表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶、其制备和应用制造技术

本发明专利技术属于光电材料领域，更具体地，涉及一种表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶、其制备和应用，在采用配体辅助法制备金属卤化物钙钛矿纳米晶的过程中，加入相对金属卤化物过量的A位一价阳离子的卤化物，过量的A位一价阳离子的卤化物取代部分表面活性配体，填补钙钛矿纳米晶表面的部分缺陷位，实现钙钛矿纳米晶表面缺陷的钝化，得到表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶。所得纳米晶胶体溶液分散性好、能实现稳定的光致发光、发光效率高、色纯度高。该方法成本低、操作简单、重复性高。将这种方法制备得到的钙钛矿纳米晶应用到电致发光二极管中时，由于表面配体的减少、改善了其导电性能，器件效率得到大幅提升。

Metal halide perovskite nanocrystals passivated by surface defects, their preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶、其制备和应用
本专利技术属于光电材料领域，更具体地，涉及一种表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶、其制备和应用。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，未来的显示科技将渗透我们生活的方方面面，交互式显示界面将在我们生活中无处不在，显示技术被视为增加人们日常生活便利的核心技术，显示技术的趋势从高效率、高分辨率向高色纯度转变，以实现更生动的自然色彩。以铅卤钙钛矿为例的金属卤化物钙钛矿，作为一种新兴的半导体材料除了具有有机半导体柔性、平面发光的优点外，还具有高色纯度、低成本、高载流子迁移率、浅缺陷能级、高荧光量子产率等优异的特性。这些优势赋予了铅卤钙钛矿电致发光器件具有高效率、高色纯度(FWHM<20nm)、发光光谱可调、低成本以及可用作柔性等卓越的特点，成为与有机电致发光二极管(OLED)和量子点电致发光二极管(QLED)竞争下一代发光显示主导地位的有利竞争者。其中有机无机杂化的甲脒铅溴(FAPbBr3)钙钛矿纳米晶(NCs)作为铅卤钙钛矿材料的一类，拥有超纯绿光发射和高稳定性，是一类非常优异的绿光材料。对于NCs来说，其表面悬挂着许多配体，虽然这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶的制备方法，其特征在于，在采用配体辅助法制备金属卤化物钙钛矿纳米晶的过程中，加入相对金属卤化物过量的A位一价阳离子的卤化物，该A位一价阳离子为位于所述钙钛矿纳米晶晶格中八面体间隙中的一价阳离子；所述金属卤化物为占据所述钙钛矿纳米晶晶格中八面体位置的金属卤化物；过量的所述A位一价阳离子的卤化物取代部分表面活性配体，填补所述钙钛矿纳米晶表面的部分缺陷位，实现所述钙钛矿纳米晶表面缺陷的钝化，得到表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶。

【技术特征摘要】
1.一种表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶的制备方法，其特征在于，在采用配体辅助法制备金属卤化物钙钛矿纳米晶的过程中，加入相对金属卤化物过量的A位一价阳离子的卤化物，该A位一价阳离子为位于所述钙钛矿纳米晶晶格中八面体间隙中的一价阳离子；所述金属卤化物为占据所述钙钛矿纳米晶晶格中八面体位置的金属卤化物；过量的所述A位一价阳离子的卤化物取代部分表面活性配体，填补所述钙钛矿纳米晶表面的部分缺陷位，实现所述钙钛矿纳米晶表面缺陷的钝化，得到表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将所述A位一价阳离子的卤化物、金属卤化物和表面活性配体在有机溶剂混合，得到金属卤化物钙钛矿纳米晶前驱体溶液；其中所述A位一价阳离子的卤化物相对所述金属卤化物过量，即所述A位一价阳离子的卤化物的摩尔量大于所述金属卤化物的摩尔量；(2)将步骤(1)获得的前驱体溶液与不良溶剂混合，得到所述金属卤化物钙钛矿纳米晶粗液；(3)将步骤(2)获得的粗液与介质溶剂混合，得到沉淀物后，加入分散液，收集稳定分散的上清液得到所述金属卤化物钙钛矿纳米晶的胶体溶液。3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述A位一价阳离子的卤化物为甲脒离子、甲胺离子或铯离子的卤化物，所述金属卤化物为铅、锡或锗的卤化物。4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述表面活性配体包括脂...

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，范连伟，阳妃，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42