一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法技术

本发明专利技术公开了一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，在失配衬底上覆盖多层石墨烯，放入气态源分子束外延系统生长室中升至高温，将砷烷经过高温裂解后通至生长室维持30分钟，然后降温至生长所需的温度，打开铟和镓束源炉快门，生长InGaAs材料。此生长方法利用了气态源分子束外延的特点，可以不受InGaAs材料与衬底晶格失配的影响，突破衬底的限制。本发明专利技术还可以推广到其他的III‑V族砷化物和磷化物失配材料的生长，具有很好的通用性。

A Method for Growing Large Mismatch InGaAs Materials Based on Gaseous Source Molecular Beam Epitaxy

【技术实现步骤摘要】
一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法
本专利技术属于半导体材料生长领域，特别涉及一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法。
技术介绍
三元系III-V族InGaAs材料在探测器、激光器、调制器等光电子器件以及高电子迁移率晶体管、高迁移率金属氧化物半导体场效应晶体管微电子器件中有广泛的应用。InGaAs材料是由二元材料InAs和GaAs组成的,InAs与GaAs都是直接带隙半导体，且均为闪锌矿结构，组成的InGaAs材料也是直接带隙半导体，当In组分不同时，InGaAs材料的禁带宽度在0.35-1.43eV内变化。当InGaAs材料中的In组分为0.53时，In0.53Ga0.47As材料和InP衬底晶格匹配；当In组分大于0.53时，InGaAs材料相对InP衬底为晶格正失配；当In组分小于0.53时，InGaAs材料相对InP衬底为晶格负失配，相对另一种衬底GaAs衬底则是晶格正失配。由于InGaAs材料特殊的物理性质，不同组分的InGaAs在许多不同领域都具有相应的应用，但是衬底的选择是有限的。所以在很多时候所生长的InGaAs材料与衬底是晶格本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在失配衬底上通过生长或转移的方法覆盖3‑30层石墨烯；(2)将覆盖多层石墨烯的衬底放入气态源分子束外延系统生长室中，衬底温度升至700‑1000℃；(3)将砷烷经过高温裂解后通至生长室，裂解温度范围为900‑1100℃，生长室气压范围为1×10

【技术特征摘要】
1.一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在失配衬底上通过生长或转移的方法覆盖3-30层石墨烯；(2)将覆盖多层石墨烯的衬底放入气态源分子束外延系统生长室中，衬底温度升至700-100...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾溢，王红真，张永刚，邵秀梅，李雪，龚海梅，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31