(9)连接。2.根据权利要求1所述一种磁流体热膨胀系数测量系统,其特征在于,所述氮气仓(6)用于隔绝空气,防止磁流体被氧化;测量时向氮气仓(6)内充入氮气,并保持在一个大气压下;所述氮气仓(6)的仓壁上设置有出气孔(2)、进气孔(5)和氮气仓操作口(13),所述氮气仓(6)上还设置有气压表(10)。3.根据权利要求1所述一种磁流体热膨胀系数测量系统,其特征在于,所述称重组件(8)的底座放置于电子分析...

【专利技术属性】
技术研发人员:李醒飞徐鹏程夏赣民
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:天津,12

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1